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公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN105409119A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/277 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，正极化面12b在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN103947110B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN103999366B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN103947110A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103999366A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN203851109U
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201320884800.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本实用新型涉及复合基板（10），其具备压电基板（12）和支撑基板（14）。压电基板（12）和支撑基板（14）的相互的定位平面（12a）、（14a）所呈的角度θ为2°～60°。另外，在沿着相互的连接面的方向中，将沿压电基板（12）的定位平面（12a）的方向设为第1方向，将与第1方向垂直的方向设为第2方向时，相互的中心（12b）、（14b）在第1方向上的距离即第1距离D1、在第2方向上的距离即第2距离D2的其中一个为超过压电基板（12）的直径的0%且在1%以下，另一个为压电基板（12）的直径的0%以上1%以下。压电基板（12）和支撑基板（14）通过含有Ar的非晶体层而连接。支撑基板（14）是硅制的，并且在方位（111）面上与压电基板（12）连接。
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公开(公告)号：CN114144897A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080029092.X
申请日：2020-02-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H03H9/25
Abstract: 本发明提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。接合体9A具备：支撑基板6、压电性材料基板1A、以及支撑基板与压电性材料基板之间的多层膜22。多层膜22具备按以下顺序具有第一层3、第二层7A、第三层3以及第四层7A的层叠结构2。第一层3及第三层3包含硅氧化物，第二层7A及第四层7B包含金属氧化物。第二层7A的折射率高于第一层3的折射率及第三层3的折射率。第二层7A的折射率与第四层7B的折射率不同。
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公开(公告)号：CN112088149A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201980026646.8
申请日：2019-02-13
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C04B37/00 , H01L41/187 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 本发明在由铌酸锂等形成的压电性单晶基板1(1A)与支撑基板3的接合体8(8A)中，抑制加热时的接合体的翘曲。接合体8(8A)具备：支撑基板3；压电性单晶基板1(1A)，所述压电性单晶基板1(1A)由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及非晶质层7，所述非晶质层7包含选自由铌和钽构成的组中的一种以上金属原子、构成支撑基板3的原子以及氩原子，且存在于支撑基板3与压电性单晶基板1(1A)之间。非晶质层7的中央部的氩原子的浓度高于非晶质层7的周缘部的氩原子的浓度。
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公开(公告)号：CN111066243A
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201880003452.1
申请日：2018-09-04
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 针对在由多晶陶瓷构成的支撑基板上直接接合压电性材料基板这种类型的弹性波元件，提高弹性波元件的Q值。弹性波元件10具备：压电性材料基板1A；中间层2，所述中间层2设置于压电性材料基板1A上，并且由选自由氧化硅、氮化铝以及硅铝氧氮陶瓷组成的组中的一种以上的材质构成；接合层3，所述接合层3设置于中间层2上，并且由选自由五氧化钽、五氧化铌、氧化钛、莫来石、氧化铝、高电阻硅以及氧化铪组成的组中的一种以上的材质构成；支撑基板5，所述支撑基板5由多晶陶瓷构成，并与接合层3直接接合；以及电极9，所述电极9设置于压电性材料基板1A上。
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