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公开(公告)号：CN101599527B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910145449.6
申请日：2009-06-01
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , C04B35/495
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供一种使用了具有可代替PZT薄膜的压电特性的KNN压电薄膜的压电薄膜元件。在硅基板(1)上具有下部电极(2)、压电薄膜(3)和上部电极(4)的压电薄膜元件中，上述压电薄膜(3)具有用一般式(K1-xNax)NbO3(0＜x＜1)表示的碱性铌氧化物系钙钛矿构造的薄膜，上述(K1-xNax)NbO3薄膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比在0.0980≤c/a≤1.0100的范围。
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公开(公告)号：CN102823007A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201080065779.5
申请日：2010-12-21
Applicant: 日立电线株式会社
CPC classification number: H01L41/1873 , C23C14/088 , C30B23/02 , C30B29/30 , H03H9/02015 , H03H9/02094 , H03H9/02574 , H03H9/171
Abstract: 一种压电薄膜器件，其特征在于，其为在基板上至少配置有下部电极、用通式(NaxKyLiz)NbO3（0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x+y+z=1）表示的压电薄膜、以及上部电极的压电薄膜层叠体，所述压电薄膜具有准立方晶、正方晶或正交晶的晶体结构，或者为这些所述晶体结构中的至少一种共存的状态，在它们的晶轴中2轴以下的某些特定轴优先取向，并且作为所述取向的晶轴的成分，在（001）成分和（111）成分的比率中，以这两者的总计为100%时，（001)成分的体积分数在60%以上且100%以下的范围内，（111）成分的体积分数在0%以上且40%以下的范围内。
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公开(公告)号：CN101950790A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010224767.4
申请日：2010-07-07
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/00 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明为压电薄膜元件及其制造方法、以及压电薄膜设备。本发明的目的在于稳定提供能够代替PZT薄膜的具有压电特性的KNN压电薄膜元件。该压电薄膜元件的特征在于，具有在硅基板上配置有下部电极、由通式(K1-XNaX)NbO3(0＜x＜1)表示的碱金属铌氧化物系钙钛矿结构的压电薄膜、上部电极的结构，在前述压电薄膜元件的X射线衍射2θ/θ图的KNN(002)衍射峰中，该衍射峰的高角度侧下沿区域的强度大于低角度侧下沿区域的强度。
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公开(公告)号：CN101867014A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010197567.4
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/09 , H01L41/187 , H01L41/24
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数d31的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条件下成膜、具有第二热膨胀系数且在基板上方形成的通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成压电薄膜的基板基于第一热膨胀系数及第二热膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径。
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公开(公告)号：CN101393960B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810109630.7
申请日：2008-06-11
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/09 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/1873 , H01L41/0815 , H01L41/094 , H01L41/316 , Y10T428/26 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种压电元件，其为使用了Si基板的压电元件，能够抑制压电常数d31的施加电压依存性。本发明涉及的压电元件包括：Si基板、在Si基板之上形成的、一般式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电膜以及在Si基板与压电膜之间形成的、使压电膜产生压缩方向的应力的中间层。
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公开(公告)号：CN101497049A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910003910.4
申请日：2009-01-23
Applicant: 日立电线株式会社
Abstract: 本发明提供一种催化剂载体，其可顺利传递负载于载体的催化剂的活性点所必要的热能。本发明提供的催化剂载体的制造方法包含：通过将混合有金属粉剂和陶瓷粉剂的气溶胶喷涂到金属基材，在上述金属基材上形成至少混合有金属和陶瓷的混合薄膜的工序；和通过使上述混合薄膜的金属溶解于酸或碱溶液来除去，使上述混合薄膜多孔质化的工序。催化剂载体的制造方法、催化剂载体及燃料电池单元的电极。
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公开(公告)号：CN101414656A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810128124.2
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数d31的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条件下成膜、具有第二热膨胀系数且在基板上方形成的通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成压电薄膜的基板基于第一热膨胀系数及第二热膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径。
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公开(公告)号：CN103219460A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310023655.6
申请日：2013-01-22
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/18 , H01L41/047 , B41J2/14
CPC classification number: H01L41/18 , H01G5/18 , H01L41/0477 , H01L41/0805 , H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明提供压电特性优良且可靠性高的压电体元件及压电体装置。在基板(1)上至少设置有下部电极层(3)、由通式(NaxKyLiz)NbO3(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤0.2、x＋y＋z＝1)所表示的压电体膜(4)及上部电极层(5)的压电体元件(10)中，前述压电体膜(4)具有准立方晶、正方晶、斜方晶、单斜晶、菱形晶的晶体结构，或者这些晶体结构共存的状态，在这些晶体结构中的晶轴中的2轴以下的某特定轴上优先取向，且存在有c轴取向晶畴结晶成分与a轴取向晶畴结晶成分中的至少一种的晶畴结晶成分作为前述取向的晶轴的成分。
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公开(公告)号：CN102959751A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201180029026.3
申请日：2011-03-30
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/187 , C04B35/495 , H01L41/09 , H01L41/39
CPC classification number: H01L41/1873 , C04B35/495 , C04B2235/3201 , C04B2235/3251 , C04B2235/6588 , C04B2235/761 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/316
Abstract: 在基板上具有压电膜的压电膜器件，其中，所述压电膜具有用通式(K1-xNax)yNbO3（0＜x＜1）表示的碱金属铌氧化物系的钙钛矿结构，所述碱金属铌氧化物系的组成为0.40≤x≤0.70且0.77≤y≤0.90的范围，此外，所述(K1-xNax)yNbO3膜的面外方向晶格常数c与面内方向晶格常数a的比为0.985≤c/a≤1.008的范围。
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公开(公告)号：CN101414656B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200810128124.2
申请日：2008-07-03
Applicant: 日立电线株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187
CPC classification number: H01L41/094 , H01L41/1873 , H01L41/316 , H01L41/319
Abstract: 本发明提供一种带有压电薄膜的基板，即便使具有无铅压电体的带有压电薄膜的基板构成的压电元件长期连续进行压电动作后，也能够抑制压电元件的压电常数d31的降低。本发明涉及的带有压电薄膜的基板包括：具有第一热膨胀系数的基板，在规定的成膜条件下成膜、具有第二热膨胀系数且在基板上方形成的通式为(K，Na)NbO3的钙钛矿结构的铌酸钾钠的压电薄膜；形成压电薄膜的基板基于第一热膨胀系数及第二热膨胀系数之差，在室温中的翘曲具有10m以上的曲率半径。
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