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公开(公告)号：CN115036379B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202210566289.8
申请日：2022-05-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/0336 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，提供了一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器及其制作方法，分为以下四步：(1)制备单层二硫化钼薄膜；(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料；(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；(4)制备基于(3)中材料的光电探测器。通过引入钛酸钡纳米颗粒与二硫化钼复合后构筑纳米卷结构，可以显著提升二硫化钼的光响应度，从而得到一种具有高光响应度的光电探测器件。同时该探测器具有良好的环境稳定性，且所用原料绿色环保，所用设备简单，制备容易，成本低廉，易于大规模制备。
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公开(公告)号：CN113488559B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN202110754311.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法，包括单晶LiNbO3，形成于单晶LiNbO3表面的层状MoS2层，与MoS2层部分重叠的p型材料层，以及电极，所述电极放置于单晶LiNbO3，MoS2层、p型材料以及MoS2层与p型材料重叠部分的上方或者包括p型硅基衬底，HfO2层，MoS2二维材料层，LiNbO3晶态薄膜与电极，所述HfO2层部分覆盖硅基衬底，所述MoS2二维材料层与所述HfO2层部分重叠，所述LiNbO3晶态薄膜设置于MoS2二维材料层和HfO2层重叠部分上。本发明采用LiNbO3来增强MoS2二维材料的光电性能，可以降低工艺成本；相比传统的调制器，用MoS2/LiNbO3复合型光收发器插损降低，对硅的依赖性降低，无需控制硅成分严格控制，只要通过异质结堆叠步骤，可以获得低功耗、小体积的光收发器。
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公开(公告)号：CN110375635A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910561287.8
申请日：2019-06-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于优化三维柔性应变传感器及制备方法，本发明在一个长方体的石墨烯泡沫的一个顶面，在顶面的中心开有一个直径2毫米的通孔；石墨烯泡沫上设有两个外接电极，并通过外接导线引出，石墨烯泡沫内由聚合物填充。本发明在三维敏感材料中构筑一个毫米尺度的孔洞，使得该敏感材料具有更多脆弱点，在微弱应变下更容易发生结构的损坏，引起电信号的明显变化。工艺简单，且在较低成本下即可实现三维柔性应变传感器的灵敏度优化。
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公开(公告)号：CN119742223A
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202411967635.9
申请日：2024-12-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种二维氮化铟氧化铟复合结构的制备方法及产品，针对二维氧化铟直接氮化成氮化铟比较困难，需要较高的合成温度，而InN材料的热分解温度较低的问题，本发明在氮化前引入溴化氢熏蒸步骤，将二维氧化铟转化成更易被氮化的溴化铟，降低了合成温度，解决氧化铟不易氮化的问题，在无害氮源下完成二维氮化铟‑氧化铟复合材料的大尺度合成，以便于后续器件的加工制作。
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公开(公告)号：CN113957527B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113465490B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN115142134A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210781925.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于氮化镓制备领域，为解决如何使用无毒无害的氮源用以制备尺寸较大、厚度较小的二维氮化镓材料的问题，本发明提供一种镓基液态金属辅助制备二维氮化镓的方法，本技术方案通过化学气相沉积实现，包含三步：(1)使用镓基液态金属在氧化硅片上制得二维氧化镓薄膜；(2)将二维氧化镓薄膜与氮源尿素(CH4N2O)置于管式炉中；(3)在氧化硅基底上发生化学反应并产生二维氮化镓薄膜。使用本发明提供的技术方案制备的二维氮化镓表面平整度良好、尺寸较大，便于商业化生产。
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公开(公告)号：CN114222493A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111605726.4
申请日：2021-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽材料领域，为解决传统Mxene材料阻抗匹配性能差和力学性能差的问题，本发明提供一种高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用，制备方法为第一步制备Ti3C2Tx Mxene；第二步通过带正电荷的PEDOT分子链与Mxene表面极性官能团的静电作用，将PEDOT分子链均匀地堆积在Mxene平面两侧制备，制得Mxene与PEDOT复合膜。本方法制备的膜，实现了更高的屏蔽效果和断裂伸长率，其电磁屏蔽效应达80dB和断裂伸长率提高3倍，可应用于微波暗室、可穿戴式电磁防护方面。
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公开(公告)号：CN113488559A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110754311.7
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L31/103 , H01L31/0224 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法，包括单晶LiNbO3，形成于单晶LiNbO3表面的层状MoS2层，与MoS2层部分重叠的p型材料层，以及电极，所述电极放置于单晶LiNbO3，MoS2层、p型材料以及MoS2层与p型材料重叠部分的上方或者包括p型硅基衬底，HfO2层，MoS2二维材料层，LiNbO3晶态薄膜与电极，所述HfO2层部分覆盖硅基衬底，所述MoS2二维材料层与所述HfO2层部分重叠，所述LiNbO3晶态薄膜设置于MoS2二维材料层和HfO2层重叠部分上。本发明采用LiNbO3来增强MoS2二维材料的光电性能，可以降低工艺成本；相比传统的调制器，用MoS2/LiNbO3复合型光收发器插损降低，对硅的依赖性降低，无需控制硅成分严格控制，只要通过异质结堆叠步骤，可以获得低功耗、小体积的光收发器。
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公开(公告)号：CN113465490A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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