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公开(公告)号:CN102596888A
公开(公告)日:2012-07-18
申请号:CN201080047287.3
申请日:2010-07-08
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C07C67/347 , C07C69/757 , C07B61/00
CPC classification number: C07C67/347 , B01J31/0202 , B01J31/0237 , B01J31/0239 , B01J31/0244 , B01J31/0259 , B01J31/20 , B01J2231/321 , B01J2231/323 , B01J2531/821 , B01J2531/845 , C07C69/757 , C07C69/753
Abstract: 本发明提供一种制造能够成为高耐热脂环式聚酯等的原料的三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物的方法。三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物的制造方法,其特征在于:在含有钌化合物、钴化合物和卤化盐的催化剂体系的存在下,使由下述式(I)表示的二环戊二烯和甲酸化合物反应,制得由下述式(II)表示的三环癸烯单羧酸衍生物,然后,通过对该三环癸烯单羧酸衍生物进行加氢甲酰化,得到由下述式(III)表示的三环癸烷单甲醇单羧酸衍生物。式(II)和(III)中,R表示氢、碳原子数为1~5的烷基、乙烯基、苄基。
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公开(公告)号:CN102471219A
公开(公告)日:2012-05-23
申请号:CN201080034088.9
申请日:2010-05-13
Applicant: 日立化成工业株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C07C67/347 , B01J31/20 , C07C69/24 , C07C69/75 , C07C69/753 , C07B61/00
CPC classification number: B01J31/0239 , B01J31/0237 , B01J31/0282 , B01J31/0284 , B01J31/20 , B01J37/04 , B01J2231/321 , B01J2531/821 , B01J2531/845 , C07C67/38 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C69/753 , C07C69/75 , C07C69/24
Abstract: 本发明提供一种用于制造酯化合物的有效的方法,该方法使用价廉的甲酸酯作为原料,在比传统方法的反应温度低的反应温度下,以良好的效率制造酯化合物。在含有钌化合物、钴化合物和卤化盐的催化剂体系的存在下,通过使分子内具有至少1个不饱和碳键的有机化合物和甲酸酯化合物反应,制造酯化合物。
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公开(公告)号:CN103459365A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201280018185.8
申请日:2012-04-13
Applicant: 日立化成株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C07C67/347 , C07C69/753 , C07B61/00
CPC classification number: C07C67/347 , C07C67/48 , C07C2602/42 , C07C69/753
Abstract: 本发明提供一种降冰片烷二羧酸酯的制造方法,其包括使降冰片二烯和甲酸酯在钌化合物、钴化合物、卤化物盐和碱性化合物的存在下反应的工序。
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公开(公告)号:CN102471219B
公开(公告)日:2016-05-25
申请号:CN201080034088.9
申请日:2010-05-13
Applicant: 日立化成株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
IPC: C07C67/347 , B01J31/20 , C07C69/24 , C07C69/75 , C07C69/753 , C07B61/00
CPC classification number: B01J31/0239 , B01J31/0237 , B01J31/0282 , B01J31/0284 , B01J31/20 , B01J37/04 , B01J2231/321 , B01J2531/821 , B01J2531/845 , C07C67/38 , C07C2601/14 , C07C2602/42 , C07C69/753 , C07C69/75 , C07C69/24
Abstract: 本发明提供一种用于制造酯化合物的有效的方法,该方法使用价廉的甲酸酯作为原料,在比传统方法的反应温度低的反应温度下,以良好的效率制造酯化合物。在含有钌化合物、钴化合物和卤化盐的催化剂体系的存在下,通过使分子内具有至少1个不饱和碳键的有机化合物和甲酸酯化合物反应,制造酯化合物。
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公开(公告)号:CN100528966C
公开(公告)日:2009-08-19
申请号:CN200480000715.1
申请日:2004-09-28
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C08L101/00 , C08K5/151 , C08L79/08
CPC classification number: C08J3/215 , C08J2379/08 , C08L79/08 , C08L2205/02 , H01L23/293 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05571 , H01L2224/13021 , H01L2224/131 , H01L2924/00013 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , C08L2666/20 , H01L2224/13099 , H01L2224/13599 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099 , H01L2224/29099 , H01L2224/29599 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明的目的是提供可以形成精密图案,密合性、耐热性、挠性优良,且可以缩短生产时间的耐热性树脂浆料及其制造方法。所述耐热性树脂浆料,其特征在于,其含有第一有机溶剂(A1)、含内酯类而构成的第二有机溶剂(A2)、可溶于(A1)和(A2)的混合有机溶剂的耐热性树脂(B)、以及可溶于(A1)但不溶于(A2)的耐热性树脂填充剂(C),且是将(C)分散于含有(A1)、(A2)以及(B)的溶液中而形成。
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公开(公告)号:CN101542721A
公开(公告)日:2009-09-23
申请号:CN200880000239.1
申请日:2008-01-24
Applicant: 日立化成工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有树脂层的密封膜,该密封膜的填充性和密合性优异,并提供该膜的制造方法和使用其的半导体装置,其中,所述树脂层含有下述(A)、(B)和(C),并且在80℃的流出量为150~1800μm。(A)树脂成分,其包含含有交联性官能团、重均分子量为10万以上且Tg为-50~50℃的高分子量成分(a1)以及以环氧树脂为主成分的热固性成分(a2);(B)平均粒径为1~30μm的填料;(C)着色剂。或者,本发明提供一种具有树脂层的密封用膜,所述树脂层含有上述(A)、(B)和(C),并且在B阶状态的膜的热固化粘弹性测定中的50~100℃的粘度为10000~100000Pa·s,该密封用膜的密合性、形状维持性优异,本发明还提供使用其的半导体装置。
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公开(公告)号:CN100351337C
公开(公告)日:2007-11-28
申请号:CN200410098048.7
申请日:2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , H01L21/52 , H01L21/58
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法,该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成,必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e);其制造方法为:先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d),再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1727429A
公开(公告)日:2006-02-01
申请号:CN200510083610.3
申请日:2001-02-15
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J163/00 , C09J7/02 , H01L21/60
Abstract: 一种粘接剂组合物及其制造方法,该组合物由环氧树脂(a)、固化剂(b)、以及与环氧树脂为非相溶的高分子化合物(c)所组成,必要时还包括填充剂(d)或/和固化促进剂(e);其制造方法为:先混合环氧树脂(a)以及固化剂(b)与填充剂(d),再混合与环氧树脂系为非相溶的高分子化合物(c)于该混合物。本发明还涉及将上述粘接剂组合物制成薄膜状而形成的粘接薄膜、于电路基板的芯片装载面设置有该粘接薄膜的半导体装载用基板、以及使用该粘接薄膜或半导体装载用基板的半导体装置。
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公开(公告)号:CN1633487A
公开(公告)日:2005-06-29
申请号:CN02816650.7
申请日:2002-08-27
Applicant: 日立化成工业株式会社
IPC: C09J7/02 , C09J163/00
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J163/00 , C09J2203/326 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2224/83 , H01L2224/83191 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/30105 , H01L2924/351 , H01L2924/3512 , H01L2924/00
Abstract: 粘合薄片,其具备压敏粘合剂层和底材层,通过放射线照射来控制上述压敏粘合剂层和上述底材层间的粘合力,上述压敏粘合剂层含有以下的成分:(a)热塑性树脂、(b)热聚合性成分、以及(c)通过放射线照射而产生碱基的化合物。本发明的粘合薄片是满足在切割时具有使半导体元件不飞散的足够的粘合力,此后通过照射放射线来控制上述压敏粘合剂层和底材间的粘合力,从而在取出时具有不损伤各元件的低粘着力的这样相反要求的粘合薄片。
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公开(公告)号:CN102812063A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201080065650.4
申请日:2010-12-03
Applicant: 日立化成工业株式会社
Inventor: 川上广幸
CPC classification number: C08G18/7671 , B01J31/20 , B01J2231/14 , B01J2531/821 , B01J2531/845 , C07C67/38 , C07C69/753 , C08G18/341 , C08G18/752 , C08G18/755 , C08G69/00
Abstract: 在具有降冰片烷骨架的聚酰胺的制造方法中,使下述通式(I)所表示的降冰片烷二羧酸化合物与二异氰酸酯化合物在极性溶剂中反应。由此,提供耐热性和透明性优异的、具有降冰片烷骨架的聚酰胺的新的制造方法以及利用该方法得到的具有降冰片烷骨架的聚酰胺。(其中,式中R1为氢或甲基。)
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