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公开(公告)号：CN114350103B
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202111580452.8
申请日：2021-12-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种ABS基陶瓷纳米粒子复合材料在高温下作为储能材料的应用；经验证，ABS基陶瓷纳米粒子复合材料在80℃～120℃的高温环境下具有接近于室温下的稳定储能性能。相对常温20℃而言，80℃～120℃的高温下，ABS基陶瓷纳米粒子复合材料的可释放密度仅下降10％～40％，储能效率下降5％～10％左右。整体而言，其在高温情况下的储能性能与常温条件下的储能性能基本保持一致。在105次循环充放电的疲劳测试后，ABS基陶瓷纳米粒子复合材料在80～120℃下的性能对比前后并无明显性能下降，说明复合薄膜在高温情况下仍较为稳定，可广泛的应用于需求耐高温且稳定的应用场景。
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公开(公告)号：CN115835107A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211524187.6
申请日：2022-11-30
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超声换能器中有源元件的声阻抗调整制备方法。该方法如下：一、将压电陶瓷块粘贴到蓝膜上。二、使用切槽设备在压电陶瓷块的侧面上切割出依次等间距排列的横向沟槽和依次等间距排列的纵向沟槽，形成用于填充聚合物基体的网格状沟槽。三、将液态聚合物材料与固化剂混合后填充到压电陶瓷块上的网格状沟槽中。四、液态聚合物材料固化后，去除压电陶瓷基板。本发明将柱状的压电陶瓷单元以阵列结构排布在聚合物基体中，有效降低了有源元件的声阻抗，以便于能够找到相应的匹配层材料。同时，能够通过调节压电陶瓷单元的宽度和间距，实现对有源元件声阻抗系数的调节。此外，聚合物基体的引入提高了有源元件的柔韧性。
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公开(公告)号：CN114798400A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210459775.X
申请日：2022-04-24
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超声换能器背衬及其制备和声衰减系数调控方法。该超声换能器背衬通过氮化铝、钨粉、云母粉和环氧树脂混合后并固化得到。通过调整云母粉在混合物中的质量分数，改变超声换能器背衬的声阻抗系数。本发明通过在超声换能器背衬中引入云母粉，并通过改变云母粉在背衬中的质量分数，获得不同声衰减系数的超声换能器背衬；超声换能器背衬的调控范围达到了1.03dB/mm～13.74dB/mm，能够为不同的使用场景提供最适合的超声换能器背衬。此外，本发明提供的背衬材料中云母粉的质量分数达到5.1％时，超声换能器背衬的声衰减系数达到了13.74dB/mm，明显高于现有背衬材料的声衰减系数。
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公开(公告)号：CN114459852A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202111648499.3
申请日：2021-12-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于Modbus的混合气体自动生成采集系统及方法，其中，上位机通过总线与流量部和传感部分别连接；流量部包括电源和流量计组，电源为流量计组供电；传感部包括气体传感器和电路采集板；外设部包括气体气缸、混气缸和废气处理装置；气体气缸将若干路气体接入流量计组的进气口，流量计组的出气口接入混气缸的进气口，混气缸的出气口连接气体传感器，气体传感器的输出采集信号给电路采集板，电路采集板的输出连接上位机，经过气体传感器的气体排出到废气处理装置。本发明实现手动和自动双操作，在自动操作时，规避了手动操作的误点，有效的防止了误操作。
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公开(公告)号：CN111218072B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202010132560.8
申请日：2020-02-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯PVDF和基于PVDF的P(VDF‑CTFE)、P(VDF‑HFP)、P(VDF‑TrFE)、P(VDF‑CTFE‑TrFE)。本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110615956B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201910656507.5
申请日：2019-07-19
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于高击穿高储能的纳米夹心结构复合材料的制备方法。电容器材料要求具有高介电常数、高极化值、低介质损耗和高电场强度。本发明如下：1、氮化硼纳米片加入到无水乙醇。2、将二维纳米粒子与氮化硼复合。3、制备聚合物溶液。4、将复合粉末与聚合物溶液混合。5、制备复合材料薄膜雏形。6、通过热处理和淬火制备最终的复合材料薄膜。本发明既能使复合材料保持较高的击穿强度，又能显著提高复合材料的可释放能量密度。本发明中的双键聚合物提高了本身的介电常数同时降低了损耗，加入交联剂提高填料与聚合物之间的相容性，制备出具有高击穿强度、高储能密度的复合薄膜材料。
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公开(公告)号：CN107192849B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201710435499.2
申请日：2017-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01P15/08
Abstract: 本发明涉及一种基于热对流原理的微机械加速度传感器的设计及其制作方法。本发明所涉及的热对流式微机械加速度传感器没有在硅片上开孔形成腔结构，而是通过BCB键合胶把玻璃盖板和硅片键合来形成密闭空腔，并且在所述的第一基底上制作了一层聚酰亚胺膜来防止热量散失，保证热气团更好地发挥作用和降低功耗，另外聚酰亚胺膜也可以防止铂电极漏电，这种设计使工艺过程变得简单而且制作出来的传感器结构更稳定，可靠性高，性能也更好。
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公开(公告)号：CN111205579A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN202010109591.1
申请日：2020-02-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种耐高温氮化铝/聚合物复合材料及其制备方法。现有介电材料在高温下的电容存储性能表现了很大的缺陷。本发明一种耐高温氮化铝/聚合物复合材料，包括氮化铝和基体聚合物。氮化铝作为填料粒子分散在基体聚合物中。氮化铝的质量分数为0～50％。本发明采用氮化铝作为添加粒子制备复合材料薄膜，氮化铝具有高导热率、耐高温、良好的高温-电绝缘及良好的介电性能，可以提高聚合物热导率及其他物理性能，保持良好的电绝缘性能，在室温90℃下，可以有效提高复合材料的电位移值和击穿场强值，从而有效的提高复合材料的耐高温性能、可释放能量密度和储能效率。
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公开(公告)号：CN110330676A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910535854.2
申请日：2019-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法。填料颗粒尺寸越小，越容易实现在聚合物的均匀分散，并且与基体形成的界面更大，界面效应更显著。本发明如下：一、将基体聚合物加入到极性溶剂中。二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中。三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂。四、取步骤三所得的偶联悬浮液，涂覆到流延承载片上。五、从流延承载片上取下雏形薄膜，并熔融后淬火，得到复合薄膜材料。本发明在铝箔直接混合陶瓷填料、基体聚合物和偶联剂，简化了制备步骤，并提高了耦合效果；利用铝箔上附着有致密氧化层的特点，避免了流延承载片在偶联剂的作用下与基体聚合物发生偶联，导致复合薄膜无法取下的问题。
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公开(公告)号：CN107216581A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710435500.1
申请日：2017-06-11
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: C08K3/24 , C08J5/18 , C08J7/08 , C08J2327/16 , C08L2203/16 , C08L27/16
Abstract: 本发明涉及一种反铁电陶瓷/PVDF0‑3结构复合材料及其热处理制备方法。本发明由反铁电陶瓷粉末和PVDF基聚合物组成，反铁电陶瓷粉末作为添加粒子均匀分布在聚合物基体内，通过流延法制备得到复合材料膜，并将其进行淬火热处理，所得膜厚为1～100微米，复合材料中反铁电陶瓷粒子体积分数在0～70%之间。本发明采用反铁电陶瓷粒子作为填充粒子制备的0‑3复合材料，即可以有效提高复合材料的电位移值与击穿电场值，还能降低剩余极化减少损耗，从而有利于提高复合材料的储能与放能值，提高储放能效率。
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