公开(公告)号：CN1310477A

公开(公告)日：2001-08-29

申请号：CN01104073.4

申请日：2001-02-21

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  那须彻 ,  森慎一郎 ,  藤井英治

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/55

Abstract: 本发明的半导体存储器件的存储电容器2,由下部电极8、电容绝缘膜9、上部电极12构成,其下部电极8由第1阻挡膜6和第2阻挡膜7组成。第1阻挡膜6,由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜7,由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成,是为了完全覆盖第1阻挡膜6而设置的。据此,能够阻滞来自第1阻挡膜6的侧面的氧扩散,就能够防止因连接柱11氧化而发生的接触不良。

公开(公告)号：CN1237792A

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：CN99107551.X

申请日：1999-05-25

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 田中圭介 ,  长野能久 ,  伊东丰二 ,  三河巧

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82 ,  H01L21/302 ,  G03F7/42

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/31133 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76816

Abstract: 一种电容元件及其制造方法是在半导体基板10上依次形成由白金膜构成的下部电极11、由强电介质膜或高电介质膜构成的电容绝缘膜12以及由白金膜构成的上部电极13之后，在上部电极13上整个面堆积保护绝缘膜14。对保护绝缘膜14，利用在其上形成的电阻掩膜15进行干蚀刻，在保护绝缘膜14上形成为第1导电孔16A和第2导电孔16B。然后，利用有机溶剂构成的掩膜剥离剂除去电阻掩膜15。该方法能防止电容元件电特性的劣化。

公开(公告)号：CN1038210C

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN94109461.8

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻达男

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/70 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置，一种是形成膜中水份含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的，还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成，可在减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流，防止绝缘耐压变差。

公开(公告)号：CN1275808A

公开(公告)日：2000-12-06

申请号：CN00106251.4

申请日：2000-05-19

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/10894 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11507 ,  H01L27/11509 ,  H01L28/55

Abstract: 半导体装置及制法是在形成在半导体基板上的第1和第2场效应管上堆积第1保护绝缘膜,在该第1保护绝缘膜形成容量下部电极、由绝缘性金属氧化膜构成容量绝缘膜以及容量上部电极构成的电容元件。容量下部电极和第1场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第1导电芯柱连接,容量上部电极和第2场效应管的杂质扩散层与形成在第1保护绝缘膜上的第2导电芯柱连接。该装置能防止容量绝缘膜的还原和电容元件的特性变化。

公开(公告)号：CN1257311A

公开(公告)日：2000-06-21

申请号：CN99122843.X

申请日：1999-11-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  田中圭介 ,  那须徹

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体存储器及其制造方法,包括覆盖集成有源极区域、漏极区域和栅极组成的晶体管的半导体基板的整个面的第1保护绝缘膜(3),由形成在(3)上的下电极(4)、绝缘性金属氧化物构成的电容膜(5)和上电极(6)组成的数据存储用电容元件,全面覆盖(3)和电容元件的第2保护绝缘膜(7),设置在(7)上形成的连通(6)和(4)的接触孔(8、9)的表面和(6)和(4)的露出面的整个面上的氢阻挡层(10、11),晶体管的接触孔(12)和布线层(13)。

公开(公告)号：CN1189687A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻达男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置,一种是形成膜中水分含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的,还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成,可以减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流,防止绝缘耐压变差。

公开(公告)号：CN1163474A

公开(公告)日：1997-10-29

申请号：CN97102155.4

申请日：1997-01-24

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 中川聪 ,  伊东丰二 ,  尾藤阳二 ,  长野能久

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/314

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136

Abstract: 在半导体衬底上依次形成器件绝缘膜、下白金膜、强电介质膜、上白金膜、钛膜和期望图形的光刻胶掩模。钛膜厚度设为上白金膜、强电介质膜和下白金膜总厚度的十分之一以上。用干蚀法刻蚀钛膜并用灰化处理除去光刻胶掩模。用已图形化的钛膜为掩模，应用把氧气的体积浓度设定为40％的氯与氧混合气体的等离子体的干蚀法刻蚀上白金膜、强电介质膜和下白金膜。由于钛膜被氧化故可得到高的刻蚀选择比。再用应用了氯气的等离子体的干蚀法除去钛膜。

公开(公告)号：CN1112289A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN95103180.5

申请日：1995-03-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  长野能久 ,  田恭博 ,  井筒康文

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其工序包括，在硅基片上形成氧化硅膜、第1白金膜、介质以及第2白金膜，在1～5Pa低压范围，用溴化氢和氧的混合气体作为蚀刻气体，通过抗蚀保护层膜干刻白金膜及介质。露出第1白金膜时，在5～50Pa高压范围，刻除第1白金膜上未蚀介质后，再在低压范围内干刻第1白金膜，从而在半导体集成电路芯片上形成由上电极、电容绝缘膜和下电极构成的电容元件。此方法解决了掩膜图案清晰度差和电路元件工作欠佳等问题。

公开(公告)号：CN1244730A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN99111976.2

申请日：1999-08-03

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  长野能久 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/70

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/60

Abstract: 一种具有利用铁电薄膜的电容器的可靠性高的半导体器件及其制造方法,在半导体衬底1上形成存取晶体管2、位线6和第一层间绝缘薄膜4后,在第一层间绝缘薄膜4的指定区域处形成的接触孔内设置插头8使存取晶体管2与铁电电容器9电气连接。然后依次形成底部电极10、铁电薄膜11和第一顶部电极14,并加工成所需的形状。在整个晶片表面上形成绝缘薄膜16并各向异性蚀刻形成侧壁16S。最后形成并加工第二顶部电极17从而完成铁电电容器9。

公开(公告)号：CN1223470A

公开(公告)日：1999-07-21

申请号：CN98124908.6

申请日：1998-11-13

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 长野能久 ,  上本康裕 ,  十代勇治 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/11507

Abstract: 半导体器件含有:一硅基底;其中的一MOS半导体器件,该器件最外层表面上有一硅化物区;一覆盖该器件的第一绝缘膜;一在第一绝缘膜上的电容器元件,该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜,该膜包含铁电材料;一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜;一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔;一第二绝缘膜上的互连层,该层使MOS器件与电容器元件电连接,互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。