公开(公告)号：CN113488559B

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202110754311.7

申请日：2021-07-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张骐 ,  汪淯瑞 ,  李馨 ,  钟家松

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法，包括单晶LiNbO3，形成于单晶LiNbO3表面的层状MoS2层，与MoS2层部分重叠的p型材料层，以及电极，所述电极放置于单晶LiNbO3，MoS2层、p型材料以及MoS2层与p型材料重叠部分的上方或者包括p型硅基衬底，HfO2层，MoS2二维材料层，LiNbO3晶态薄膜与电极，所述HfO2层部分覆盖硅基衬底，所述MoS2二维材料层与所述HfO2层部分重叠，所述LiNbO3晶态薄膜设置于MoS2二维材料层和HfO2层重叠部分上。本发明采用LiNbO3来增强MoS2二维材料的光电性能，可以降低工艺成本；相比传统的调制器，用MoS2/LiNbO3复合型光收发器插损降低，对硅的依赖性降低，无需控制硅成分严格控制，只要通过异质结堆叠步骤，可以获得低功耗、小体积的光收发器。

公开(公告)号：CN113488559A

公开(公告)日：2021-10-08

申请号：CN202110754311.7

申请日：2021-07-02

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张骐 ,  汪淯瑞 ,  李馨 ,  钟家松

IPC: H01L31/103 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种硫化钼/铌酸锂复合型光收发器件及制备方法，包括单晶LiNbO3，形成于单晶LiNbO3表面的层状MoS2层，与MoS2层部分重叠的p型材料层，以及电极，所述电极放置于单晶LiNbO3，MoS2层、p型材料以及MoS2层与p型材料重叠部分的上方或者包括p型硅基衬底，HfO2层，MoS2二维材料层，LiNbO3晶态薄膜与电极，所述HfO2层部分覆盖硅基衬底，所述MoS2二维材料层与所述HfO2层部分重叠，所述LiNbO3晶态薄膜设置于MoS2二维材料层和HfO2层重叠部分上。本发明采用LiNbO3来增强MoS2二维材料的光电性能，可以降低工艺成本；相比传统的调制器，用MoS2/LiNbO3复合型光收发器插损降低，对硅的依赖性降低，无需控制硅成分严格控制，只要通过异质结堆叠步骤，可以获得低功耗、小体积的光收发器。