半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102593012B

    公开(公告)日:2014-12-10

    申请号:CN201110007830.3

    申请日:2011-01-14

    CPC classification number: H01L24/75 H01L24/81

    Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法,在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后,加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化,从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度,将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去,同时使临时连接体熔化,从而形成正式连接体。

    固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104347654A

    公开(公告)日:2015-02-11

    申请号:CN201410195222.3

    申请日:2014-05-09

    CPC classification number: H01L27/14618 H01L2224/48091 H01L2924/00014

    Abstract: 本发明提供散热性优异、且能抑制固体摄像元件的变形的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。固体摄像装置(10)具备电介质基板(13)、固体摄像元件(11)、芯片粘合剂(19)、连接导体(17)、密封材料(20)及封装上部(12b)。固体摄像元件在表面的一部分具有接收光的感光部(11a),以背面从电介质基板的表面离开的方式配置。芯片粘合剂在电介质基板与固体摄像元件之间以仅与固体摄像元件的背面的一部分接触的方式设置。连接导体将固体摄像元件与电介质基板电连接。密封材料覆盖连接导体,且沿着固体摄像元件的侧面以固体摄像元件的侧面的一部分露出的方式设置。封装上部在固体摄像元件的表面上以密闭感光部的方式设置。

    半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN102593012A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201110007830.3

    申请日:2011-01-14

    CPC classification number: H01L24/75 H01L24/81

    Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法,在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后,加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化,从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度,将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去,同时使临时连接体熔化,从而形成正式连接体。

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