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公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN105409119A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/277 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，正极化面12b在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN103947110B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN103999366B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN103947110A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103999366A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN203851109U
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201320884800.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本实用新型涉及复合基板（10），其具备压电基板（12）和支撑基板（14）。压电基板（12）和支撑基板（14）的相互的定位平面（12a）、（14a）所呈的角度θ为2°～60°。另外，在沿着相互的连接面的方向中，将沿压电基板（12）的定位平面（12a）的方向设为第1方向，将与第1方向垂直的方向设为第2方向时，相互的中心（12b）、（14b）在第1方向上的距离即第1距离D1、在第2方向上的距离即第2距离D2的其中一个为超过压电基板（12）的直径的0%且在1%以下，另一个为压电基板（12）的直径的0%以上1%以下。压电基板（12）和支撑基板（14）通过含有Ar的非晶体层而连接。支撑基板（14）是硅制的，并且在方位（111）面上与压电基板（12）连接。
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公开(公告)号：CN111819792B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN201880090900.6
申请日：2018-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在将由钽酸锂等形成的压电性材料基板和设置有氧化硅层的支撑基板接合时，使接合强度得到提高。接合体具备：支撑基板4；氧化硅层5，其设置于支撑基板4上；以及压电性材料基板1，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于氧化硅层5上。氧化硅层5侧的压电性材料基板1的表面电阻率为1.7×1015Ω/□以上。
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公开(公告)号：CN114731145A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202080005715.X
申请日：2020-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明提供能够抑制无法通过对接合体的压电性材料基板或支撑基板的接合面的表面形状进行控制来加以抑制的寄生波的结构。接合体具备：支撑基板；压电性材料基板，其由选自由铌酸锂、钽酸锂以及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成；以及接合层，其将支撑基板和压电性材料基板接合，并与压电性材料基板的主面接触。在利用椭圆偏振光谱法对所述支撑基板的接合面和所述压电性材料基板的接合面中的至少一者进行测定时，此时将反射光的p偏振光与s偏振光的相位差设为Δ时，在波长400nm至760nm之间的区域，所述相位差Δ的最大值与最小值之差为70°以下。
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公开(公告)号：CN113939998A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202080030208.1
申请日：2020-02-18
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H03H3/08 , H01L41/187 , H01L41/312 , H01L41/337 , H03H9/25
Abstract: 在将包含钽酸锂等的压电性材料基板和包含水晶的支撑基板接合时，使接合强度提高，使得即便减薄压电性材料基板也不会剥离。复合基板7、7A具有：支撑基板4，其包含水晶；压电性材料基板1、1A，其包含选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质；以及界面层5，其处于支撑基板4与压电性材料基板1、1A的接合界面。界面层5为以钽和铌中的至少一者、硅及氧为构成成分的非晶质结构。界面层5中的氢原子浓度、氮原子浓度及氟原子浓度分别为1×1018atoms/cm3以上5×1021atoms/cm3以下。
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