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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118843385A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410824791.3
申请日：2024-06-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明申请公开一种周期性铁电畴结构及其快速制备方法。周期性铁电畴结构包括多个纳米级铁电畴，和分布在纳米级铁电畴之间的相结构，使得多个纳米级铁电畴与相结构呈周期性交替分布，自发形成多相共存结构，所述相结构为顺电相，且该多个纳米级铁电畴以条带状排布于一二维铁电薄膜内。本发明还提供该周期性铁电畴结构的快速制备方法，其通过向一二维铁电薄膜施加一预定大小的温度场，在导热率良好的衬底导热作用下，二维铁电薄膜内可自发形成周期性铁电畴结构。该周期性铁电畴结构的制备方法具有制备效果好、制备效率高、制作工艺简单的优点。
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公开(公告)号：CN115924928B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211444287.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。
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公开(公告)号：CN116487479A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310456234.6
申请日：2023-04-25
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0296 , H10N50/01
Abstract: 本发明属于二维光电材料技术领域，涉及一种增强低维半导体光电性能的方法，包括以下步骤；二维磁性材料和低维半导体材料晶体的制取；薄层二维磁性材料和低维半导体材料的分离；薄层二维磁性材料和低维半导体材料光电异质结的构筑。本发明利用二维磁性材料的自旋注入，通过低维半导体与磁性材料的影响，提高了低维半导体材料的光电性能，为提高低维半导体光电性能提供了一种新型简易的方法。
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公开(公告)号：CN118402775A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410517523.7
申请日：2024-04-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: A61B5/08 , A61B5/1455 , G01N21/27 , G01N21/31
Abstract: 本发明提出了一种光电传感式呼吸监测方法，以光电传感为基础，进行呼吸监测的新型策略，克服了现有呼吸监测设备体积较大，应用场景具有很大的局限性，呼吸波形的输出解析也比较困难的问题。结合二维材料本身轻量化、高解析度、高灵敏度等多种优势，本发明还提供了光电传感式呼吸监测传感器，包括厚度在30nm以下的二维材料、第一电极、第二电极；第一电极、第二电极之间通过所述二维材料连接；所述传感器通过所述第一电极与第二电极输出光电流；当所述光信号发生变化时，所述光电流相应发生变化，从而实现对呼吸的监测，为便携式呼吸传感应用提供了全新思路。
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公开(公告)号：CN115924928A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211444287.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。
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