-
公开(公告)号:CN102339817B
公开(公告)日:2015-03-25
申请号:CN201110199379.X
申请日:2011-07-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/552 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体封装以及使用其的移动设备。根据一个实施方式,半导体封装具备:搭载于插入式基板上的半导体芯片、封装半导体芯片的封装树脂层和覆盖封装树脂层以及插入式基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层。插入式基板具有贯通绝缘基材的多个通孔。多个通孔的一部分具有在插入式基板的侧面露出且在插入式基板的厚度方向被切断的切断面。通孔的切断面与导电性屏蔽层电连接。
-
公开(公告)号:CN104362131A
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:CN201410472071.1
申请日:2011-07-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/31 , H01L23/544 , H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体封装、半导体装置以及使用其的移动设备。根据一个实施方式,半导体封装具备:插入式基板、外部连接端子、半导体芯片、封装树脂层以及导电性屏蔽层,其中,所述导电性屏蔽层具有标识标记,所述标识标记通过以所述封装树脂层的表面不露出的方式切削所述导电性屏蔽层的厚度方向的一部分而设置。
-
公开(公告)号:CN102339817A
公开(公告)日:2012-02-01
申请号:CN201110199379.X
申请日:2011-07-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/552 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49805 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/544 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/97 , H01L2223/54433 , H01L2223/54486 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2224/85 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599
Abstract: 本发明提供一种半导体封装以及使用其的移动设备。根据一个实施方式,半导体封装具备:搭载于插入式基板上的半导体芯片、封装半导体芯片的封装树脂层和覆盖封装树脂层以及插入式基板的侧面的至少一部分的导电性屏蔽层。插入式基板具有贯通绝缘基材的多个通孔。多个通孔的一部分具有在插入式基板的侧面露出且在插入式基板的厚度方向被切断的切断面。通孔的切断面与导电性屏蔽层电连接。
-
公开(公告)号:CN1385900A
公开(公告)日:2002-12-18
申请号:CN02108720.2
申请日:2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体封装具备:封装基材;在上述封装基材上边形成,在往别的装置上安装时使用的安装端子;在上述封装基材上边形成,与上述安装端子电连的布线层;装载在上述封装基材上边,与上述布线层电连的半导体芯片;在上述布线层与模铸树脂层之间和在上述封装基材与模铸树脂层之间形成的低弹性树脂层;密封上述封装基材、上述布线层、上述半导体芯片和上述低弹性树脂层的模铸树脂层,上述低弹性树脂层的弹性模量E比上述模铸树脂层的弹性模量E低。
-
公开(公告)号:CN102593012B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN201110007830.3
申请日:2011-01-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法,在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后,加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化,从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度,将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去,同时使临时连接体熔化,从而形成正式连接体。
-
公开(公告)号:CN104347654A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410195222.3
申请日:2014-05-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14618 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供散热性优异、且能抑制固体摄像元件的变形的固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法。固体摄像装置(10)具备电介质基板(13)、固体摄像元件(11)、芯片粘合剂(19)、连接导体(17)、密封材料(20)及封装上部(12b)。固体摄像元件在表面的一部分具有接收光的感光部(11a),以背面从电介质基板的表面离开的方式配置。芯片粘合剂在电介质基板与固体摄像元件之间以仅与固体摄像元件的背面的一部分接触的方式设置。连接导体将固体摄像元件与电介质基板电连接。密封材料覆盖连接导体,且沿着固体摄像元件的侧面以固体摄像元件的侧面的一部分露出的方式设置。封装上部在固体摄像元件的表面上以密闭感光部的方式设置。
-
公开(公告)号:CN102593012A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201110007830.3
申请日:2011-01-14
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 根据本发明的一实施方式的半导体装置的制造方法,在使第1焊料凸块和第2焊料凸块对位并接触后,加热至焊料凸块的熔点以上的温度而使它们熔化,从而形成第1焊料凸块和第2焊料凸块的临时连接体。将冷却后的临时连接体在还原性气氛中加热至焊料凸块的熔点以上的温度,将存在于临时连接体表面上的氧化膜除去,同时使临时连接体熔化,从而形成正式连接体。
-
公开(公告)号:CN1292475C
公开(公告)日:2006-12-27
申请号:CN02108720.2
申请日:2002-03-29
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L23/49894 , H01L23/3121 , H01L24/48 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48228 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/0401 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体封装具备:封装基材;在上述封装基材上边形成,在往别的装置上安装时使用的安装端子;在上述封装基材上边形成,与上述安装端子电连的布线层;装载在上述封装基材上边,与上述布线层电连的半导体芯片;在上述布线层与模铸树脂层之间和在上述封装基材与模铸树脂层之间形成的低弹性树脂层;密封上述封装基材、上述布线层、上述半导体芯片和上述低弹性树脂层的模铸树脂层,上述低弹性树脂层的弹性模量E比上述模铸树脂层的弹性模量E低。
-
-
-
-
-
-
-