公开(公告)号：CN105990401A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510096627.6

申请日：2015-03-04

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩津泰德 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/0623 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/083 ,  H01L29/402 ,  H01L29/732 ,  H01L29/7393 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/0603

Abstract: 实施方式提供一种抑制了漏电流的半导体元件。该半导体元件具备：半导体基板；半导体层，设于半导体基板的上方，具有：第一区域，具有第一部分和第二部分，该第二部分在相对于半导体基板和半导体层的层叠方向垂直的第一方向上与第一部分排列；第二区域，设于第一部分的表面，具有第一导电型；第三区域，在第一部分的表面设于第二部分与第二区域之间，与第二部分及第二区域分离，具有第二导电型；第四区域，在第一部分的表面设于第二部分与第三区域之间，与第二部分邻接，具有第一导电型；以及第五区域，设于第四区域的表面，具有第二导电型；第一电极，在半导体层上设于第五区域与第二部分之间；以及第一绝缘膜，设于半导体层与第一电极之间。

公开(公告)号：CN104916681A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201410446801.0

申请日：2014-09-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 猪原正弘

IPC: H01L29/778

CPC classification number: H01L29/0692 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/205

Abstract: 本发明涉及半导体装置，具备：硅基板，包含有：第一部分，具有第一面；和第二部分；具有与所述第一面之间的角度为125度以上126度以下的第二面；第一半导体元件，设置在所述第一部分；第一半导体层，设置在所述第二面之上；以及第二半导体元件，设置在所述第一半导体层。

公开(公告)号：CN1230915C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN00137395.1

申请日：2000-12-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  大黑达也 ,  莲见良治 ,  君岛秀树 ,  山口崇 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805

Abstract: 提供一种MIM电容器及其制造方法。目前，在布线材料中使用铜(Cu)，其结果，在组合RF模拟器件和COM逻辑器件的RF-COM器件中，MIM电容器的两个电极由具有大扩散系数的Cu构成。为了防止Cu扩散到MIM电容器的电容器绝缘膜上，在电容器绝缘膜和两个电极之间配置具有防止Cu扩散功能的防扩散膜。由此，构成电极的Cu不会扩散到电容器绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1303132A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN00137395.1

申请日：2000-12-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  大黑达也 ,  莲见良治 ,  君岛秀树 ,  山口崇 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805

Abstract: 目前,在布线材料中使用铜(Cu),其结果,在组合RF模拟器件和COM逻辑器件的RF－COM器件中,MIM电容器的两个电极由具有大扩散系数的Cu构成。为了防止Cu扩散到MIM电容器的电容器绝缘膜上,在电容器绝缘膜和两个电极之间配置具有防止Cu扩散功能的防扩散膜。由此,构成电极的Cu不会扩散到电容器绝缘膜上。