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公开(公告)号：CN102760815A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201110265519.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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公开(公告)号：CN104934512A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510313500.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上，具有作为半导体的第一接触层；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上，具有第二接触层；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有细线部和焊盘部：上述细线部设置于上述第二接触层之上，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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公开(公告)号：CN103137813B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201210061934.7
申请日：2012-03-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/16 , H01L33/30 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L33/44
Abstract: 根据实施方式，半导体发光元件具有能放射光的第1半导体层；与上述第1半导体层相向的第1主面；具有与上述第1主面相反一侧的第2主面的第2半导体层，在上述第2主面具有设有多个凸起的第1区域和不设上述凸起的第2区域。再者，还具备：电介质膜，设置在上述凸起的至少前端部；及电极，设置在上述第2区域之上。
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公开(公告)号：CN102569578A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110266714.3
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明公开一种半导体发光元件。根据一个实施例，所述半导体发光元件包括发光层、第一导电类型的电流扩散层以及焊盘电极。所述发光层能够发射光。所述电流扩散层具有第一表面和第二表面。所述发光层设置在所述第一表面的一侧。在所述第二表面中包括具有三角形截面形状的凸起结构的光提取表面以及作为晶体生长平面的平坦表面。所述焊盘电极提供在所述平坦表面上。所述凸起结构的一个底角为90度或者更大。
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公开(公告)号：CN102569578B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110266714.3
申请日：2011-09-07
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 本发明公开一种半导体发光元件。根据一个实施例，所述半导体发光元件包括发光层、第一导电类型的电流扩散层以及焊盘电极。所述发光层能够发射光。所述电流扩散层具有第一表面和第二表面。所述发光层设置在所述第一表面的一侧。在所述第二表面中包括具有三角形截面形状的凸起结构的光提取表面以及作为晶体生长平面的平坦表面。所述焊盘电极提供在所述平坦表面上。所述凸起结构的一个底角为90度或者更大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102760815B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201110265519.9
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板、第一电极、第一导电型层、发光层、第二导电型层、第二电极。上述第一导电型层具有：第一接触层、具有比上述第一接触层的杂质浓度低的杂质浓度的窗层、第一包覆层。上述第二导电型层具有：第二包覆层、电流扩散层、第二接触层。上述第二电极具有：细线部，在上述第二接触层之上延伸；焊盘部，设置于未形成上述第二接触层的区域，与上述细线部电连接。上述第一接触层和上述窗层的带隙能量分别比上述发光层的带隙能量大。上述第一接触层在上述窗层与上述第一电极之间选择性地设置，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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公开(公告)号：CN102468386A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110070619.6
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，发光元件包括发光层、覆层、电流扩散层、第二层以及电极。发光层能够发射出发射光。电流扩散层包括表面处理层和第一层。表面处理层具有包括凸起部分和与凸起部分相邻布置的底部部分的表面。第一层被设置于表面处理层和覆层之间。第二层被设置于表面处理层和覆层之间，并且包括具有的杂质浓度高于电流扩散层的杂质浓度的区域。电极被设置于表面处理层的没有提供凸起部分和底部部分的表面区域上。
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公开(公告)号：CN104934512B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201510313500.5
申请日：2011-09-08
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/38 , H01L33/14 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明涉及半导体发光元件，其特征在于，具有：支撑基板；第一电极，设置于上述支撑基板之上；第一导电型层，设置于上述第一电极之上，具有作为半导体的第一接触层；发光层，设置于上述第一导电型层之上；第二导电型层，设置于上述发光层之上，具有第二接触层；以及第二电极，设置于上述第二导电型层之上，具有细线部和焊盘部：上述细线部设置于上述第二接触层之上，从上方观察，上述第一接触层与上述第二接触层不重叠地设置。
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公开(公告)号：CN104953016A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410454133.6
申请日：2014-09-05
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/0079 , H01L33/22 , H01L33/405 , H01L33/46 , H01L33/505 , H01L33/56 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0066 , H01L2933/0091
Abstract: 本发明提供一种可提高向设有电极侧的相反侧的光提取效率的半导体发光装置。一实施方式的半导体发光装置在半导体层的第1侧、以及设于半导体层的侧面的第2绝缘膜上设有对发光层的放射光具有透过性的光学层。在半导体层的第1侧设有多个凸部与多个凹部，且凸部的顶部比光学层的界面更接近半导体层的与所述第1侧为相反侧的第2侧。
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公开(公告)号：CN102468386B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201110070619.6
申请日：2011-03-17
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据一个实施例，发光元件包括发光层、覆层、电流扩散层、第二层以及电极。发光层能够发射出发射光。电流扩散层包括表面处理层和第一层。表面处理层具有包括凸起部分和与凸起部分相邻布置的底部部分的表面。第一层被设置于表面处理层和覆层之间。第二层被设置于表面处理层和覆层之间，并且包括具有的杂质浓度高于电流扩散层的杂质浓度的区域。电极被设置于表面处理层的没有提供凸起部分和底部部分的表面区域上。
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