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公开(公告)号：CN114746705A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202080082943.7
申请日：2020-10-29
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: F25B23/00
Abstract: 传热装置(50)具备第一构件(11)、第一传热体(21)以及第二传热体(22)。第一构件(11)包括表现出热弹性效应的第一固体材料。在第一传热体(21)中，作为第一传热体(21)与第一构件(11)之间的接触面积的第一接触面积发生变动。在第二传热体(22)中，作为第二传热体(22)与第一构件(11)之间的接触面积的第二接触面积发生变动。施加于第一构件(11)的第一外力的大小小于第一阈值时的第一接触面积比第一外力的大小为第一阈值以上时的第一接触面积大。第一外力的大小小于第一阈值时的第二接触面积比第一外力的大小为第一阈值以上时的第二接触面积小。
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公开(公告)号：CN114555673B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202080073240.8
申请日：2020-11-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C08G63/685 , C08G64/00 , C08L67/04 , C08L101/02 , C08L69/00 , H01G4/18 , H01G4/30 , H01G4/32
Abstract: 提供了不包含酰胺键并且具有高电容率的介电组合物。介电组合物包含聚合物，所述聚合物具有包含至少一个杂环和至少一个羰基的单元结构的重复结构。所述单元结构优选地包括至少一种化学结构，所述至少一种化学结构包含所述至少一个杂环和与所述至少一个杂环结合的所述至少一个羰基。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114555673A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073240.8
申请日：2020-11-05
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C08G63/685 , C08G64/00 , C08L67/04 , C08L101/02 , C08L69/00 , H01G4/18 , H01G4/30 , H01G4/32
Abstract: 提供了不包含酰胺键并且具有高电容率的介电组合物。介电组合物包含聚合物，所述聚合物具有包含至少一个杂环和至少一个羰基的单元结构的重复结构。所述单元结构优选地包括至少一种化学结构，所述至少一种化学结构包含所述至少一个杂环和与所述至少一个杂环结合的所述至少一个羰基。
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公开(公告)号：CN117616065A
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN202280046252.0
申请日：2022-09-02
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Inventor： 小城原佑亮
Abstract: 本公开提供了具有高介电常数的高分子化合物。该高分子化合物具有含有杂环、羰基和与所述杂环键合的取代基的结构单元(U)。所述取代基包括选自由以下各项组成的组中的至少一项：卤素基团、羟基、醛基、羧基、烷基、卤代烷基和羟基烷基。
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公开(公告)号：CN119110816A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202380037131.4
申请日：2023-06-13
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: C08G6/00 , C08G63/685 , C08G67/00 , C08J5/18 , H01G4/32
Abstract: 本公开所解决的问题是提供与常规高分子化合物相比具有更高的介电常数的新型高分子化合物。根据本公开的高分子化合物具有重复单元(U)，所述重复单元(U)包含：二氮杂苯环，与所述二氮杂苯环直接键合的取代基，以及羰基。所述取代基包括选自由以下各项组成的组中的至少一项：氢原子、卤素原子、羟基、甲酰基、羧基、具有1至6个碳原子的烷基、具有1至6个碳原子的卤代烷基和具有1至6个碳原子的羟基烷基。
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公开(公告)号：CN110352368B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201880015139.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: G03B21/20 , G03B21/16 , F21S41/20 , F21S45/47 , F21V9/30 , F21V29/71 , F21W102/00 , F21Y115/30
Abstract: 本发明的波长转换构件(10)具备：第一基体(22)；埋入第一基体(22)的荧光体粒子(23)；和选自埋入第一基体(22)的第一填料粒子(24)及分别覆盖荧光体粒子(23)的表面的表面覆盖层(25)中的至少一者。在第一基体(22)的折射率为n1、荧光体粒子(23)的折射率为n2、第一填料粒子(24)的折射率为n3、表面覆盖层(25)的折射率为n4时，波长转换构件(10)满足选自|n3‑n1|＞|n1‑n2|及|n4‑n1|＞|n1‑n2|中的至少1个关系。
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公开(公告)号：CN110352368A
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201880015139.X
申请日：2018-02-09
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明的波长转换构件(10)具备：第一基体(22)；埋入第一基体(22)的荧光体粒子(23)；和选自埋入第一基体(22)的第一填料粒子(24)及分别覆盖荧光体粒子(23)的表面的表面覆盖层(25)中的至少一者。在第一基体(22)的折射率为n1、荧光体粒子(23)的折射率为n2、第一填料粒子(24)的折射率为n3、表面覆盖层(25)的折射率为n4时，波长转换构件(10)满足选自|n3-n1|＞|n1-n2|及|n4-n1|＞|n1-n2|中的至少1个关系。
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