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公开(公告)号：CN103717528B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201280035978.0
申请日：2012-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/161 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01B3/004 , C01B32/184 , C01B32/23 , H01B13/18 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明的氧化碳薄膜的制造方法，包括：准备碳薄膜和与碳薄膜接触且含有Cu2O和CuO的混合体的铜氧化物的第一步骤；和通过在碳薄膜与铜氧化物之间施加以碳薄膜一侧为正的电压或电流，使碳薄膜的与铜氧化物接触的部分氧化而使其变化为由氧化碳构成的氧化部，从而形成具有氧化部的氧化碳薄膜的第二步骤。该制造方法是在以石墨烯为代表的碳薄膜形成纳米数量级的图案的方法，能够作为用于制造电子器件的工艺技术的通用的应用。
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公开(公告)号：CN100365843C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN02803898.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/193
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供由电压驱动的自旋开关，该自旋开关包含：强磁性体、与其磁耦合的磁性半导体、与磁性半导体磁耦合的反强磁性体、和经绝缘体与磁性半导体连接的电极，通过电极电压的变化，磁性半导体在强磁性和顺磁性之间可逆地变化，在使磁性半导体向强磁性变化时，强磁性体通过与所述磁性半导体磁耦合而在规定方向被磁化。
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公开(公告)号：CN1281969C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100-aXa表示的铁磁材料M-X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为Xb1Xc2Xd3(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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公开(公告)号：CN1340867A
公开(公告)日：2002-03-20
申请号：CN01137079.3
申请日：2001-08-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L27/228 , H01L43/12 , Y10T428/1107 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
Abstract: 本发明提供包括中间层和夹持该中间层的一对磁性层,磁性层中的自由磁性层或者固定磁性层是至少由1层非磁性体层,夹持上述非磁性体层的磁性体层构成的多层膜,而且作为垂直于膜面流过的电流通过的上述中间层的面积所规定的元件面积是1000μm2以下的磁阻元件。
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公开(公告)号：CN102792478B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201180011721.7
申请日：2011-08-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/10 , G01R33/09 , G11B5/39 , H01F10/16 , H01F10/30 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/3286 , H01F10/329 , H01F41/302 , H01L43/10
Abstract: 本发明的磁性隧道结元件包括第一强磁性体层、第二强磁性体层、以及在第一强磁性体层与第二强磁性体层之间形成的绝缘体层。绝缘体层由添加有氟的MgO构成。绝缘体层的氟的添加量为0.00487atm%以上0.15080atm%以下。该元件具有MgO绝缘体层，并且与现有的具有MgO绝缘体层的元件相比表现出高的磁阻变化特性。优选氟的添加量为0.00487atm%以上0.05256atm%以下。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103717528A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201280035978.0
申请日：2012-07-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/161 , H01L29/786 , H01L51/05
CPC classification number: H01B3/004 , C01B32/184 , C01B32/23 , H01B13/18 , H01L29/66742 , H01L29/78684 , Y10T428/24802 , Y10T428/24851
Abstract: 本发明的氧化碳薄膜的制造方法，包括：准备碳薄膜和与碳薄膜接触且含有Cu2O和CuO的混合体的铜氧化物的第一步骤；和通过在碳薄膜与铜氧化物之间施加以碳薄膜一侧为正的电压或电流，使碳薄膜的与铜氧化物接触的部分氧化而使其变化为由氧化碳构成的氧化部，从而形成具有氧化部的氧化碳薄膜的第二步骤。该制造方法是在以石墨烯为代表的碳薄膜形成纳米数量级的图案的方法，能够作为用于制造电子器件的工艺技术的通用的应用。
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公开(公告)号：CN103650120A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280034140.X
申请日：2012-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/316 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/82
CPC classification number: H01L29/1606 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C23C14/06 , C23C14/0694 , C23C14/081 , C23C14/3407 , C23C14/352 , H01L21/02175 , H01L21/02266 , H01L43/08 , Y10T428/30
Abstract: 本发明的膜结构体（碳-绝缘膜结构体）具备碳和配置在该碳上的、由添加有氟的氧化镁构成的绝缘膜。氧化镁中的氟的添加量为0.0049原子百分比以上0.1508原子百分比以下。该膜结构体有助于使用以石墨烯为代表的碳的电子器件、例如自旋器件的实现。该膜结构体例如通过使用含有氧化镁和氟化镁的靶的溅射形成。
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公开(公告)号：CN100466322C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN02803917.3
申请日：2002-01-18
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L43/08 , H01L27/105 , G11C11/14 , G11C11/15
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11C11/15 , G11C11/16 , H01F10/32 , H01F10/3213 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01L27/222 , H01L29/66984
Abstract: 本发明提供一种磁存储元件，包含磁电阻元件、用于发生使所述该元件的电阻值变化的磁束的导线、和该磁束通过的至少一个强磁性体，强磁性体形成磁隙，在该磁隙，磁束通过上述元件，并且以下关系式a)～c)成立。a)M1≤2Lg，b)Lw/Ly≤5和Ly/Lt≥5的至少之一，c)Ly≤1.0μm。其中，M1为沿平行于磁隙方向测定的元件的长度，Lg为磁隙的长度，Lt为强磁性体的厚度，Lw为强磁性体在导线延伸方向上的长度，Ly为磁束通过强磁性体内的距离。本发明还提供一种与该元件一样、有助于存储器高容量化的另外的元件等。
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公开(公告)号：CN1910810A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002987.X
申请日：2005-02-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02N11/00
CPC classification number: B25J9/1095 , H02N11/006 , Y10S310/80 , Y10T156/1043
Abstract: 本发明作为家务服务、办公服务或护理服务等中可以使用的机械手等的驱动源，提供驱动源自身小型、轻量并且柔软而安全的促动器及其平板状电极支撑体的制造方法。是在设置了导电性聚合物层(3)的电极(1)和对置电极(2)之间具有与导电性聚合物层接触的电解质层(4)，通过向两电极间施加电场而使导电性聚合物层膨胀收缩变形的促动器，该促动器的设置了导电性聚合物层的电极是被图案处理成在作为导电性聚合物层的伸缩方向的长边方向上成为低刚性的平板状电极。
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公开(公告)号：CN1503912A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN02808235.4
申请日：2002-04-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , G11B5/3916 , G11B2005/3996 , H01F10/3204 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01F10/3268 , H01F10/3295 , Y10T428/115
Abstract: 本发明提供了MR比和热稳定性优良的磁阻(MR)元件，它所含的至少一个磁层包括由M100－aXa表示的铁磁材料M－X。此时，M是选自Fe、Co和Ni中的至少一种，X表示为X1b2cX3d(X1是选自Cu、Ru、Rh、Pd、Ag、Os、Ir、Pt和Au中的至少一种，X2是选自Al、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Ga、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta、W、Re、Zn和镧系元素中的至少一种，并且X3是选自Si、B、C、N、O、P和S中的至少一种)，并且a、b、c和d满足0.05≤a≤60，0≤b≤60，0≤c≤30，0≤d≤20，并且a＝b+c+d。
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