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公开(公告)号：CN101026366A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078706.X
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: 本发明可提高压电薄膜器件的特性。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)包含不能单独承受自重的压电体薄膜(111)，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)。作为构成压电薄膜器件(111)的压电体材料，最好是从水晶、铌酸锂、钽酸锂、四硼酸锂、氧化锌、铌酸钾以及硅酸镓镧中选择的、不包含晶粒边界的单晶材料。
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公开(公告)号：CN101026365A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078708.9
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。
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公开(公告)号：CN101026365B
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200710078708.9
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/021 , Y10T29/42 , Y10T29/435 , Y10T29/49005
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可提高构成压电薄膜的压电材料或压电体薄膜中结晶方位的选择自由度。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，通过对压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但由去除加工得到的压电体薄膜(111)不能单独承受自重，所以在去除加工前预先将包含压电体基板的所定部件粘接在用作支撑体的底座基板(13)上。
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公开(公告)号：CN100454126C
公开(公告)日：2009-01-21
申请号：CN200580019767.8
申请日：2005-04-04
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3558
Abstract: 本发明提供一种通过电压施加法制造极化反转部时，形成从基板表面延伸到深的位置的极化反转部的新方法。使用具有多个电极部(5)和供电部(1)的梳型电极，通过电压施加法制造极化反转部。各电极部(5)具备从供电部延伸的基部(6)和从基部(6)分离的多个导电部(5a、5b、5c)，导电部的平均长度d为4μm以上、9μm以下。或者，各电极部(5)具备从供电部延伸的基部(6)和从基部(6)分离的多个导电部(5a、5b、5c)，位于电极部最前端的导电部(5b)的长度(db)比距离基部最近的导电部(5a)的长度(da)小。
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公开(公告)号：CN101026367A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710078707.4
申请日：2007-02-25
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
CPC classification number: H03H3/02 , H03H9/02023 , H03H9/02031 , H03H9/02039 , H03H9/02055 , H03H9/02133 , H03H9/173 , H03H9/564 , H03H2003/021
Abstract: 本发明的压电薄膜器件可防止热膨胀之差引起的特性变动或破损。含有4个压电薄膜谐振子(R11～R14)的压电薄膜滤波器(1)具有通过粘接层(12)粘接滤波器部(11)和平坦的底座基板(13)的结构，该滤波器部(11)提供压电薄膜滤波器(1)的过滤功能，该底座基板(13)机械地支撑滤波器部(11)，在制造压电薄膜滤波器(1)时，虽然通过对可单独承受自重的压电体基板进行去除加工得到压电体薄膜(111)，但作为底座基板13以及压电体基板，采用同种单晶材料的基板，使热膨胀系数在压电体薄膜(111)以及底座基板(13)中一致。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1969228A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200580019767.8
申请日：2005-04-04
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK光陶瓷株式会社
IPC: G02F1/37
CPC classification number: G02F1/3558
Abstract: 本发明提供一种通过电压施加法制造极化反转部时，形成从基板表面延伸到深的位置的极化反转部的新方法。使用具有多个电极部(5)和供电部(1)的梳型电极，通过电压施加法制造极化反转部。各电极部(5)具备从供电部延伸的基部(6)和从基部(6)分离的多个导电部(5a、5b、5c)，导电部的平均长度d为4μm以上、9μm以下。或者，各电极部(5)具备从供电部延伸的基部(6)和从基部(6)分离的多个导电部(5a、5b、5c)，位于电极部最前端的导电部(5b)的长度(db)比距离基部最近的导电部(5a)的长度(da)小。
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公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN105409119A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/277 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，正极化面12b在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN103947110B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN103999366B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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