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公开(公告)号：CN113957527A
公开(公告)日：2022-01-21
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
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公开(公告)号：CN113671800A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110751667.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种提升BE光刻工艺对位性能的方法，包括以下步骤：(a)通过前层BV光刻技术在硅片上制作对准标记沟槽和套刻标记沟槽；(b)在对准标记沟槽和套刻标记槽沟内通过电沉积形成Cu镀层，控制沉积量使对准标记沟槽和套刻标记沟槽的顶部预留一小段沟槽；(c)沉积TaN形成第一TaN层并经CMP平坦化；(d)在硅片表面覆盖上掩膜版，使对准标记沟槽和套刻标记沟槽上方的区域暴露形成矩形刻蚀区域，对矩形刻蚀区域进行刻蚀，形成沉积沟槽；(e)除去掩膜版，在硅片表面沉积第二TaN层，使对准标记沟槽、套刻标记沟槽及沉积沟槽形成呈现随形拓扑结构的对位标记。本发明能实现BE‑BV之间的直接套刻对位，降低后续工艺复杂性和成本，提高对位精度。
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公开(公告)号：CN119354934A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411483972.0
申请日：2024-10-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于溶剂检测方法领域，为解决传统的溶剂检测方法存在局限性：检测灵敏度不够高、需要复杂的仪器设备或化学合成过程等的问题，本发明提供一种基于共轭聚电解质的溶剂检测方法，将共轭聚电解质以预设浓度溶解在一系列不同溶剂中，通过荧光光谱仪分别测得一系列所述溶液的荧光光谱；获取一系列所述溶剂的极性，以溶剂极性和荧光发射波长分别作为坐标系的两个轴，建立荧光发射波长与溶剂极性的理论线性关系；通过荧光光谱仪测得所述待测溶液的荧光光谱，利用荧光发射波长与溶剂极性的理论线性关系，得到待测溶剂的种类范围。
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公开(公告)号：CN113409983B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110706735.6
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种柔性可拉伸电极及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为三维骨架，搭载在CNF表面的C微纳粒子及溶解的Na+或K+、Cl+离子为共同导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，将导电凝胶注入到弹性基体内进行包覆，即可得到柔性的可拉伸电极，本发明制备的可拉伸电极材料解决了柔性电子领域中传统金属电极延展性差的难题，使其具备与电子器件工作模块相匹配的可拉伸能力，达到元器件整体柔性化的技术要求，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN106883389A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710158845.7
申请日：2017-03-17
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C08G61/12
CPC classification number: C08G61/124 , C08G61/123 , C08G2261/124 , C08G2261/143 , C08G2261/1452 , C08G2261/146 , C08G2261/18 , C08G2261/3241 , C08G2261/3246 , C08G2261/411 , C08G2261/412
Abstract: 本发明公开基于缺电子杂环主链的N‑型共轭聚电解质的合成方法。本发明方法解决了苯并噻二唑和苯并三唑等缺电子主链结构的非离子N‑型共轭聚合物的侧链官能团(即磺酸基、季铵基团和吡啶基团)不能完全转化为离子官能团的问题，实现了基于苯并噻二唑和苯并三唑等缺电子主链的共聚共轭聚电解质的合成。本发明方法制备得到的共轭聚电解质为N‑型，其光电性能表现为负溶剂化变色效应。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115241380A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210782176.1
申请日：2022-07-05
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L51/44 , H01L51/48 , C08F120/14
Abstract: 本发明涉及ITO柔性电极在柔性太阳能电池应用领域，具体涉及电化学原位聚合ITO太阳能电池电极及其制备方法。为同时解决柔性电极的脆性、电导率和透明度的问题，本发明在ITO电极上电化学原位聚合高分子，制备集热稳定、高导电率、透明和柔性等优点一体的ITO@polymer电极。本发明提供的电化学原位聚合ITO太阳能电池电极，包括透明柔性底衬层，ITO层，所述ITO层覆盖在所述透明柔性底衬层上，还包括位于ITO层非结晶部分的高分子聚合物。本发明提供的产品为柔性有机太阳能电池行业，提供了同时获得集高透光率、高导电率和柔性等优点一体的电极。
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公开(公告)号：CN106784596A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611014740.6
申请日：2016-11-18
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/139 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/0404 , H01M4/0471 , H01M4/139 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种利用激光辐照原位制备无粘结剂石墨烯/SnO2复合电极的方法。本发明将氧化石墨烯和SnO2溶胶混合制成前驱体溶胶，并将溶胶均匀涂布在铜箔表面，置于真空干燥箱内烘干；根据前驱体向石墨烯/SnO2纳米复合材料转变的物性参数选择激光能量密度参考值，通过激光能量密度参考值选择激光器，设置激光工艺参数；采用激光器辐照扫描预制箔片，对转变产物的特征进行测试、分析，以获取最佳激光工艺参数，同时通保护气体以防止石墨烯氧化，达到原位生成石墨烯/SnO2纳米复合材料电极的目的。本发明克服了传统石墨烯/SnO2复合材料电极制备工艺中的原料浪费、产生大量废液、工艺流程复杂、需要额外添加粘结剂等缺陷。
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公开(公告)号：CN113957527B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202111201029.2
申请日：2021-10-14
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供了制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的方法及其应用，以铯源与铜源为混合源，通过气相沉积制备二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料。本发明采用CsI、CuI经配比为前驱体，节能环保且无毒害性；合成大尺寸二维超薄Cs3Cu2I5纳米结构，为集成电路的大规模应用提供了材料基础；容易转移到其他衬底上进行后续器件加工制作。本发明的方法可以满足大批量二维纳米Cs3Cu2I5晶体材料的制备需求，产物表面平整、形貌均一、元素分布均匀。该制备方法原料丰富、价格低廉、制备方法简单、便于推广以及大规模生产，是一种极具应用潜力的，适用微纳光电子器件新材料的制备技术。
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公开(公告)号：CN113465490B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110706732.2
申请日：2021-06-24
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明公开了一种正压导应变传感器及其制备方法，以CNF‑C透明水凝胶中绝缘的纳米纤维素(CNF)为填充材料，溶解在透明水凝胶中的Na+或K+、Cl+离子为导电相，均匀分散后得到具有粘流性的液态导电凝胶，该导电凝胶被注入到弹性基体通孔中进行包覆，即可得到可拉伸的应变传感器，解决了应变传感领域中，大应变下电阻信号过大或电流信号过小导致难以测量的难题，从信号测量角度实现了应变传感范围的扩增，且所需原料廉价易得，成本极大地降低。
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公开(公告)号：CN114222493A
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202111605726.4
申请日：2021-12-25
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于电磁屏蔽材料领域，为解决传统Mxene材料阻抗匹配性能差和力学性能差的问题，本发明提供一种高韧性Mxene复合电磁屏蔽膜及制备方法和应用，制备方法为第一步制备Ti3C2Tx Mxene；第二步通过带正电荷的PEDOT分子链与Mxene表面极性官能团的静电作用，将PEDOT分子链均匀地堆积在Mxene平面两侧制备，制得Mxene与PEDOT复合膜。本方法制备的膜，实现了更高的屏蔽效果和断裂伸长率，其电磁屏蔽效应达80dB和断裂伸长率提高3倍，可应用于微波暗室、可穿戴式电磁防护方面。
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