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公开(公告)号：CN113345961A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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公开(公告)号：CN118507512A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202311076085.7
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/08 , H01L29/78 , H01L29/417 , H01L29/47
Abstract: 提供能够降低体二极管的正向电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第3导电部、第1绝缘部以及半导体部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。从第2导电部向第3导电部的方向沿着与第1方向交叉的第2方向。第1绝缘部包括设置于第2导电部与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括设置于第1导电部与第2导电部之间的第1半导体区域和设置于第2导电部与第1绝缘区域之间的第2半导体区域。第2导电部包括与第1半导体区域肖特基接合的第1导电区域和与第2半导体区域肖特基接合的第2导电区域。在半导体部为n型的情况下，第1导电区域的功函数低于第2导电区域的功函数。
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公开(公告)号：CN119677140A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217286.2
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够提高阈值电压的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由硼、铟、铝以及铍构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN113809178B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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公开(公告)号：CN105206607A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201410657709.9
申请日：2014-11-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L29/66734 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/66143 , H01L29/7806 , H01L29/7813 , H01L29/872
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1半导体层，具有第1区域和第2区域；第2半导体层，被设置于第1半导体层上侧；第3半导体层，被选择性地设置于第2半导体层上侧；控制电极，在第2半导体层以及第3半导体层中隔着绝缘膜而被设置；第1导电体，以隔着绝缘膜与控制电极以及第1半导体层相接的方式设置于第1半导体层内，相比控制电极而更位于第1半导体层侧；第2导电体，在第2区域中，在从第3半导体层朝向第1半导体层的方向上延伸，在第1半导体层内隔着绝缘膜而被设置；第1电极，与第1半导体层、第2半导体层以及第3半导体层电连接；以及第2电极，与第1半导体层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118198110A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311069409.4
申请日：2023-08-24
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 提供可得到稳定特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1电极、第2电极、第3电极、半导体构件及第1绝缘构件。第1绝缘构件的第2绝缘区域包括与第1半导体区域的第3部分区域对置的第1面。第1绝缘构件的第3绝缘区域包括与第3部分区域对置的第2面。第1面包括第1电极侧的第1端。第2面包括第2电极侧的第2端。第2端的第2位置与第1端的第1位置不同。
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公开(公告)号：CN113809178A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110197605.4
申请日：2021-02-22
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供一种半导体装置，能够提高特性。根据实施方式，半导体装置包括半导体部件、第1、第2电极、栅电极、栅极端子、第1导电部件、第1端子和第1绝缘部件。半导体部件包括第1导电类型的第1半导体区域、第1导电类型的第2半导体区域和第2导电类型的第3半导体区域。栅极端子与栅电极电连接。第1导电部件与第1电极、第2电极以及栅电极电绝缘。第1端子与第1导电部件电连接。第1绝缘部件包括第3半导体区域与栅电极之间的第1绝缘区域以及栅电极与第1导电部件之间的第2绝缘区域。在与输入到栅极端子的第1信号不同的定时进行切换的第2信号能够被输入到第1端子。
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公开(公告)号：CN119677141A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202410217287.7
申请日：2024-02-28
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
Abstract: 提供能够降低导通电阻的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1～3导电部、第1绝缘部以及半导体部。第2导电部在第1方向上与第1导电部分离。第3导电部在与第1方向交叉的第2方向上与第2导电部的一部分排列。第1绝缘部包括设置于第2导电部的一部分与第3导电部之间的第1绝缘区域。半导体部包括第1、2半导体区域，是第1导电类型。第1半导体区域设置于第1导电部与第2导电部之间。第2半导体区域设置于第2导电部的一部分与第1绝缘区域之间且与第2导电部肖特基接合。在第2导电部和第2半导体区域的界面，第1杂质偏析。在第1导电类型为n型的情况下，第1杂质包含从由砷、磷、锑以及镁构成的群选择的至少1种。
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公开(公告)号：CN113345961B
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202010950518.7
申请日：2020-09-11
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝电子元件及存储装置株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/47 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。
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公开(公告)号：CN104795393A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201410299803.1
申请日：2014-06-27
Applicant: 株式会社东芝
Inventor： 西脇达也
CPC classification number: H01L23/34 , H01L23/4952 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0203 , H01L27/0207 , H01L27/0629 , H01L2224/05554 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/4846 , H01L2224/49 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M2001/0054 , Y02B70/1491 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599
Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第一半导体区域，设置于第一电极与第二电极之间；第二半导体区域，设置于第一半导体区域与第二电极之间；第三半导体区域，设置于第二半导体区域与第二电极之间；第三电极；第四半导体区域；第五半导体区域，设置于第四半导体区域与第二电极之间；第四电极；以及温度检测元件部，设置于第一半导体区域上，并且检测从位于第一电极与第二半导体区域之间的第一半导体区域、第二半导体区域以及所述第三半导体区域中的至少一个释放的热。
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