公开(公告)号：CN111187062A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN202010045173.0

申请日：2020-01-13

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季玉平 ,  宋开新 ,  张上 ,  张欣杨 ,  刘兵 ,  徐军明 ,  高惠芳 ,  武军

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1-x)CaSnSiO5-xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5-K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为-54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。

公开(公告)号：CN111187062B

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202010045173.0

申请日：2020-01-13

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 季玉平 ,  宋开新 ,  张上 ,  张欣杨 ,  刘兵 ,  徐军明 ,  高惠芳 ,  武军

IPC: C04B35/22 ,  C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开一种CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料及其制备方法，该复合陶瓷的化学通式可以写成(1‑x)CaSnSiO5‑xK2MoO4，其中x为质量百分含量(x＝20，30，35，40，50，60，70，80，90wt％)。CaSnSiO5‑K2MoO4基复合陶瓷微波材料的介电常数(εr)范围为6.764～9.785，品质因数Qf数值的范围为2791GHz～11395GHz，谐振频率温度系数τf的范围为‑54.2ppm/℃～+22ppm/℃。该复合材料在微波射频系统(例如5G/6G通讯系统)中可以作为基片、谐振天线等器件材料使用。