公开(公告)号：CN105321946A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510098177.4

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野升太郎 ,  浦秀幸 ,  志村昌洋 ,  山下浩明

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式的半导体装置包括第一半导体区域、多个第二半导体区域、多个第三半导体区域、多个第四半导体区域、第五半导体区域、以及栅极电极。第二半导体区域具有比第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度。第三半导体区域包含第一部分、以及第二部分。第一部分设置在相邻的第二半导体区域之间。第一部分的第二导电型的杂质量比相邻的第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大。第二部分设置在第一半导体区域中。第二部分的第二导电型的杂质量比相邻的第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小。

公开(公告)号：CN104459272A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410074621.4

申请日：2014-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 志村昌洋

IPC: G01R19/00

CPC classification number: G01R31/2621 ,  G01R31/27

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的测定装置。根据一个实施方式，半导体测定装置具备：第1读出端子，与半导体装置的第1面中设置的第1电极电连接；第1加力端子，与半导体装置的第1电极电连接；第2读出端子，与半导体装置的与第1面相反一侧的第2面中设置的第2电极电连接；以及第2加力端子，与半导体装置的第2电极电连接。在第2读出端子的周围各配置了多个第2加力端子。

公开(公告)号：CN102412218A

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN201110278583.0

申请日：2011-09-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 齐藤泰仁 ,  志村昌洋

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置及功率半导体装置，该半导体装置包括：基台；半导体元件，安装在所述基台上；电极端子，与基台相隔开地设置；连接构件，将半导体元件与电极端子连接；及接合件。连接构件中，在与半导体元件连接的一端部设置着多个贯通孔。另外，接合件介于半导体元件与连接构件之间，并且进入至多个贯通孔内。

公开(公告)号：CN105321946B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201510098177.4

申请日：2015-03-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小野升太郎 ,  浦秀幸 ,  志村昌洋 ,  山下浩明

IPC: H01L27/105 ,  H01L29/36 ,  H01L29/423

Abstract: 实施方式的半导体装置包括第一半导体区域、多个第二半导体区域、多个第三半导体区域、多个第四半导体区域、第五半导体区域、以及栅极电极。第二半导体区域具有比第一半导体区域的第一导电型的杂质浓度高的第一导电型的杂质浓度。第三半导体区域包含第一部分、以及第二部分。第一部分设置在相邻的第二半导体区域之间。第一部分的第二导电型的杂质量比相邻的第二半导体区域所含有的第一导电型的杂质量大。第二部分设置在第一半导体区域中。第二部分的第二导电型的杂质量比相邻的第一半导体区域所含有的第一导电型的杂质量小。

公开(公告)号：CN105932059A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201510553381.0

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下浩明 ,  小野升太郎 ,  浦秀幸 ,  志村昌洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0696 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7827

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第1导电型的第1半导体区域、第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第2导电型的第4半导体区域、第1导电型的第5半导体区域及栅极电极。第1半导体区域沿第1方向延伸。第1半导体区域在与第1方向正交的第2方向设置有多个。第1半导体区域与第2半导体区域在第2方向交替地设置。第3半导体区域设置于第2半导体区域上。第3半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于第2半导体区域的第2导电型的杂质浓度。栅极电极沿与包含第1方向及第2方向的面平行且与第1方向交叉的第3方向延伸。

公开(公告)号：CN105990438A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510553436.8

申请日：2015-09-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下浩明 ,  小野升太郎 ,  浦秀幸 ,  志村昌洋

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/41

Abstract: 实施方式的半导体装置具有第一导电型的第一半导体层、第二导电型的多个第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极、绝缘层、以及第一电极。第一半导体层具有多个第一半导体区域。各个第二半导体区域设置在第一半导体区域彼此之间。第三半导体区域设置在第二半导体区域上。第四半导体区域设置在第三半导体区域上。绝缘层设置在栅极电极与第三半导体区域之间。第一电极具有第一部分与第二部分。第一部分连接于第一半导体区域。第二部分相对于第一部分设置在第四半导体区域侧。第一电极设置在第一半导体区域上及第二半导体区域上。第一电极设置在第四半导体区域的周围。