公开(公告)号：CN1531080A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410028275.2

申请日：2001-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  松本雅彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时，形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能，且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13，与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外，构成电容器28的电介质膜16的膜厚与把Cu扩散防止膜14的膜厚和硅氮化膜19和21的膜厚加起来的膜厚大体上相等。

公开(公告)号：CN1187823C

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN02106886.0

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  中岛雄一

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/70 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76834 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件包含：带有开口部分的第1绝缘膜；被有选择地形成在上述开口部分内的电容器；至少被形成在上述开口部分内的第2绝缘膜；以及被形成在上述第2绝缘膜上的笫3绝缘膜。

公开(公告)号：CN1374699A

公开(公告)日：2002-10-16

申请号：CN02106886.0

申请日：2002-03-07

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  中岛雄一

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/70 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L28/40 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76834 ,  Y10S438/957

Abstract: 一种半导体器件,包含:第1绝缘膜,带有开口部分;电容器,被有选择地形成在上述开口部分内;第2绝缘膜,至少被形成在上述开口部分内;第3绝缘膜,被形成在上述第2绝缘膜上。

公开(公告)号：CN100541779C

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200410028275.2

申请日：2001-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  松本雅彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时，形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能，且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13，与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外，构成电容器28的电介质膜16的膜厚与把Cu扩散防止膜14的膜厚和硅氮化膜19和21的膜厚加起来的膜厚大体上相等。

公开(公告)号：CN1177365C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN01111864.4

申请日：2001-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  松本雅彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时，形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能，且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13，与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外，构成电容器28的电介质膜16的膜厚等于Cu扩散防止膜14的膜厚，还等于硅氮化膜19和21的膜厚之和。

公开(公告)号：CN1230915C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN00137395.1

申请日：2000-12-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  大黑达也 ,  莲见良治 ,  君岛秀树 ,  山口崇 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805

Abstract: 提供一种MIM电容器及其制造方法。目前，在布线材料中使用铜(Cu)，其结果，在组合RF模拟器件和COM逻辑器件的RF-COM器件中，MIM电容器的两个电极由具有大扩散系数的Cu构成。为了防止Cu扩散到MIM电容器的电容器绝缘膜上，在电容器绝缘膜和两个电极之间配置具有防止Cu扩散功能的防扩散膜。由此，构成电极的Cu不会扩散到电容器绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1315745A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN01111864.4

申请日：2001-03-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  松本雅彦

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/70 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时,形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能,且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13,与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外,构成电容器28的电介质膜16的膜厚与把Cu扩散防止膜14的膜厚和硅氮化膜19和21的膜厚加起来的膜厚大体上相等。

公开(公告)号：CN1303132A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN00137395.1

申请日：2000-12-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  大黑达也 ,  莲见良治 ,  君岛秀树 ,  山口崇 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805

Abstract: 目前,在布线材料中使用铜(Cu),其结果,在组合RF模拟器件和COM逻辑器件的RF－COM器件中,MIM电容器的两个电极由具有大扩散系数的Cu构成。为了防止Cu扩散到MIM电容器的电容器绝缘膜上,在电容器绝缘膜和两个电极之间配置具有防止Cu扩散功能的防扩散膜。由此,构成电极的Cu不会扩散到电容器绝缘膜上。