公开(公告)号：CN116589270B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202310608847.7

申请日：2023-05-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 毛敏敏 ,  刘玉 ,  宋开新 ,  刘兵

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法，化学式为(1‑y)Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4‑yCaTiO3，其中0＜x≤0.02，9％≤y≤13％。首先制备Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4，通过Ga3+和Al3+分别取代镁橄榄石中的部分Mg2+和Si4+位置，品质因数从203700GHz提升到236600GHz，介电常数在6.55～7.05之间，谐振频率温度系数为‑54～‑38ppm/℃；然后按照质量比加入CaTiO3，充分混合后进行烧结得到温度稳定型的微波介质复合陶瓷。本发明在降低烧结温度的同时，使陶瓷材料具有较低的介电损耗以及良好的温度稳定性，制备工艺简单，在5G/6G等毫米波通讯上作为介质陶瓷材料具有很强的实用性。

公开(公告)号：CN116589270A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202310608847.7

申请日：2023-05-29

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 毛敏敏 ,  刘玉 ,  宋开新 ,  刘兵

IPC: C04B35/20 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明提供一种低损耗温度稳定橄榄石型微波介质陶瓷及其制备方法，化学式为(1‑y)Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4‑yCaTiO3，其中0＜x≤0.02，9％≤y≤13％。首先制备Mg2‑xGaxSi1‑xAlxO4，通过Ga3+和Al3+分别取代镁橄榄石中的部分Mg2+和Si4+位置，品质因数从203700GHz提升到236600GHz，介电常数在6.55～7.05之间，谐振频率温度系数为‑54～‑38ppm/℃；然后按照质量比加入CaTiO3，充分混合后进行烧结得到温度稳定型的微波介质复合陶瓷。本发明在降低烧结温度的同时，使陶瓷材料具有较低的介电损耗以及良好的温度稳定性，制备工艺简单，在5G/6G等毫米波通讯上作为介质陶瓷材料具有很强的实用性。