电感耦合系统以及通信系统

    公开(公告)号:CN106876125A

    公开(公告)日:2017-06-20

    申请号:CN201610814741.2

    申请日:2016-09-09

    Inventor: 松本雅彦

    CPC classification number: H01F38/14 H01F27/2804 H01F2038/143 H04B5/0075

    Abstract: 本发明的实施方式涉及电感耦合系统以及通信系统。本发明提供一种能够抑制信号传输特性的恶化的电感耦合系统以及通信系统。根据实施方式,电感耦合系统具备第一电感器和第二电感器。上述第一电感器具有设置在第一基板上的开环状的第一布线图案。上述第二电感器具有设置在第二基板上的开环状的第二布线图案,上述第二电感器与上述第一电感器电感耦合。上述第二布线图案的宽度比上述第一布线图案的宽度窄。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1315745A

    公开(公告)日:2001-10-03

    申请号:CN01111864.4

    申请日:2001-03-22

    CPC classification number: H01L28/40

    Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时,形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能,且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13,与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外,构成电容器28的电介质膜16的膜厚与把Cu扩散防止膜14的膜厚和硅氮化膜19和21的膜厚加起来的膜厚大体上相等。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1531080A

    公开(公告)日:2004-09-22

    申请号:CN200410028275.2

    申请日:2001-03-22

    CPC classification number: H01L28/40

    Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时,形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能,且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13,与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外,构成电容器28的电介质膜16的膜厚与把Cu扩散防止膜14的膜厚和硅氮化膜19和21的膜厚加起来的膜厚大体上相等。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100541779C

    公开(公告)日:2009-09-16

    申请号:CN200410028275.2

    申请日:2001-03-22

    CPC classification number: H01L28/40

    Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时,形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能,且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13,与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外,构成电容器28的电介质膜16的膜厚与把Cu扩散防止膜14的膜厚和硅氮化膜19和21的膜厚加起来的膜厚大体上相等。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN1177365C

    公开(公告)日:2004-11-24

    申请号:CN01111864.4

    申请日:2001-03-22

    CPC classification number: H01L28/40

    Abstract: 使得在实现器件的微细化的同时,形成大电容值的电容器或具有2种以上的电容值的多个电容器成为可能,且使得缓和电场集中成为可能。在绝缘膜内形成第1布线13,与该第1布线13分开来地形成由下部电极膜15和上部电极膜17和电介质膜16构成的电容器28。此外,构成电容器28的电介质膜16的膜厚等于Cu扩散防止膜14的膜厚,还等于硅氮化膜19和21的膜厚之和。

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