公开(公告)号：CN1183647A

公开(公告)日：1998-06-03

申请号：CN97119623.0

申请日：1997-09-26

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 田恭博 ,  中尾圭策 ,  井上敦雄 ,  吾妻正道 ,  藤井英治

IPC: H01L27/04

CPC classification number: G11C29/50016 ,  G11C11/22 ,  G11C29/50 ,  G11C2029/5002

Abstract: 在本发明的半导体存储器的加速试验方法中,求出在某个温度T1下的信息保持寿命时间t1等于另一个温度条件T2下的信息保持寿命时间t2的乘幂的关系式,t1=t2m,而且用与玻尔兹曼因子成比例的温度的函数表示幂指数m。基于该关系式从某个温度T1下的信息保持寿命时间t1来计算另一个温度T2下的信息保持寿命时间t2。

公开(公告)号：CN1038210C

公开(公告)日：1998-04-29

申请号：CN94109461.8

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻达男

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/70 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置，一种是形成膜中水份含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的，还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成，可在减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流，防止绝缘耐压变差。

公开(公告)号：CN1128406A

公开(公告)日：1996-08-07

申请号：CN95107541.1

申请日：1995-06-28

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 田恭博 ,  井上敦雄 ,  有田浩二 ,  那须徹 ,  长野能久 ,  松田明浩

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件，该器件的构成包括：形成集成电路的硅基片1，在基片1上形成的第1绝缘膜6，由在第1绝缘膜6上形成的下电极7、有高介电常数的电介质膜8和上电极9组成的电容，覆盖电容且具有各自达到下电极7和上电极9的接触孔13的第2绝缘膜11，在接触孔13的底部与下电极7和上电极9连结的扩散阻挡层17和在其上形成的布线层。在所述接触孔13底部的扩散阻挡层17中形成由粒状晶组成的层状区域。

公开(公告)号：CN1129354A

公开(公告)日：1996-08-21

申请号：CN95119333.3

申请日：1995-11-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 上本康裕 ,  藤井英治 ,  有田浩二 ,  长野能久 ,  田恭博 ,  吾妻正道 ,  井上敦雄 ,  井筒康文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L28/40 ,  H01L28/56

Abstract: 本发明揭示一种集成电路用电容元件及其制造方法。该方法包括：在基片上形成钛膜的粘接层，在该粘接层表面区域注入氧离子后进行热处理，从而形成氧化钛和扩散阻挡层，以及在该扩散阻挡层上依次形成下电极、强介质膜和上电极等工序。

公开(公告)号：CN1102731A

公开(公告)日：1995-05-17

申请号：CN94109461.8

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久

IPC: H01L27/00 ,  H01L27/10 ,  H01L21/70 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置，一种是形成膜中水分含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的，还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成，可以减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流，防止绝缘耐压变差。

公开(公告)号：CN1189687A

公开(公告)日：1998-08-05

申请号：CN97121332.1

申请日：1994-08-05

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 有田浩二 ,  藤井英治 ,  田恭博 ,  上本康裕 ,  那须徹 ,  松田明浩 ,  长野能久 ,  井上敦雄 ,  松浦武敏 ,  大槻达男

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/324 ,  H01L21/30 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/11585 ,  H01L27/1159 ,  H01L28/40 ,  H01L28/55 ,  H01L28/60 ,  H01L28/75 ,  Y10S438/958

Abstract: 本发明提供一种在形成有集成电路的半导体基板上通过层间绝缘膜形成电容元件的半导体装置。这种半导体装置,一种是形成膜中水分含量在0.5克/cm3以下的层间绝缘膜来覆盖电容元件的,还有另一种是形成氢含量在1021/cm3以下的保护膜来覆盖集成电路和电容元件的电极配线的。通过这样构成,可以减小构成电容元件电容绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的泄漏电流,防止绝缘耐压变差。

公开(公告)号：CN1112289A

公开(公告)日：1995-11-22

申请号：CN95103180.5

申请日：1995-03-30

Applicant: 松下电子工业株式会社

Inventor： 松元省二 ,  长野能久 ,  田恭博 ,  井筒康文

IPC: H01L21/302

CPC classification number: H01L28/40

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件的制造方法，其工序包括，在硅基片上形成氧化硅膜、第1白金膜、介质以及第2白金膜，在1～5Pa低压范围，用溴化氢和氧的混合气体作为蚀刻气体，通过抗蚀保护层膜干刻白金膜及介质。露出第1白金膜时，在5～50Pa高压范围，刻除第1白金膜上未蚀介质后，再在低压范围内干刻第1白金膜，从而在半导体集成电路芯片上形成由上电极、电容绝缘膜和下电极构成的电容元件。此方法解决了掩膜图案清晰度差和电路元件工作欠佳等问题。