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公开(公告)号：CN111303576B
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202010132550.4
申请日：2020-02-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于亚微米陶瓷填料耐高温的复合薄膜材料及其制备方法。薄膜电容器在电子信息领域使用，会有大量热排出，需要承受一定温度，如可以在70℃下，可以长时间工作等。本发明一种基于亚微米陶瓷填料耐高温的复合薄膜材料，包括基底聚合物和掺杂在基底聚合物中的陶瓷填料；所述的陶瓷填料采用粒径为60～900nm的钛酸钡陶瓷颗粒，陶瓷颗粒采用表面活性剂修饰。所述的基底聚合物采用PMMA。本发明相较于PVDF聚合物来说，在70℃的高温环境中储能性能稳定性强，仍有较高的储能密度和储能效率。本发明在线性电介质PMMA中，加入的500nm钛酸钡陶瓷填料，使得复合材料的击穿强度上升幅度最大，同时提高了储能密度和储能效率。
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公开(公告)号：CN110330676A
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201910535854.2
申请日：2019-06-20
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于陶瓷填料的高介电常数复合薄膜材料的制备方法。填料颗粒尺寸越小，越容易实现在聚合物的均匀分散，并且与基体形成的界面更大，界面效应更显著。本发明如下：一、将基体聚合物加入到极性溶剂中。二、将陶瓷填料加入到步骤一得到的聚合物溶液中。三、在步骤二获得的悬浮液中滴入偶联剂。四、取步骤三所得的偶联悬浮液，涂覆到流延承载片上。五、从流延承载片上取下雏形薄膜，并熔融后淬火，得到复合薄膜材料。本发明在铝箔直接混合陶瓷填料、基体聚合物和偶联剂，简化了制备步骤，并提高了耦合效果；利用铝箔上附着有致密氧化层的特点，避免了流延承载片在偶联剂的作用下与基体聚合物发生偶联，导致复合薄膜无法取下的问题。
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公开(公告)号：CN111303576A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010132550.4
申请日：2020-02-29
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了基于亚微米陶瓷填料耐高温的复合薄膜材料及其制备方法。薄膜电容器在电子信息领域使用，会有大量热排出，需要承受一定温度，如可以在70℃下，可以长时间工作等。本发明一种基于亚微米陶瓷填料耐高温的复合薄膜材料，包括基底聚合物和掺杂在基底聚合物中的陶瓷填料；所述的陶瓷填料采用粒径为60～900nm的钛酸钡陶瓷颗粒，陶瓷颗粒采用表面活性剂修饰。所述的基底聚合物采用PMMA。本发明相较于PVDF聚合物来说，在70℃的高温环境中储能性能稳定性强，仍有较高的储能密度和储能效率。本发明在线性电介质PMMA中，加入的500nm钛酸钡陶瓷填料，使得复合材料的击穿强度上升幅度最大，同时提高了储能密度和储能效率。
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