公开(公告)号：CN111834980A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010156175.7

申请日：2020-03-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 林祐辅 ,  高尾和人 ,  坂野龙则 ,  池田健太郎 ,  小山将央 ,  苏洪亮

IPC: H02H3/08 ,  H03K17/16

Abstract: 目的是提供一种电流断路装置及晶体管选定方法。本发明的实施方式涉及电流断路装置及晶体管选定方法。电流断路装置具备：常闭的第1晶体管，切换是否将电流路径断路；以及控制器，控制上述第1晶体管的栅极电压，以使得在上述电流路径中没有流过过电流的情况下使上述第1晶体管在放大区域中动作，在上述电流路径中流过过电流的情况下使上述第1晶体管在饱和区域中动作，将上述电流路径断路。

公开(公告)号：CN109148573A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810172985.4

申请日：2018-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小山将央 ,  池田健太郎 ,  高尾和人

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66431

Abstract: 本发明提供半导体装置，具备：第1半导体层；第2半导体层；第3半导体层，漏极电极，源极电极，导通电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，具有贯通第2半导体层及所述第3半导体层的第2凸部分，其前端位于第1半导体层的内部；栅极电极，处于第2半导体层的与有第3半导体层的一侧相反侧，处于源极电极与导通电极间；第1绝缘层，处于栅极电极与第2半导体层间，第1半导体层包括：第1区域，为第1导电类型；第2区域，处于第1区域与漏极电极间且为第2导电类型；第3区域，处于导通电极的第2凸部与第1区域间且为第2导电类型；第4区域，处于第3半导体层与第1区域之间，处于源极电极与导通电极间且为第1导电类型。

公开(公告)号：CN111415916A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN202010003905.X

申请日：2020-01-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小山将央 ,  池田健太郎

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体装置以及半导体封装，实施方式的半导体装置防止常导通晶体管的上升速度及下降速度的降低，降低开关损耗。半导体装置具备：具有第1源极、第1漏极以及第1栅极的常关断晶体管；具有第2源极、第2漏极以及第2栅极的常导通晶体管；对上述第1栅极及上述第2栅极进行驱动的栅极驱动电路；第1电阻；第2电阻以及第1电容器；具有第1阳极和第1阴极的第1整流元件；具有第2阳极和第2阴极的第2整流元件；第1电感器；电连接在上述栅极驱动电路的基准电位节点与上述第1源极之间的第2电感器；串联连接在上述第1源极与上述第2源极之间的第2电容器及第3电感器。

公开(公告)号：CN111415916B

公开(公告)日：2023-10-24

申请号：CN202010003905.X

申请日：2020-01-03

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 小山将央 ,  池田健太郎

IPC: H01L23/495 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体装置以及半导体封装，实施方式的半导体装置防止常导通晶体管的上升速度及下降速度的降低，降低开关损耗。半导体装置具备：具有第1源极、第1漏极以及第1栅极的常关断晶体管；具有第2源极、第2漏极以及第2栅极的常导通晶体管；对上述第1栅极及上述第2栅极进行驱动的栅极驱动电路；第1电阻；第2电阻以及第1电容器；具有第1阳极和第1阴极的第1整流元件；具有第2阳极和第2阴极的第2整流元件；第1电感器；电连接在上述栅极驱动电路的基准电位节点与上述第1源极之间的第2电感器；串联连接在上述第1源极与上述第2源极之间的第2电容器及第3电感器。