公开(公告)号：CN107833917A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201710377221.4

申请日：2017-05-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 增子真吾 ,  高田贤治 ,  藤村一夫

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明的实施方式提供一种容易提高设在衬底背面的金属相关的可靠性的半导体装置。实施方式的半导体装置包括：半导体元件；衬底，具有设有半导体元件的第1面、及位于第1面的相反侧的第2面；金属组分，设在第2面；及金属镀覆部，隔着金属组分而局部地设在第2面。设有金属镀覆部的第1区域与未设置金属镀覆部的第2区域交替排列在第2面的端部。

公开(公告)号：CN104953006A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410447227.0

申请日：2014-09-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 布谷伸仁 ,  藤村一夫 ,  伊藤信也

IPC: H01L33/48 ,  H01L33/50 ,  H01L25/075

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/22 ,  H01L33/486 ,  H01L33/504 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供一种可靠性高的半导体发光装置。第2绝缘膜设于第1布线部与第2布线部之间、及半导体层的侧面。光学层设于第1侧、及设于所述半导体层的侧面的第2绝缘膜上，且对发光层的放射光而具有透过性。在与光学层相接的一侧具有粗糙面的膜设置在设于所述半导体层的侧面的第2绝缘膜与光学层之间。

公开(公告)号：CN110197815B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN201810182302.3

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 增子真吾 ,  藤村一夫 ,  高田贤治 ,  水岛一郎

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的实施方式提供一种通过使侧面具有曲率而提高可靠性的半导体装置以及切割方法。实施方式的半导体装置具有至少一对侧面从上方朝向下方扩宽的弯曲形状，其具备硅基板、半导体层、以及下层。半导体层形成于上述硅基板的上表面。下层形成于上述硅基板的下表面，其侧面与上述硅基板的侧面连接。

公开(公告)号：CN116598220A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202210936991.9

申请日：2022-08-05

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 布谷伸仁 ,  藤村一夫

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/784

Abstract: 实施方式涉及半导体制造装置及其制造方法。实施方式的半导体制造装置具有第1及第2工作台和周缘保持部。第1工作台对粘贴于树脂片上的晶片进行支撑。晶片分离为中央部和将中央部包围的周缘部，第1工作台隔着树脂片对晶片的中央部进行支撑。第2工作台将第1工作台包围。在第2工作台上对位于第1工作台的外侧的树脂片的外周部进行固定。第2工作台能够以对树脂片的外周部赋予从第1工作台的外缘朝向斜下方的方向的张力的方式相对于第1工作台相对地移动。周缘保持部对晶片的周缘部进行保持。第1及第2工作台以通过张力将树脂片从在周缘保持部固定的晶片的周缘部剥离的方式相对地移动。

公开(公告)号：CN110197815A

公开(公告)日：2019-09-03

申请号：CN201810182302.3

申请日：2018-03-06

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 增子真吾 ,  藤村一夫 ,  高田贤治 ,  水岛一郎

IPC: H01L21/78

Abstract: 本发明的实施方式提供一种通过使侧面具有曲率而提高可靠性的半导体装置以及切割方法。实施方式的半导体装置具有至少一对侧面从上方朝向下方扩宽的弯曲形状，其具备硅基板、半导体层、以及下层。半导体层形成于上述硅基板的上表面。下层形成于上述硅基板的下表面，其侧面与上述硅基板的侧面连接。

公开(公告)号：CN104953016A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410454133.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤村一夫 ,  山崎宏德 ,  小野正 ,  久保晋作 ,  布谷伸仁

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供一种可提高向设有电极侧的相反侧的光提取效率的半导体发光装置。一实施方式的半导体发光装置在半导体层的第1侧、以及设于半导体层的侧面的第2绝缘膜上设有对发光层的放射光具有透过性的光学层。在半导体层的第1侧设有多个凸部与多个凹部，且凸部的顶部比光学层的界面更接近半导体层的与所述第1侧为相反侧的第2侧。