公开(公告)号：CN1402344A

公开(公告)日：2003-03-12

申请号：CN02147027.8

申请日：2002-06-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下冈义明 ,  柴田英毅 ,  宮岛秀史 ,  冨冈和广

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有多个布线层的半导体器件具备：第一绝缘膜；形成于该第一绝缘膜上的第一布线层；形成于上述第一布线层上的第二布线层；和设置在第一绝缘膜和所述第一布线层的上面，第二布线层中相邻布线之间和所述第二布线层中布线下侧与所述第一绝缘层和所述第一布线层之间的低相对介电常数的第二绝缘膜。所述半导体器件的制造方法具备：形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成多个布线沟；通过将金属膜埋入所述布线沟中来形成多个布线；去除所述布线间的所述第一层间绝缘膜来形成埋入沟；在所述埋入沟中埋入由低介电常数材料构成的第二层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN1278415C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02147027.8

申请日：2002-06-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 下冈义明 ,  柴田英毅 ,  宮岛秀史 ,  冨冈和广

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76885 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L2221/1047 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 具有多个布线层的半导体器件具备：第一绝缘膜；形成于该第一绝缘膜上的第一布线层；形成于上述第一布线层上的第二布线层；和设置在第一绝缘膜和所述第一布线层的上面，第二布线层中相邻布线之间和所述第二布线层中布线下侧与所述第一绝缘层和所述第一布线层之间的低相对介电常数的第二绝缘膜。所述半导体器件的制造方法具备：形成第一层间绝缘膜；在所述第一层间绝缘膜中形成多个布线沟；通过将金属膜埋入所述布线沟中来形成多个布线；去除所述布线间的所述第一层间绝缘膜来形成埋入沟；在所述埋入沟中埋入由低介电常数材料构成的第二层间绝缘膜。