公开(公告)号：CN105895521A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610161102.0

申请日：2016-03-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵士超 ,  张琪 ,  张志豪 ,  吕燕飞 ,  金圣忠 ,  王昕

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。

公开(公告)号：CN105895521B

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201610161102.0

申请日：2016-03-21

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 赵士超 ,  张琪 ,  张志豪 ,  吕燕飞 ,  金圣忠 ,  王昕

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种氧化硅刻蚀的方法。软光刻技术相对于传统光刻技术，具有方便灵活易于实现的优点，不仅如此它还能用于刻蚀复杂的空间三维结构。光刻中常用的刻蚀剂是氢氟酸，氢氟酸具有很强的腐蚀性和毒性，在条件一般的实验室中是不适合应用的。寻找氢氟酸的替代物，减小因暴露于氢氟酸环境中造成的危害，对于光刻来说是有意义的。本专利通过压印技术将氟化物转移至目标基底并在简单条件下实现了光刻，专利中利用低毒性的氟化物代替高毒性的氢氟酸在实现光刻的同时降低了氢氟酸的危害。