公开(公告)号：CN115036379B

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202210566289.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张骐 ,  苏俊 ,  李馨

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，提供了一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器及其制作方法，分为以下四步：(1)制备单层二硫化钼薄膜；(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料；(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；(4)制备基于(3)中材料的光电探测器。通过引入钛酸钡纳米颗粒与二硫化钼复合后构筑纳米卷结构，可以显著提升二硫化钼的光响应度，从而得到一种具有高光响应度的光电探测器件。同时该探测器具有良好的环境稳定性，且所用原料绿色环保，所用设备简单，制备容易，成本低廉，易于大规模制备。

公开(公告)号：CN115548133A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202211156390.2

申请日：2022-09-22

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 李馨 ,  胡进 ,  张骐 ,  苏俊

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/102 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电探测器领域，针对现有二硫化钼光电探测器的光响应度低的缺点，本发明提供了一种聚四氟乙烯与二硫化钼复合的光电探测器的制备方法，通过化学气相沉积法在绝缘硅片上生长二硫化钼，制备二硫化钼光电探测器，旋涂制备聚四氟乙烯薄膜，通过电晕对聚四氟乙烯薄膜极化，最后利用聚甲基丙烯酸甲酯薄膜湿法转移二硫化钼与聚四氟乙烯复合。本发明显著提高了二硫化钼光电探测器光响应度，制备的光电探测器的性能稳定性好，且操作简便且对制备条件要求不高。

公开(公告)号：CN115036379A

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202210566289.8

申请日：2022-05-24

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 张骐 ,  苏俊 ,  李馨

IPC: H01L31/0336 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于半导体光电探测技术领域，提供了一种二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷光电探测器及其制作方法，分为以下四步：(1)制备单层二硫化钼薄膜；(2)制备二硫化钼钛酸钡复合材料；(3)制备二硫化钼钛酸钡复合材料纳米卷；(4)制备基于(3)中材料的光电探测器。通过引入钛酸钡纳米颗粒与二硫化钼复合后构筑纳米卷结构，可以显著提升二硫化钼的光响应度，从而得到一种具有高光响应度的光电探测器件。同时该探测器具有良好的环境稳定性，且所用原料绿色环保，所用设备简单，制备容易，成本低廉，易于大规模制备。