公开(公告)号：CN115142134B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202210781925.9

申请日：2022-07-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张骐 ,  呼布钦 ,  李馨 ,  徐旻轩

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明属于氮化镓制备领域，为解决如何使用无毒无害的氮源用以制备尺寸较大、厚度较小的二维氮化镓材料的问题，本发明提供一种镓基液态金属辅助制备二维氮化镓的方法，本技术方案通过化学气相沉积实现，包含三步：(1)使用镓基液态金属在氧化硅片上制得二维氧化镓薄膜；(2)将二维氧化镓薄膜与氮源尿素(CH4N2O)置于管式炉中；(3)在氧化硅基底上发生化学反应并产生二维氮化镓薄膜。使用本发明提供的技术方案制备的二维氮化镓表面平整度良好、尺寸较大，便于商业化生产。

公开(公告)号：CN115142134A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210781925.9

申请日：2022-07-05

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张骐 ,  呼布钦 ,  李馨 ,  徐旻轩

IPC: C30B29/40 ,  C30B25/00

Abstract: 本发明属于氮化镓制备领域，为解决如何使用无毒无害的氮源用以制备尺寸较大、厚度较小的二维氮化镓材料的问题，本发明提供一种镓基液态金属辅助制备二维氮化镓的方法，本技术方案通过化学气相沉积实现，包含三步：(1)使用镓基液态金属在氧化硅片上制得二维氧化镓薄膜；(2)将二维氧化镓薄膜与氮源尿素(CH4N2O)置于管式炉中；(3)在氧化硅基底上发生化学反应并产生二维氮化镓薄膜。使用本发明提供的技术方案制备的二维氮化镓表面平整度良好、尺寸较大，便于商业化生产。