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公开(公告)号：CN111074130B
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN201911343061.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法，RE为轻稀土Ce，Pr，Nd中的一者或多者之间的混合；所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构，属于P6/mmm空间群；在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为2.5‑7.2J/kgK，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为5.8‑13.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为9.4‑12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子，破碎成粉末与锌粉按比例混合，利用热压的方法制备出致密的合金块，对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉，制备方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN111074130A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201911343061.7
申请日：2019-12-23
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明一种应用于低温磁制冷的轻稀土REZnSi材料及制备方法，RE为轻稀土Ce，Pr，Nd中的一者或多者之间的混合；所述的REZnSi材料具有六方型晶体结构，属于P6/mmm空间群；在0～2T的磁场变化下，等温磁熵变为2.5-7.2J/kgK，在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为5.8-13.8J/kgK；在0～7T的磁场变化下，等温磁熵变为9.4-12.4J/kgK。首先将稀土和硅按一定加热融化制备出均匀合金锭子，破碎成粉末与锌粉按比例混合，利用热压的方法制备出致密的合金块，对合金块热处理后获得成品。本发明材料可应用于低温区磁制冷领域。原料价格低廉，制备方法工艺简单、适用于工业化。
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公开(公告)号：CN112562959B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202011503525.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于低温磁制冷材料技术领域，涉及一种稀土二聚体配位聚合物低温磁制冷材料及制备方法。其组成式为Ln2(L)2(DMF)4；其中，Ln为镧系稀土金属Gd，Tb，Dy，Ho中的一种或两种,L为脱质子后的5‑(4‑羧基苯甲氧基)间苯二甲酸，DMF为N,N‑二甲基甲酰胺。该聚合物属单斜晶系、C2/c空间群，具有三维层堆积状结构，其最小不对称单元由两个稀土金属阳离子，两个配体阴离子和两个DNF分子组成。材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为7.2‑26.4J/kg K。其化学稳定性好，该类稀土二聚体配位聚合物制备方法简单，磁热性能大，重复性好，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112562959A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011503525.9
申请日：2020-12-18
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明属于低温磁制冷材料技术领域，涉及一种稀土二聚体配位聚合物低温磁制冷材料及制备方法。其组成式为Ln2(L)2(DMF)4；其中，Ln为镧系稀土金属Gd，Tb，Dy，Ho中的一种或两种,L为脱质子后的5‑(4‑羧基苯甲氧基)间苯二甲酸，DMF为N,N‑二甲基甲酰胺。该聚合物属单斜晶系、C2/c空间群，具有三维层堆积状结构，其最小不对称单元由两个稀土金属阳离子，两个配体阴离子和两个DNF分子组成。材料在0～5T的磁场变化下，等温磁熵变为7.2‑26.4J/kg K。其化学稳定性好，该类稀土二聚体配位聚合物制备方法简单，磁热性能大，重复性好，可用于工业化生产。
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公开(公告)号：CN112142033A
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN202011007539.1
申请日：2020-09-23
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: C01B32/05
Abstract: 本发明公开了一种利用废纸制备过渡金属‑氮元素共掺杂碳材料的方法。将废纸样品与过渡金属酞菁衍生物进行复合，然后置于管式炉中进行热解得到过渡金属‑氮元素共掺杂碳材料，复合后留下的过渡金属酞菁衍生物溶液可通过定量加入氯化钠进行富集和分离，实现对过渡金属酞菁衍生物的回收。本发明操作简单，步骤少、实验条件要求低，易规模化。加工方便、节约成本、实现废物利用，且制备得到的复合材料，元素分析结果显示，样品除了碳元素外，还含有过渡金属和氮元素，应用范围广泛。
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