-
公开(公告)号：CN110375635A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910561287.8
申请日：2019-06-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于优化三维柔性应变传感器及制备方法，本发明在一个长方体的石墨烯泡沫的一个顶面，在顶面的中心开有一个直径2毫米的通孔；石墨烯泡沫上设有两个外接电极，并通过外接导线引出，石墨烯泡沫内由聚合物填充。本发明在三维敏感材料中构筑一个毫米尺度的孔洞，使得该敏感材料具有更多脆弱点，在微弱应变下更容易发生结构的损坏，引起电信号的明显变化。工艺简单，且在较低成本下即可实现三维柔性应变传感器的灵敏度优化。
-
公开(公告)号：CN113409983B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110706735.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性可拉伸电极及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为三维骨架，搭载在CNF表面的C微纳粒子及溶解的Na+或K+、Cl+离子为共同导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，将导电凝胶注入到弹性基体内进行包覆，即可得到柔性的可拉伸电极，本发明制备的可拉伸电极材料解决了柔性电子领域中传统金属电极延展性差的难题，使其具备与电子器件工作模块相匹配的可拉伸能力，达到元器件整体柔性化的技术要求，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
-
公开(公告)号：CN110375635B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910561287.8
申请日：2019-06-26
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种用于优化三维柔性应变传感器及制备方法，本发明在一个长方体的石墨烯泡沫的一个顶面，在顶面的中心开有一个直径2毫米的通孔；石墨烯泡沫上设有两个外接电极，并通过外接导线引出，石墨烯泡沫内由聚合物填充。本发明在三维敏感材料中构筑一个毫米尺度的孔洞，使得该敏感材料具有更多脆弱点，在微弱应变下更容易发生结构的损坏，引起电信号的明显变化。工艺简单，且在较低成本下即可实现三维柔性应变传感器的灵敏度优化。
-
公开(公告)号：CN110411640B
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201910620095.X
申请日：2019-07-10
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种三维柔性力电传感器及制备方法，本发明一种三维柔性力电传感器包括一个均匀分布Ag纳米材料的GrF导电骨架结构，本发明。在三维GrF导电骨架中原位水热生长得到均匀分布的Ag纳米结构。Ag纳米结构的引入，既可作为微触手，拓宽力电传感范围，提高灵敏度；又可削弱温度对器件电阻的干扰，得到稳定、可靠的电阻输出信号；同时还增加了复合结构的比表面积，有利于热能的加速传导。
-
公开(公告)号：CN113957527A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113671800A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
-
公开(公告)号：CN110849514B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201910978383.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法，本发明包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；本发明rGO/CNF液态敏感材料具有优异的导电能力和延展能力。同时在弹性基体中引入弯曲管道，这种连续弯曲的管道具有两大优势，既可以增强传感器的延展能力，又基于串联效应大大提升了传感器的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN110849514A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910978383.2
申请日：2019-10-15
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明公开了一种高性能rGO/CNF力电传感器及其制备方法，本发明包括一组弯曲管道、弹性基体、以及具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料；所述弯曲管道横截面为圆形，直径1mm，位于弹性基体内部，采用连续弯曲导线为模板进行构筑；具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料设置在弯曲管道内，弯曲管道两端通过电极封堵；其中具有流动性的rGO/CNF液态敏感材料包括CNF三维骨架、rGO微纳粒子和异丙醇；本发明rGO/CNF液态敏感材料具有优异的导电能力和延展能力。同时在弹性基体中引入弯曲管道，这种连续弯曲的管道具有两大优势，既可以增强传感器的延展能力，又基于串联效应大大提升了传感器的灵敏度。
-
公开(公告)号：CN113957527B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
-
公开(公告)号：CN113465490B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.028 seconds)
