公开(公告)号：CN107851969B

公开(公告)日：2021-02-09

申请号：CN201680042974.3

申请日：2016-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  今藤修 ,  能崎信一郎 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1‑xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。

公开(公告)号：CN107851969A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680042974.3

申请日：2016-07-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口真生 ,  今藤修 ,  能崎信一郎 ,  萩野裕幸

IPC: H01S5/343

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件。氮化物半导体激光元件在p侧光导层与p型包覆层之间具有电子势垒层。电子势垒层的带隙能量比p型包覆层大。p侧光导层由不含In的AlxGa1-xN(0≤x＜1)构成。此外，n侧光导层的膜厚dn和p侧光导层的膜厚dp满足dp≥0.25μm且dn≥dp的关系。

公开(公告)号：CN103503174A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021162.2

申请日：2012-04-12

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大野启 ,  山中一彦 ,  折田贤儿 ,  能崎信一郎

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/0045 ,  G02F1/133603 ,  H01L33/20 ,  H01L33/30 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明涉及的超辐射发光二极管(100)，在衬底(10)上具备至少以下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)的顺序来包含这些层的层叠体，层叠体，具有折射率波导型的光波导(21)。光波导(21)包含：第一台面部(31)，通过加工上部覆盖层(16)而被形成为具有第一宽度；以及第二台面部(32)，通过加工下部覆盖层(12)、发光层(14)以及上部覆盖层(16)而被形成为具有作为比第一宽度大的宽度的第二宽度。