公开(公告)号：CN104425503B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201410018468.3

申请日：2014-01-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  泽敬一

IPC: H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件：半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。

公开(公告)号：CN102044549B

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201010271652.0

申请日：2010-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  原田翼

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 根据一个实施例，固态图像捕捉设备包括多层互连线层、半导体衬底、柱状体扩散层和绝缘部件。该多层互连线层包括互连线。在该多层互连线层上提供该半导体衬底并且所述半导体衬底具有通槽。该柱状体扩散层形成在半导体衬底中的该通槽周围。另外，绝缘部件被填充到该通槽中。

公开(公告)号：CN101847643A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010135751.6

申请日：2010-03-10

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14689 ,  H01L21/76898 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464

Abstract: 本发明涉及固态成像器件及其制造方法。在一种背面照射型固态成像器件中，依次设置多层互连层、半导体衬底、多个滤色器、以及多个微透镜。将p型区域形成为将所述半导体衬底的下部分隔为多个区域，并且在所述p型区域的直接上方掩埋示例性地由BSG制成的绝缘构件。通过所述p型区域和所述绝缘构件使PD区域彼此隔离。此外，在所述PD区域的下部中形成高浓度区域，并且上部用作低浓度区域。

公开(公告)号：CN104425503A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410018468.3

申请日：2014-01-15

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  泽敬一

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/28273 ,  H01L29/42324 ,  H01L29/511 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66825

Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件、非易失性半导体存储器件的制造方法以及制造装置。非易失性半导体存储器件：半导体层；设置在所述半导体层上的第1绝缘膜；设置在所述第1绝缘膜上的浮置栅极层；设置在所述浮置栅极层上的第2绝缘膜；以及设置在所述第2绝缘膜上的栅电极，所述第1绝缘膜包含硅、氧、碳，从所述半导体层一侧朝向所述浮置栅极层一侧的方向上的所述碳的浓度在所述半导体层与所述浮置栅极层之间具有最大值，所述最大值位于与所述浮置栅极层一侧相比而更靠所述半导体层一侧的位置。

公开(公告)号：CN102194837A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201010279979.2

申请日：2010-09-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/1464 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置及其制造方法。该固体摄像装置具备：多层布线层；半导体基板，设在上述多层布线层上，具有第1导电型层；第2导电型的杂质扩散区域，将上述第1导电型层划分为多个区域；防反射膜，设在上述半导体基板上；滤色器，按照上述划分出的区域设在上述防反射膜上；金属性层，形成在上述半导体基板的下表面上的上述划分出的区域以外的区域中。并且，上述防反射膜没有设在上述金属性层的正上方区域中。

公开(公告)号：CN102044549A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN201010271652.0

申请日：2010-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  原田翼

IPC: H01L27/146 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14687 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

Abstract: 根据一个实施例，固态图像捕捉设备包括多层互连线层、半导体衬底、柱状体扩散层和绝缘部件。该多层互连线层包括互连线。在该多层互连线层上提供该半导体衬底并且所述半导体衬底具有通槽。该柱状体扩散层形成在半导体衬底中的该通槽周围。另外，绝缘部件被填充到该通槽中。

公开(公告)号：CN1052817C

公开(公告)日：2000-05-24

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性。具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。

公开(公告)号：CN101515593B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200910004715.3

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成硬掩模材料膜，并且在半导体衬底的上表面中的开口的正下方形成凹陷。接下来，通过使用硬掩模材料膜作为掩模在成像区中注入杂质，在凹陷的正下方形成p型区。并且，通过在处理区中进一步加工所述凹陷，形成沟槽。通过在所述凹陷和沟槽中掩埋介电材料以去除硬掩模材料膜，形成半掩埋介电膜和STI。接下来，形成分别覆叠半掩埋介电膜和STI的两个电极，并且使用一个电极和半掩埋介电膜作为掩模，在成像区中注入杂质，从而在半导体衬底中在与p型区接触的区域中形成构成光电二极管的n型区。

公开(公告)号：CN101515593A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910004715.3

申请日：2009-02-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 村越笃 ,  矢桥胜典

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/762 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/1463 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及一种半导体器件及其制造方法。在半导体衬底上形成硬掩模材料膜，并且在半导体衬底的上表面中的开口的正下方形成凹陷。接下来，通过使用硬掩模材料膜作为掩模在成像区中注入杂质，在凹陷的正下方形成p型区。并且，通过在处理区中进一步加工所述凹陷，形成沟槽。通过在所述凹陷和沟槽中掩埋介电材料以去除硬掩模材料膜，形成半掩埋介电膜和STI。接下来，形成分别覆叠半掩埋介电膜和STI的两个电极，并且使用一个电极和半掩埋介电膜作为掩模，在成像区中注入杂质，从而在半导体衬底中在与p型区接触的区域中形成构成光电二极管的n型区。

公开(公告)号：CN1123470A

公开(公告)日：1996-05-29

申请号：CN95118446.6

申请日：1995-09-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 吉见信 ,  稻叶聪 ,  村越笃 ,  寺内卫 ,  执行直之 ,  松下嘉明 ,  青木正身 ,  滨本毅司 ,  石桥裕 ,  尾崎彻 ,  H·川口谷 ,  松泽一也 ,  有隅修 ,  西山彰

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/108 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66666 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

Abstract: 一种半导体器件结构及制造方法，在改善MOSFET、MOSSIT和MISFET等绝缘栅晶体管的漏击穿电压时降低漏电流，改善存储单元如用这些晶体管作开关晶体管的DRAM的保持特性，改善传输门中栅氧化膜的可靠性，具体地，在SOI·IG-器件的源区或漏区内部形成窄带隙半导体如SixGe1-x、SixSn1-x、PbS。选择窄带隙半导体区在SOI膜中的位置和/或摩尔百分比，或选择杂质元素，补偿晶格失配，抑制缺陷的产生。