公开(公告)号：CN100342539C

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：CN02149518.1

申请日：2002-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田敬 ,  永野元 ,  水島一郎 ,  佐藤力 ,  親松尚人 ,  新田伸一

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10832 ,  H01L27/10861 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有：支持基片；在支持基片上的块状成长层形成第1元件的块状元件区域；在支持基片的埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域；位于这些区域的边界的边界层。在块状成长层形成元件的块状元件区域的元件形成面，与在埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域的元件形成面高度大致相等。

公开(公告)号：CN1411066A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN02149518.1

申请日：2002-09-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田敬 ,  永野元 ,  水島一郎 ,  佐藤力 ,  親松尚人 ,  新田伸一

IPC: H01L27/00

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L21/76264 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/84 ,  H01L27/10832 ,  H01L27/10861 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置具有：支持基片；在支持基片上的块状成长层形成第1元件的块状元件区域；在支持基片的埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域；位于这些区域的边界的边界层。在块状成长层形成元件的块状元件区域的元件形成面，与在埋入绝缘膜上的硅层形成元件的SOI元件区域的元件形成面高度大致相等。