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公开(公告)号:CN104576569A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410550808.7
申请日:2014-10-16
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 富士电机株式会社
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L23/473 , H01L23/3672 , H01L23/3675 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 提供了一种半导体装置,其包括冷却器,在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括:设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28);连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24);连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25);以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度,在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。
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公开(公告)号:CN104576569B
公开(公告)日:2019-03-12
申请号:CN201410550808.7
申请日:2014-10-16
Applicant: 本田技研工业株式会社 , 富士电机株式会社
IPC: H01L23/367
Abstract: 提供了一种半导体装置,其包括冷却器,在该冷却器中通过改进冷却剂的导入口、排出口的连接部等的形状能够减小连接部等中的压力损失。半导体装置(1)的冷却器(20)包括:设置在壳体(22)的彼此相对的侧壁(22b1、22b2)上成对角的位置处的导入口(27)和排出口(28);连接到导入口(27)且形成在壳体(22)中的导入路径(24);连接到排出口(28)且形成在壳体(22)中的排出路径(25);以及在导入路径(24)和排出路径(25)之间的冷却流路(26)。导入口(27)的开口的高度大于导入路径(24)的高度,在导入口(27)和导入路径(24)之间的连接部(271)包括从连接部(271)的底面朝向导入路径(24)的长度方向倾斜的倾斜面(271b)。
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公开(公告)号:CN107078115B
公开(公告)日:2019-11-08
申请号:CN201680002934.6
申请日:2016-02-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
Abstract: 防止产生裂纹和断裂并利用焊锡接合线膨胀系数不同的层叠基板和冷却器。提供一种半导体模块,具备:层叠基板,由电路板、绝缘板和金属板层叠而构成;半导体芯片,搭载于电路板;以及冷却器,通过焊锡而与金属板接合,冷却器具有:第一板部,与金属板接合;第二板部,与第一板部相向;以及多个波形散热片,配置在第一板部与第二板部之间,多个波形散热片与第一板部和第二板部连接,由第一板部、第二板部和多个波形散热片构成供制冷剂通过的流路。
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公开(公告)号:CN105308742B
公开(公告)日:2018-04-03
申请号:CN201480032521.3
申请日:2014-11-17
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
CPC classification number: B60L11/002 , B23P15/26 , B60K1/00 , B60K2001/003 , B60Y2400/61 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H05K7/205 , H05K7/20927 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 半导体组件用冷却器包括:外观呈长方体形状的、在一侧固定有流速调整板(22)的散热器(5);在外表面接合半导体元件(2A~2C)的散热板(3);和呈托盘形状的冷却套(4),其中,从冷媒导入部(14)将冷媒导入的冷媒导入流路(16)和将冷媒排出至冷媒排出部(15)的冷媒排出流路(17)相互平行地延伸,并且在该冷媒导入流路和冷媒排出流路之间设置有冷却用流路(18)。而且,在冷却套的冷却用流路,以使流速调整板在冷却用流路与冷媒排出流路的边界位置延伸,并且设置于散热器的多个流路与冷媒导入流路和冷媒排出流路正交地延伸的方式配置散热器,以封闭冷却套的开口部的方式固定散热板。
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公开(公告)号:CN104145333B
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201380012209.3
申请日:2013-04-11
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor: 乡原广道
IPC: H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC classification number: H01L23/467 , F28F3/00 , F28F9/00 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/19107 , H05K7/20254 , H05K7/20927 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体装置,其压力损耗较小,能均匀地对多个功率半导体芯片进行冷却。半导体装置(1)包括半导体模块(30)、以及用于对搭载在半导体模块内的功率半导体元件进行冷却的冷却器(50)。冷却器(50)的冷却部(51)包括第一头部(54)以及第二头部(55),该第一头部(54)在从制冷剂导入部(52)到第一基板(33‑1)的制冷剂排出部(53)一侧的端部之间具备向冷却翅片(41)的底面倾斜的第一底面,且用于将由制冷剂导入部(52)提供的制冷剂提供给冷却翅片(41)一侧,该第二头部(55)具备从冷却翅片(41)底面的制冷剂排出部(53)一侧的端部的位置开始倾斜的第二底面,且用于将从冷却翅片(41)一侧排出的制冷剂排出到制冷剂排出部(53)。
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公开(公告)号:CN107004675A
公开(公告)日:2017-08-01
申请号:CN201680003922.5
申请日:2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备:金属基底板,其具备第一面和第二面;冷却壳体,其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁,上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面,在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通,上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个,并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部,具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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公开(公告)号:CN114365282A
公开(公告)日:2022-04-15
申请号:CN202180005166.0
申请日:2021-01-21
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/367 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 提供一种能够减小冷却装置中的制冷剂的流速分布的半导体模块。该半导体模块具备冷却装置,其中,冷却装置具备:顶板;侧壁,其与顶板连接;底板,其面对顶板且与侧壁连接;多个多边形的针翅(94),该多个多边形的针翅(94)的一端连接于顶板的面对底板的面的与侧壁分离的长方形的翅区(95),且在俯视时呈矩阵状地分离配置;制冷剂的入口(41),制冷剂在入口处的流路的中央配置于在俯视时与翅区(95)的一个长边的一部分接近的位置(Pi);以及制冷剂的出口(42),制冷剂在出口处的流路的中央配置于在俯视时与翅区(95)的另一个长边的一部分接近的位置(Po),其中,多个针翅(94)的矩阵方向相对于将位置(Pi)与位置(Po)连结的直线(IO)形成角度,直线(IO)的横穿翅区(95)的线段的长度(L1)比翅区(95)的短边的长度(L2)长。
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公开(公告)号:CN113644038A
公开(公告)日:2021-11-12
申请号:CN202110208500.4
申请日:2021-02-24
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/46 , H01L23/473 , H01L25/07
Abstract: 在外部环境及自身发热所产生的温度反复变化的状况下,无法抑制冷却器内的制冷剂发生流速损失而导致冷却效率降低,同时无法抑制由于冷却器的热变形而导致在将半导体元件固定于冷却器的粘接剂处产生较大的应力及塑性应变。本发明的半导体模块包括半导体装置和冷却装置,半导体装置具有半导体芯片、安装有半导体芯片的电路基板、密封半导体芯片的树脂构造体,冷却装置具有顶板、侧壁、底板、制冷剂流通部、多个翅片和加强销,在俯视时,金属层的一部分与冷却区域重叠,并且除了这一部分之外的部分与第一连通区域和第二连通区域中的一个连通区域重叠,加强销配置于一个连通区域。
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公开(公告)号:CN111162060A
公开(公告)日:2020-05-15
申请号:CN202010057550.2
申请日:2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/40 , H01L23/473
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备:金属基底板,其具备第一面和第二面;冷却壳体,其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁,上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面,在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通,上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个,并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部,具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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公开(公告)号:CN107004675B
公开(公告)日:2020-02-18
申请号:CN201680003922.5
申请日:2016-06-16
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/473 , H01L25/18
Abstract: 本发明的功率半导体模块具备:金属基底板,其具备第一面和第二面;冷却壳体,其具有底壁和形成于上述底壁的周围的侧壁,上述侧壁的一端接合到上述金属基底板的第二面,在被上述金属基底板、上述底壁和上述侧壁围起来的空间内能够使冷却液流通,上述冷却壳体连接到上述底壁和上述底壁中的任一个,并且具有沿着上述金属基底板的第二面的周边配置的冷却液的入口部和出口部,具备配置于上述入口部的导入口侧的第一凸缘和配置于上述出口部的排出口侧的第二凸缘。
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