公开(公告)号：CN1645595A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510004644.9

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 莲见良治 ,  宫下桂

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，能抑制结深浅的LDD区域的杂质浓度的降低。具有在半导体衬底上形成的多个MOS晶体管的半导体器件的制造方法，包括：在上述半导体衬底上，分别与上述多个MOS晶体管相对应地形成多个栅极电极构造的工序；以及按上述多个MOS晶体管的LDD区域的结深度深的顺序，在上述多个栅极电极构造的两侧，在上述半导体衬底的表面内形成LDD区域的工序。

公开(公告)号：CN1316600C

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200510004644.9

申请日：2005-01-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 莲见良治 ,  宫下桂

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，能抑制结深浅的LDD区域的杂质浓度的降低。具有在半导体衬底上形成的多个MOS晶体管的半导体器件的制造方法，包括：在上述半导体衬底上，分别与上述多个MOS晶体管相对应地形成多个栅极电极构造的工序；以及按上述多个MOS晶体管的LDD区域的结深度深的顺序，在上述多个栅极电极构造的两侧，在上述半导体衬底的表面内形成LDD区域的工序。

公开(公告)号：CN1230915C

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN00137395.1

申请日：2000-12-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  大黑达也 ,  莲见良治 ,  君岛秀树 ,  山口崇 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805

Abstract: 提供一种MIM电容器及其制造方法。目前，在布线材料中使用铜(Cu)，其结果，在组合RF模拟器件和COM逻辑器件的RF-COM器件中，MIM电容器的两个电极由具有大扩散系数的Cu构成。为了防止Cu扩散到MIM电容器的电容器绝缘膜上，在电容器绝缘膜和两个电极之间配置具有防止Cu扩散功能的防扩散膜。由此，构成电极的Cu不会扩散到电容器绝缘膜上。

公开(公告)号：CN1303132A

公开(公告)日：2001-07-11

申请号：CN00137395.1

申请日：2000-12-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉富崇 ,  大黑达也 ,  莲见良治 ,  君岛秀树 ,  山口崇 ,  猪原正弘

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02 ,  H01L21/70 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/0805

Abstract: 目前,在布线材料中使用铜(Cu),其结果,在组合RF模拟器件和COM逻辑器件的RF－COM器件中,MIM电容器的两个电极由具有大扩散系数的Cu构成。为了防止Cu扩散到MIM电容器的电容器绝缘膜上,在电容器绝缘膜和两个电极之间配置具有防止Cu扩散功能的防扩散膜。由此,构成电极的Cu不会扩散到电容器绝缘膜上。