公开(公告)号：CN104953016A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201410454133.6

申请日：2014-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 藤村一夫 ,  山崎宏德 ,  小野正 ,  久保晋作 ,  布谷伸仁

IPC: H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/505 ,  H01L33/56 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明提供一种可提高向设有电极侧的相反侧的光提取效率的半导体发光装置。一实施方式的半导体发光装置在半导体层的第1侧、以及设于半导体层的侧面的第2绝缘膜上设有对发光层的放射光具有透过性的光学层。在半导体层的第1侧设有多个凸部与多个凹部，且凸部的顶部比光学层的界面更接近半导体层的与所述第1侧为相反侧的第2侧。