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公开(公告)号：CN106374027B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610346548.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以抑制波长转换部件内的光的波导、具有高亮度、高发光效率的光源装置。光源装置含有：半导体发光元件、和将来自上述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件。上述波长转换部件含有：基板、配置于上述基板上的荧光体层、和配置于上述基板上、并且配置于上述荧光体层的周围的光反射层。上述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋上述荧光体粒子的第一基质材料。上述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋上述无机化合物粒子的第二基质材料。上述无机化合物粒子的折射率比上述第一基质材料的折射率高，上述第一基质材料的折射率比上述荧光体粒子的折射率高，上述荧光体粒子的折射率比上述第二基质材料的折射率高。
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公开(公告)号：CN106369371A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610341275.0
申请日：2016-05-23
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: F21K9/64 , F21K9/90 , H01L33/50 , C09K11/02 , F21Y115/10 , F21Y115/30
Abstract: 本发明要解决的问题是提高来自光源装置的出射光的能量密度。本发明的波长转换部件具备多个荧光体粒子和基质，所述基质位于所述多个荧光体粒子之间，由氧化锌的多个晶体构成，且在上述多个晶体中的至少1个晶体的内部具有多个细孔。光源装置为包含例如半导体发光元件和将来自所述半导体发光元件的出射光进行波长转换的本公开的波长转换部件的光源装置，且所述半导体发光元件的发光峰值波长为420nm以上且470nm以下。
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公开(公告)号：CN106374027A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201610346548.0
申请日：2016-05-24
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以抑制波长转换部件内的光的波导、具有高亮度、高发光效率的光源装置。光源装置含有：半导体发光元件、和将来自上述半导体发光元件的出射光的一部分进行波长转换的波长转换部件。上述波长转换部件含有：基板、配置于上述基板上的荧光体层、和配置于上述基板上、并且配置于上述荧光体层的周围的光反射层。上述荧光体层含有：荧光体粒子、和包埋上述荧光体粒子的第一基质材料。上述光反射层含有：无机化合物粒子、和包埋上述无机化合物粒子的第二基质材料。上述无机化合物粒子的折射率比上述第一基质材料的折射率高，上述第一基质材料的折射率比上述荧光体粒子的折射率高，上述荧光体粒子的折射率比上述第二基质材料的折射率高。
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公开(公告)号：CN107305921A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201710134584.5
申请日：2017-03-08
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: F21S41/14 , B60Q1/04 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/62 , C09K11/7728 , C09K11/7734 , C09K11/7774 , F21S41/16 , F21S41/25 , F21S45/47 , H01L33/0045 , H01L33/32 , H01L33/501 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/508 , H01L2933/0091 , H01S5/005
Abstract: 本申请所要解决的问题为抑制发光效率降低。本申请的一个方案为波长转换部件，其具备基板、第一波长转换层和第二波长转换层。所述第一波长转换层配置在所述基板上，并包含第一荧光体材料和第一基体材料。所述第二波长转换层具有与所述第一波长转换层相对的第一主面和来自半导体发光器件的激发光射入的第二主面，并且包含第二荧光体材料、第一颗粒状无机材料和第二基体材料。所述第一荧光体材料和所述第二荧光体材料将由所述第二主面射入的所述激发光转换为具有比所述激发光长的波长的荧光，所述荧光从所述第二波长转换层的所述第二主面放射。所述第一波长转换层中的第一荧光体材料的体积比率比所述第二波长转换层中的第二荧光体材料的体积比率高。
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