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公开(公告)号:CN112028076A
公开(公告)日:2020-12-04
申请号:CN202010921828.6
申请日:2020-09-04
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B33/02
Abstract: 本发明属于微纳米制造领域,尤其涉及一种基于高温及电-声耦合作用的微纳空心球制备方法,包括步骤:S1、对微纳米数量级硅球进行离子刻蚀,以在微纳米数量级硅球表面形成多个凹槽;S2、对经过离子刻蚀的微纳米数量级硅球进行温度场、超声场以及电场的耦合作用,以形成微纳米数量级空心硅球。本发明的制备方法不需要预先制备模板,提高了微纳米数量级空心球的制造效率,并且不需要使用大量化学药剂,绿色无污染,另外,微纳米数量级硅球内形成的空心结构的位置、形状可控,因此加工制造的柔性较大,而且有了电场介入,空心结构的成型过程中温度场所需提供的温度降低,因此整个成型过程能耗更低。