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公开(公告)号：CN113667934B
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202110816328.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，为了克服现有磁性材料可调控性能低，二维磁性材料磁性调节可重复性差的不足，公开一种磁性可控的二维磁性复合材料及其制备方法。底衬层与磁性层之间通过耦合作用力连接，当温度改变时会影响底衬层内部状态的改变，底衬层受到内力作用，进而会对磁性层施加应力，这种应力作用于磁性层，则会表现出磁学特性的变化。只需要控制温度就可以达到力的作用过程的可逆性，因而便实现了从调控温度的角度对磁性层磁性强弱的调控。
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公开(公告)号：CN114864205A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210462076.0
申请日：2022-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维磁性材料技术领域，涉及一种通过小分子化学吸附调控二维磁性材料的方法，包括以下步骤；步骤一，二维磁性材料的剥离与转移；步骤二，7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷(TCNQ)溶液的配制；步骤三，TCNQ分子的表面铺展。本发明利用二维材料表面的有机小分子吸附形成有机‑无机杂化复合物，提高了复合物的综合磁性能，解决了二维材料居里温度低，磁性调节可控性差等缺点，形成的复合物居里温度高，在自旋电子学领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN113667934A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110816328.0
申请日：2021-07-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及磁性材料领域，为了克服现有磁性材料可调控性能低，二维磁性材料磁性调节可重复性差的不足，公开一种磁性可控的二维磁性复合材料及其制备方法。底衬层与磁性层之间通过耦合作用力连接，当温度改变时会影响底衬层内部状态的改变，底衬层受到内力作用，进而会对磁性层施加应力，这种应力作用于磁性层，则会表现出磁学特性的变化。只需要控制温度就可以达到力的作用过程的可逆性，因而便实现了从调控温度的角度对磁性层磁性强弱的调控。
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公开(公告)号：CN113363376B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202110413399.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。
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公开(公告)号：CN113363376A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110413399.6
申请日：2021-04-16
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及二维磁性材料领域，针对目前二维铁磁材料通过离子栅调控等优化磁性的方法存在磁性弱，可重复性、可逆性差的缺点，公开一种二维铁磁材料的磁性可控调节方法，包括将二维铁磁材料薄片放置在硬质衬底上；制备包覆二维铁磁材料的高模量的高分子致密膜；在高分子致密膜表面粘附高分子柔性衬底，然后将高分子柔性衬底连带高分子致密膜、二维铁磁材料整体从硬质衬底上剥离得到柔性基板；在高分子柔性衬底侧对柔性基板施加弯曲应力，调控柔性基板的弯曲半径对二维铁磁材料磁性进行连续可控调节。本发明的方法可实现二维铁磁材料的可控、可逆且连续磁性调节，二维铁磁材料的磁性强度高，同时还能提升居里温度。
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