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公开(公告)号：CN113387323B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202110564032.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。
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公开(公告)号：CN113414498A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110649216.0
申请日：2021-06-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B23K26/362 , B23K26/402 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种超声辅助激光烧蚀聚合物表面成形的制备系统及方法，方法包括S1、将基板安装于三维微位移平台上表面，将聚合物安装于基板上表面，将基板与超生振动装置连接；S2、将保护罩安装于基板上表面以包围聚合物，闭合保护罩顶部，抽出罩内气体，真空后持续输入惰性气体至罩内；S3、打开超声振动装置以使基板产生超声振动，并将超声振动传递至聚合物；S4、打开保护罩顶部，控制激光发生装置发出相应角度激光以对聚合物进行烧蚀；S5、控制三维微位移平台位移，以间接控制激光烧蚀的扫描速率、方向，以在聚合物上制备相应的烧蚀结构。本发明优点为利用超声波效应释放聚合物残余内应力，使聚合物不同区域成分更加均匀，表面微结构成形更稳定。
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公开(公告)号：CN110346137B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910535867.X
申请日：2019-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01M13/04
Abstract: 本发明公开了用于气浮球轴承承载特性测试的自动连续动态加载方法。现有气浮球轴承性能检测承载力无法连续加载。本发明能够使用计算机经控制器控制加载装置根据实验需求施加连续可调的动态加载力，在实验过程中可以设置任意的动态信号，如正弦信号、方波信号、斜坡信号等，根据不同的输入信号产生不同的承载力，实现不同承载力作用下的气浮球轴承性能参数测量；并且，当输入恒值信号时，加载机构输出恒定连续加载力，可测量恒值加载作用下的轴承动态特性；通过计算机对测量数据的实时记录分析可实现在线检测。本发明可模拟气浮球轴承不同工作状态下的承载特性。
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公开(公告)号：CN112028076A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010921828.6
申请日：2020-09-04
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B33/02
Abstract: 本发明属于微纳米制造领域，尤其涉及一种基于高温及电-声耦合作用的微纳空心球制备方法，包括步骤：S1、对微纳米数量级硅球进行离子刻蚀，以在微纳米数量级硅球表面形成多个凹槽；S2、对经过离子刻蚀的微纳米数量级硅球进行温度场、超声场以及电场的耦合作用，以形成微纳米数量级空心硅球。本发明的制备方法不需要预先制备模板，提高了微纳米数量级空心球的制造效率，并且不需要使用大量化学药剂，绿色无污染，另外，微纳米数量级硅球内形成的空心结构的位置、形状可控，因此加工制造的柔性较大，而且有了电场介入，空心结构的成型过程中温度场所需提供的温度降低，因此整个成型过程能耗更低。
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公开(公告)号：CN111825056A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010692685.6
申请日：2020-07-17
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于微纳米制造领域，尤其涉及一种基于飞秒激光与高温成型悬臂梁探针的方法及悬臂梁探针。其成型方法包括步骤：S1、将尺寸为微纳米数量级的硅基板放置于显微镜下；S2、对所述硅基板的表面进行离子刻蚀，形成若干个孔；S3、对离子刻蚀后的硅基板进行高温成型，以在硅基板内部形成空腔，得到内部含有空腔的悬臂梁；S4、将所述内部含有空腔的悬臂梁的一端固定，调节飞秒激光性能参数，在悬臂梁的另一端利用飞秒激光进行探针的成型。本发明制造悬臂梁探针的方法简易有效，省去了采购昂贵的试验设备所需的成本，并且悬臂梁内部含有空腔，提高了悬臂梁探针的谐振频率，从而提高了悬臂梁探针的探测精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111705361A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010543296.7
申请日：2020-06-15
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种内部球形空腔阵列稳定成形的三维光子晶体制备方法，包括步骤：S1：在硅基光子晶体表面离子刻蚀出规则排列的二维阵列微孔；S2：采用两块水平的钼板作为电场的两个电极板，钼板电极分别与直流电源连接；S3：将硅片样品放置在水平管式炉的高温加热区内，保证管内真空环境，向管内通入一定流量的纯氩气；S4：将钼板放置在水平管式炉的上下两侧；S5：调节直流电压控制电场强度，并进行热处理。本发明在温度场的基础上，拟通过引入电场，通过调节电场强度、方向、作用时间等参数，利用热-电耦合抵消内部机械应力，来保障硅基内部结构的稳定成形。
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公开(公告)号：CN111312343B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202010031138.3
申请日：2020-01-13
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G16C60/00
Abstract: 本发明公开了基于分子动力学的复合材料优化的方法，包括：S1.根据分子动力学模拟方法对纯PMMA分子链进行建模得到纯PMMA无定型晶胞，计算纯PMMA无定型晶胞的力学性能；S2.根据分子动力学模拟方法对不同直径的纳米SiO2粒子进行建模得到不同直径的纳米SiO2粒子模型；S3.根据分子动力学模拟方法将纳米SiO2粒子和PMMA分子链进行复制并传送到晶胞内，构建PMMA/SiO2复合材料无定型晶胞；S4.对所述纳米SiO2粒子进行改性，将改性后的纳米SiO2粒子和PMMA分子链进行复制并传送到晶胞内，构建PMMA/改性SiO2复合材料无定型晶胞；S5.计算PMMA/SiO2复合材料与PMMA/改性SiO2复合材料的力学性能；将计算得到的PMMA/SiO2复合材料的力学性能、PMMA/改性SiO2复合材料的力学性能分别与纯PMMA无定型晶胞的力学性能进行比较，得到结果。
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公开(公告)号：CN111771536A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010738251.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: A01D46/04
Abstract: 本发明属于茶叶采集装置技术领域，具体涉及茶叶嫩芽采摘机及方法。包括机箱、设于机箱内的茶叶提采模块、分别设于机箱两端上的导槽板、设于机箱一侧上的驱动电机；所述机箱上设有进料口，所述进料口处设有软质筛帘；所述茶叶提采模块包括设于导槽板上的底板和转盘、设于转盘上的提采杆和主轴；所述主轴与驱动电机连接；所述提采杆与底板之间留有用于采摘茶叶的间隙。本发明利用茶叶提采模块中的提采杆，带动茶叶与底板形成相对运动，基于提采杆与底板间的摩擦力差异，依靠静摩擦仿人工提采法实现茶叶嫩芽的采摘过程。本发明具有节约成本、操作简便、能够进行高效率机械化采茶以及能够更好的保护茶叶嫩芽不被破损的特点。
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公开(公告)号：CN111771536B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202010738251.5
申请日：2020-07-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: A01D46/04
Abstract: 本发明属于茶叶采集装置技术领域，具体涉及茶叶嫩芽采摘机及方法。包括机箱、设于机箱内的茶叶提采模块、分别设于机箱两端上的导槽板、设于机箱一侧上的驱动电机；所述机箱上设有进料口，所述进料口处设有软质筛帘；所述茶叶提采模块包括设于导槽板上的底板和转盘、设于转盘上的提采杆和主轴；所述主轴与驱动电机连接；所述提采杆与底板之间留有用于采摘茶叶的间隙。本发明利用茶叶提采模块中的提采杆，带动茶叶与底板形成相对运动，基于提采杆与底板间的摩擦力差异，依靠静摩擦仿人工提采法实现茶叶嫩芽的采摘过程。本发明具有节约成本、操作简便、能够进行高效率机械化采茶以及能够更好的保护茶叶嫩芽不被破损的特点。
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公开(公告)号：CN113387323A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110564032.4
申请日：2021-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于电场控制Ag2Ga纳米针阵列成形的制备方法，包括步骤：S1、通过光刻、蚀刻以在第一硅基板表面阵列形成针尖结构；S2、在针尖结构的尖端处镀一层镉薄膜和银薄膜，以形成探针阵列硅基底；S3、在第二硅基板表面涂覆一层镓膜，并进行加热以使镓膜成为液态，以形成镓膜衬底；S4、将镓膜衬底滑动连接于水平滑轨上；S5、将探针阵列硅基底滑动连接于垂直滑轨上；S6、对镓膜衬底与探针阵列硅基底接通直流电源，以形成电场；S7、通过控制电场强度，以及镓膜衬底、探针阵列硅基底于水平滑轨、垂直滑轨上的滑动方向、滑动速度，以在探针阵列硅基底与镓膜衬底之间形成相应形状的Ag2Ga纳米针。本发明实现了Ag2Ga纳米针阵列成形且形状可控。
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