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公开(公告)号：CN112562959B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011503525.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于低温磁制冷材料技术领域，涉及一种稀土二聚体配位聚合物低温磁制冷材料及制备方法。其组成式为Ln2(L)2(DMF)4；其中，Ln为镧系稀土金属Gd，Tb，Dy，Ho中的一种或两种,L为脱质子后的5‑(4‑羧基苯甲氧基)间苯二甲酸，DMF为N,N‑二甲基甲酰胺。该聚合物属单斜晶系、C2/c空间群，具有三维层堆积状结构，其最小不对称单元由两个稀土金属阳离子，两个配体阴离子和两个DNF分子组成。材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为7.2‑26.4J/kg K。其化学稳定性好，该类稀土二聚体配位聚合物制备方法简单，磁热性能大，重复性好，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN113929446B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202111114584.1
申请日：2021-09-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C04B35/40 , C04B35/45 , C04B35/453 , C04B35/622 , H01F1/01 , H01F41/02
Abstract: 本发明公开了一种稀土钙钛矿高熵氧化物材料及其制备方法与应用，其中RE为稀土Gd，Tb，Dy，Ho，Er中的二种或三种且各组成元素摩尔含量范围为25％‑55％、总含量为100％，TM为Mn，Fe，Co，Cu，Ni，Zn，Al，Cr中的三种或四种且各组成元素摩尔含量范围为20％‑35％、总含量为100％；RETMO3材料为单相正交钙钛矿结构，属于Pnma空间群。RETMO3高熵氧化物材料在0～5T的外场变化下，其等温磁熵变为13.6‑18.2J/kg K。本发明制备的RETMO3高熵氧化物材料应用于低温区磁制冷领域，所需设备简单，工艺简洁可靠，所得产物纯度高稳定性好，适合工业化生产。
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公开(公告)号：CN112562959A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011503525.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于低温磁制冷材料技术领域，涉及一种稀土二聚体配位聚合物低温磁制冷材料及制备方法。其组成式为Ln2(L)2(DMF)4；其中，Ln为镧系稀土金属Gd，Tb，Dy，Ho中的一种或两种,L为脱质子后的5‑(4‑羧基苯甲氧基)间苯二甲酸，DMF为N,N‑二甲基甲酰胺。该聚合物属单斜晶系、C2/c空间群，具有三维层堆积状结构，其最小不对称单元由两个稀土金属阳离子，两个配体阴离子和两个DNF分子组成。材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为7.2‑26.4J/kg K。其化学稳定性好，该类稀土二聚体配位聚合物制备方法简单，磁热性能大，重复性好，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112795832B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202011551726.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C33/04 , C22C38/04 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/16 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C30B29/52 , C09K5/06 , F25B21/00
Abstract: 本发明公开了一种稀土铁硼基磁制冷材料及其制备方法与应用，其特征在于化学通式为：La1‑xRExFe12‑yTyB6；为SrNi12B6型晶体结构，属于空间群，其中RE为轻稀土Pr、Nd、Sm、Y中的一者或两者之间的混合，T为过渡金属Co、Ni、Mn、Cu、Al、Cr、Zn中的一种或者多种的混合，0.03≤x≤0.5，0≤y≤3。本发明稀土铁硼材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为10.2‑16.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为12.5‑20.3J/kgK。本发明稀土铁硼材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、原料价格低廉，适用于工业化生产与应用。
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公开(公告)号：CN112795832A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011551726.6
申请日：2020-12-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C22C33/04 , C22C38/04 , C22C38/08 , C22C38/10 , C22C38/16 , C21D1/26 , C21D1/773 , C21D6/00 , C30B29/52 , C09K5/06 , F25B21/00
Abstract: 本发明公开了一种稀土铁硼基磁制冷材料及其制备方法与应用，其特征在于化学通式为：La1‑xRExFe12‑yTyB6；为SrNi12B6型晶体结构，属于空间群，其中RE为轻稀土Pr、Nd、Sm、Y中的一者或两者之间的混合，T为过渡金属Co、Ni、Mn、Cu、Al、Cr、Zn中的一种或者多种的混合，0.03≤x≤0.5，0≤y≤3。本发明稀土铁硼材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为10.2‑16.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为12.5‑20.3J/kgK。本发明稀土铁硼材料采用常规技术手段制备，该方法工艺简单、原料价格低廉，适用于工业化生产与应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115924928B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202211444287.8
申请日：2022-11-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于二维反铁磁磁性材料制备技术领域，涉及一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，包括以下步骤：步骤一，过渡族金属硼化物块体准备、配制电解液；步骤二，过渡族金属硼化物的电化学剥离；步骤三，二维金属硼化物的提纯与干燥。本发明发现了一种通过具有反铁磁、半导体特性的二维金属硼化物的制备方法，可通过块体减薄所获得的薄层结构具备室温反铁磁的特性，同时解决了其金属向半导体转化的难题，形成的二维金属硼化物相变温度高，为未来在自旋电子学领域的发展提供了更多的种类。
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公开(公告)号：CN115020053B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210619526.2
申请日：2022-06-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于稀土磁性功能材料技术领域，本发明提供的应用于磁制冷的R2TiNiO6稀土氧化物，其中R为Gd，Tb和Dy中的一种或两种，所述R2TiNiO6氧化物为单斜型晶体结构，属于P21c空间群；所述R2TiNiO6氧化物在0T～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.8J/kgK～32.5J/kgK，在0T～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为15.9J/kgK～43.8J/kgK。本发明具有原材料成本低廉、制备方法简单、以及良好的磁、热可逆性质。该方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN114974773A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210786148.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种立方型钆基双钙钛矿磁制冷材料，包括立方型钆基双钙钛矿磁制冷材料，所述立方型钆基双钙钛矿磁制冷材料的化学式为MBa2GdO6，其中M为Nb、Ta、Bi中的一种或两种。通过将NbCl5或TaCl5或Bi(NO3)3·5H2O中的一种或两种与Ba(NO3)2、Gd2(NO3)3·6H2O和柠檬酸(C6H8O7)混合、加热搅拌、干燥、煅烧、退火冷却得到成品。本发明采用上述一种立方型钆基双钙钛矿磁制冷材料及其制备方法，材料化学稳定性好，相较于稀土金属间化合物而言，制备工艺简单，制备工艺与固相法相比，过程简单有效，合成的粉末颗粒细小，提高了产量，降低了成本，可用于工业化批量生产。
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公开(公告)号：CN113571277A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110863861.2
申请日：2021-07-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明是一种应用于低温磁制冷的稀土RE2BaZnO5材料及制备方法，RE为稀土Gd，Dy，Ho，Er中的一种或两种；在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为2.22‑11.16J/kg K，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为10.28‑16.91J/kg K；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为13.55‑19.59J/kg K。首先将原料和柠檬酸按照比例溶解在去离子水中，将溶解后的液体放入鼓风干燥箱中干燥得到粉末状样品，最后将得到的粉末状样品煅烧，研磨再退火后得到成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域，成品化学稳定性好，制备方法工艺简单，对制备时间安排要求不苛刻，重复性好，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN118222945A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410333555.1
申请日：2024-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，属于磁制冷材料技术领域。高熵非晶磁制冷材料分子式为GdaMbM’cTdT’e，a、b、c、d、e为原子百分含量，22≤a≤28，10≤b，c≤30，10≤d，e≤25，a+b+c+d+e＝100；其中M、M’均为Fe、Co、Ni、Cu、Zn中的一种，并且M与M’不相同；T、T’均为B、C、Al、Si中的一种，并且T与T’不相同。Gd元素的质量百分比低于30％。高熵非晶磁制冷材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为11.1J/kgK～15.6J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变最大值为14.2J/kgK～19.5J/kgK；磁转变温度为20K～40K。本发明采用上述低稀土含量高熵非晶磁制冷材料及其制备方法和应用，能够解决现有的高熵非晶合金磁熵变低，成本高的问题。
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