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公开(公告)号：CN103947110B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN105409119A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/277 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，正极化面12b在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
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公开(公告)号：CN103999366B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN103947110A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103999366A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
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公开(公告)号：CN203851109U
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201320884800.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本实用新型涉及复合基板（10），其具备压电基板（12）和支撑基板（14）。压电基板（12）和支撑基板（14）的相互的定位平面（12a）、（14a）所呈的角度θ为2°～60°。另外，在沿着相互的连接面的方向中，将沿压电基板（12）的定位平面（12a）的方向设为第1方向，将与第1方向垂直的方向设为第2方向时，相互的中心（12b）、（14b）在第1方向上的距离即第1距离D1、在第2方向上的距离即第2距离D2的其中一个为超过压电基板（12）的直径的0%且在1%以下，另一个为压电基板（12）的直径的0%以上1%以下。压电基板（12）和支撑基板（14）通过含有Ar的非晶体层而连接。支撑基板（14）是硅制的，并且在方位（111）面上与压电基板（12）连接。
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公开(公告)号：CN112612149B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202011031274.9
申请日：2020-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光调制器用接合体、光调制器及光调制器用接合体的制造方法。在将由铌酸锂等形成的光波导用材料与支撑基板接合而成的光调制器用接合体及光调制器中，抑制光波导用材料因退火处理而开裂，并且，改善光调制器对频率的光响应特性。光调制器用接合体(6)具备支撑基板(4)；光波导用材料(7)，其由选自由铌酸锂、钽酸锂及铌酸锂－钽酸锂构成的组中的材质形成，并设置于支撑基板(4)上；以及光波导(8)，其存在于光波导材料(7)。支撑基板(4)由选自由氧化镁及镁－硅复合氧化物构成的组中的材质形成。
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公开(公告)号：CN110945787B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201880047171.6
申请日：2018-08-21
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 提供一种能够将由铌酸锂和/或钽酸锂构成的压电性材料层牢固地接合于由莫来石构成的支撑基板上的微结构。作为解决方案，提供一种具备支撑基板(3)以及压电性材料层(2)的接合体(1)。支撑基板(3)由莫来石构成，压电性材料层(2)的材质为LiAO3，其中，A为选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素。具备：沿着支撑基板(3)与压电性材料层(2)之间的界面而存在的界面层(4)、以及存在于界面层(4)与支撑基板(3)之间的支撑基板侧中间层(5)。界面层(4)以及支撑基板侧中间层(5)分别以选自由铌和钽构成的组中的一种以上的元素、氧、铝和硅作为主成分。
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公开(公告)号：CN114144897A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202080029092.X
申请日：2020-02-21
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L41/083 , H01L41/187 , H03H9/25
Abstract: 本发明提供能够提高弹性波元件的Q值的接合体。接合体9A具备：支撑基板6、压电性材料基板1A、以及支撑基板与压电性材料基板之间的多层膜22。多层膜22具备按以下顺序具有第一层3、第二层7A、第三层3以及第四层7A的层叠结构2。第一层3及第三层3包含硅氧化物，第二层7A及第四层7B包含金属氧化物。第二层7A的折射率高于第一层3的折射率及第三层3的折射率。第二层7A的折射率与第四层7B的折射率不同。
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