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公开(公告)号：CN119343409A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202380046152.2
申请日：2023-06-15
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C08L101/10 , B32B27/20 , C08F8/42 , C08F212/08 , C08F236/06 , C08K3/10 , H05K1/03
Abstract: 本公开的一方案中的复合材料具备金属有机结构体和含硅聚合物。含硅聚合物包含下述主链，所述主链包含选自苯乙烯单元、丁二烯单元、乙烯单元、环烯烃单元和含氟烯烃单元中的至少一个。含硅聚合物包含例如由‑SiR3‑n(OX)n表示的官能团，n为1至3的整数，X表示氢原子、碳数1至10的烃基、与金属有机结构体键合的部分、或与所述官能团的硅原子以外的硅原子键合的部分，X中的至少一个为与金属有机结构体键合的部分，R表示碳数1至10的烃基。
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公开(公告)号：CN116133990A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202180059452.5
申请日：2021-05-20
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C01G9/00
Abstract: 本公开的固体电解质材料由Li、M1、M2及X形成。M1为选自由Mg、Ca、Sr、Ba及Zn构成的组中的1个。M2为选自由Gd及Sm构成的组中的至少1个。X为选自由F、Cl、Br及I构成的组中的至少1个。本公开的电池(1000)具备正极(201)、负极(203)、以及设置于正极(201)及负极(203)之间的电解质层(202)。选自由正极(201)、负极(203)及电解质层(202)构成的组中的至少1个含有本公开的固体电解质材料。
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公开(公告)号：CN106374027A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610346548.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以抑制波长转换部件内的光的波导、具有高亮度、高发光效率的光源装置。光源装置含有：半导体发光元件、和将来自上述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件。上述波长转换部件含有：基板、配置于上述基板上的荧光体层、和配置于上述基板上、并且配置于上述荧光体层的周围的光反射层。上述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋上述荧光体粒子的第一基质材料。上述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋上述无机化合物粒子的第二基质材料。上述无机化合物粒子的折射率比上述第一基质材料的折射率高，上述第一基质材料的折射率比上述荧光体粒子的折射率高，上述荧光体粒子的折射率比上述第二基质材料的折射率高。
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公开(公告)号：CN119365415A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202380046155.6
申请日：2023-06-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C01B21/064 , C08F8/42 , C08K9/04 , C08L9/00 , C08L25/10 , C08L65/00 , C08L87/00 , C08L101/00 , C08L101/10 , C08J5/10 , C08J5/24 , B32B15/08 , C08K3/38 , H05K1/03
Abstract: 本公开的一个方案中的氮化硼材料包含氮化硼、附着于氮化硼的聚多巴胺、以及含硅聚合物。含硅聚合物例如包含‑SiR3‑n(OX)n表示的官能团，n为1～3的整数，X表示氢原子、碳数1～10的烃基、与上述聚多巴胺键合的部分、或与除上述官能团的硅原子以外的硅原子键合的部分，X中的至少1个为与上述聚多巴胺键合的部分，R表示碳数1～10的烃基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113383253A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201980091029.6
申请日：2019-10-17
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , F21V9/30 , F21V29/502 , F21V29/76 , G03B21/14 , F21Y115/30
Abstract: 本申请提供用于抑制波长转换部件温度上升的技术。本申请具备包含荧光体的荧光体层(20)、支撑荧光体层(20)的基板(30)以及与基板(30)接合的散热器(40)，其中，基板(30)的导热率比荧光体层(20)的导热率大，散热器(40)的导热率比基板(30)的导热率大或者散热器(40)的导热率比基板(30)的导热率小。
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公开(公告)号：CN111033328A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201880052500.6
申请日：2018-09-11
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G02B5/20 , C09K11/06 , C09K11/08 , C09K11/56 , C09K11/70 , F21V9/08 , H01L33/50 , F21W103/10 , F21Y115/10 , F21Y115/30
Abstract: 本发明提供具有优异的散热性的波长转换构件。本申请的波长转换构件具备：波长转换粒子，其具有荧光体和将荧光体包围的第1基体；和第2基体，其具有比第1基体的热导率高的热导率，且将波长转换粒子包围。荧光体例如为选自由量子点制成的荧光体、由金属络合物制成的荧光体及有机荧光体中的至少一种。第1基体例如包含选自树脂及玻璃中的至少一种。第2基体例如包含无机晶体。无机晶体例如为氧化锌晶体。
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公开(公告)号：CN105423238B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201510510691.4
申请日：2015-08-19
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
CPC classification number: G03B21/204 , G02B27/141 , G03B21/2066 , H01L2933/0041 , H01S5/0092
Abstract: 本发明提供波长变换部件、发光装置、投影机、以及波长变换部件的制造方法。所述波长变换部件，具备：基板；分色镜层，被设置在基板上，且使来自上方的光的至少一部分反射；SiO2层，被设置在分色镜层上；ZnO层，被设置在SiO2层上；以及被设置在ZnO层上的含有多个荧光体的荧光体层，在荧光体层中，在多个荧光体之间设置ZnO。
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公开(公告)号：CN110799863B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201880042910.2
申请日：2018-06-14
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本申请提供具有高可靠性的波长转换构件。本申请的波长转换构件(100)具备：荧光体层(20)，其具有包含ZnO的基体(21)和埋入基体(21)中的荧光体粒子(22)；和第1保护层(30)，其包含选自ZnCl2、ZnS及ZnSO4中的至少一种，且将荧光体层(20)覆盖。例如，第1保护层(30)与荧光体层(20)相接触。例如，ZnO为沿c轴取向的ZnO多晶。
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公开(公告)号：CN110352368B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880015139.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G03B21/20 , G03B21/16 , F21S41/20 , F21S45/47 , F21V9/30 , F21V29/71 , F21W102/00 , F21Y115/30
Abstract: 本发明的波长转换构件(10)具备：第一基体(22)；埋入第一基体(22)的荧光体粒子(23)；和选自埋入第一基体(22)的第一填料粒子(24)及分别覆盖荧光体粒子(23)的表面的表面覆盖层(25)中的至少一者。在第一基体(22)的折射率为n1、荧光体粒子(23)的折射率为n2、第一填料粒子(24)的折射率为n3、表面覆盖层(25)的折射率为n4时，波长转换构件(10)满足选自|n3‑n1|＞|n1‑n2|及|n4‑n1|＞|n1‑n2|中的至少1个关系。
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