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公开(公告)号：CN1189687A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：CN97121332.1
申请日：1994-08-05
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/324 , H01L21/30 , H01L27/10
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/10852 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/75 , Y10S438/958
Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置,一种是形成膜中水分含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的,还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成,可以减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流,防止绝缘耐压变差。
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公开(公告)号：CN1115119A
公开(公告)日：1996-01-17
申请号：CN95106466.5
申请日：1995-06-21
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/8232
CPC classification number: H01L28/40 , H01L21/3105 , H01L21/76828
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：在表面形成集成电路的半导体基片，形成在该基片上且具有通达集成电路的第1通孔的第1绝缘膜，形成在第1绝缘膜上的电容元件，形成在第1绝缘膜上覆盖电容元件且具有分别通达上电极和下电极的第2通孔的第2绝缘膜，以及形成分别通过第1和第2通孔与集成电路和电容元件连接的电极布线。所述电容元件电介质膜的氢面密度在1011个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN1244730A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN99111976.2
申请日：1999-08-03
Applicant: 松下电子工业株式会社
CPC classification number: H01L28/55 , H01L27/10852 , H01L28/60
Abstract: 一种具有利用铁电薄膜的电容器的可靠性高的半导体器件及其制造方法,在半导体衬底1上形成存取晶体管2、位线6和第一层间绝缘薄膜4后,在第一层间绝缘薄膜4的指定区域处形成的接触孔内设置插头8使存取晶体管2与铁电电容器9电气连接。然后依次形成底部电极10、铁电薄膜11和第一顶部电极14,并加工成所需的形状。在整个晶片表面上形成绝缘薄膜16并各向异性蚀刻形成侧壁16S。最后形成并加工第二顶部电极17从而完成铁电电容器9。
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公开(公告)号：CN1223470A
公开(公告)日：1999-07-21
申请号：CN98124908.6
申请日：1998-11-13
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/76895 , H01L27/11507
Abstract: 半导体器件含有:一硅基底;其中的一MOS半导体器件,该器件最外层表面上有一硅化物区;一覆盖该器件的第一绝缘膜;一在第一绝缘膜上的电容器元件,该元件包含一下电极、一上电极和一设置在下电极和上电极间的电容膜,该膜包含铁电材料;一覆盖了第一绝缘膜和电容器元件的第二绝缘膜;一在第一绝缘膜和第二绝缘膜中的接触孔;一第二绝缘膜上的互连层,该层使MOS器件与电容器元件电连接,互连层的底部包含除了钛以外的一种导电材料。
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公开(公告)号：CN1183647A
公开(公告)日：1998-06-03
申请号：CN97119623.0
申请日：1997-09-26
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: G11C29/50016 , G11C11/22 , G11C29/50 , G11C2029/5002
Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中,求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式,t1=t2m,而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1310477A
公开(公告)日：2001-08-29
申请号：CN01104073.4
申请日：2001-02-21
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/75 , H01L27/10852 , H01L28/55
Abstract: 本发明的半导体存储器件的存储电容器2,由下部电极8、电容绝缘膜9、上部电极12构成,其下部电极8由第1阻挡膜6和第2阻挡膜7组成。第1阻挡膜6,由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜7,由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成,是为了完全覆盖第1阻挡膜6而设置的。据此,能够阻滞来自第1阻挡膜6的侧面的氧扩散,就能够防止因连接柱11氧化而发生的接触不良。
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公开(公告)号：CN1038210C
公开(公告)日：1998-04-29
申请号：CN94109461.8
申请日：1994-08-05
Applicant: 松下电子工业株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/10852 , H01L27/11585 , H01L27/1159 , H01L28/40 , H01L28/55 , H01L28/60 , H01L28/75 , Y10S438/958
Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置，一种是形成膜中水份含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的，还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成，可在减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流，防止绝缘耐压变差。
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公开(公告)号：CN1210669A
公开(公告)日：1999-03-17
申请号：CN98102751.2
申请日：1998-07-01
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: A01K5/02
CPC classification number: H04B1/0343 , A01K5/02 , A01K5/0275
Abstract: 一种自动给饵系统包括一附连在宠物身体上的一非接触标签;和一用于自动向宠物供饵的自动喂饵装置。该自动给饵装置通过电子波访问该非接触标签并自该非接触标签的信息存储装置获得信息。通过该系统,该自动给饵系统在最佳的条件下向宠物供饵。由于在确认宠物存在后将饵食提供给饵食盘,防止了饵食变腐。
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公开(公告)号：CN1148263A
公开(公告)日：1997-04-23
申请号：CN96107139.7
申请日：1996-06-27
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L28/55
Abstract: 本发明涉及内含以高介电常数电介质或强电介质作为电容绝缘膜的电容元件的半导体器件制造方法，目的在于解决现有半导体器件内含的电容绝缘膜表面凹凸不平造成绝缘耐压低、电气特性误差大、配线断线问题，形成第一电介质膜后，在其上面层积厚度超过其表面凸部与凹部落差的第二电介质膜，再在该第二电介质膜上面使表面平整来层积蚀刻速度与第二电介质膜蚀刻速度相等的薄膜，再同时蚀刻除去该薄膜全部和第二电介质膜的部分，使第二电介质膜表面成为平滑面，形成电容绝缘膜。
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公开(公告)号：CN1143833A
公开(公告)日：1997-02-26
申请号：CN96107131.1
申请日：1996-06-21
Applicant: 松下电子工业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822 , H01G4/08
CPC classification number: H01L28/40
Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，包括：在半导体基片(21)的绝缘膜(21a)上、使电容绝缘膜(23)的端部位于下电极(22)的端部和上电极(24)的端部之间、形成电容元件(25)，形成覆盖电容元件的保护膜(26)，通过到达在保护膜上形成的下电极上的第一开口(27a)和上电极上的第二开口(27b)、将电极布线(28)分别连接到下电极和上电极上。借助于电容绝缘膜的端部超出上电极的端部，形成不使用由于干式蚀刻而损伤的电容绝缘膜的端部的电容元件。
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