-
公开(公告)号：CN103947110B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
-
公开(公告)号：CN103999366B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
-
公开(公告)号：CN103947110A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201380003306.6
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/053 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板，是压电基板与支承基板介由非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层含有3atm%～14atm%的Ar。此外，非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
-
公开(公告)号：CN105409119B
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，负极化面12a在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105409119A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201480041519.2
申请日：2014-06-09
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/081 , H01L41/277 , H01L41/312 , H03H3/10 , H03H9/02574 , H03H9/02834
Abstract: 复合基板10是通过使用离子束的直接接合将压电基板12和支撑基板14接合而形成的。压电基板12的一面为负极化面12a，另一面为正极化面12b。用强酸蚀刻的速率是负极化面12a大于正极化面12b。压电基板12以正极化面12b与支撑基板14直接接合，正极化面12b在表面露出。另外，压电基板12的负极化面12a被强酸蚀刻。支撑基板14由用强酸蚀刻时的速率比压电基板12的负极化面12a大的材质制作。
-
公开(公告)号：CN111095489B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201880058972.2
申请日：2018-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H01L21/301 , H01G4/30 , H01L21/683
Abstract: 提供一种芯片部件的制造方法，能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理，并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有：将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体片的一部分一起进行切断的工序、将切断后的生坯片等中的至少虚设部与载体片的一部分一起进行剥离从而将多个芯片残留于载体片上的工序、以及在将多个芯片保持于载体片的状态下，对通过剥离而露出来的多个芯片的侧面部至少实施表面处理的工序。
-
公开(公告)号：CN111095489A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880058972.2
申请日：2018-09-10
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H01L21/301 , H01G4/30 , H01L21/683
Abstract: 提供一种芯片部件的制造方法，能够将多个芯片在粘贴于基片上的状态下进行处理，并能够将多个芯片在粘贴于基片的状态下至少进行表面处理。所述芯片部件的制造方法具有：将生坯片等保持于载体片上的工序、将保持于载体片上的生坯片等与载体片的一部分一起进行切断的工序、将切断后的生坯片等中的至少虚设部与载体片的一部分一起进行剥离从而将多个芯片残留于载体片上的工序、以及在将多个芯片保持于载体片的状态下，对通过剥离而露出来的多个芯片的侧面部至少实施表面处理的工序。
-
公开(公告)号：CN103999366A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201380003307.0
申请日：2013-11-11
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
CPC classification number: H01L41/0838 , H01L41/312 , H03H9/02574
Abstract: 本发明的复合基板是压电基板与支承基板介由含Ar的非晶层接合而成的复合基板，所述压电基板为钽酸锂或铌酸锂的单晶基板，所述支承基板为硅的单晶基板。非晶层从压电基板向着复合基板，具有第1层、第2层及第3层。其中，第1层比第2层及第3层含有更多的构成压电基板的元素（Ta等），第3层比第1层及第2层含有更多的构成支承基板的元素（Si），第2层比第1层及第3层含有更多的Ar。
-
公开(公告)号：CN203851109U
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201320884800.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 日本碍子株式会社 , NGK陶瓷设备株式会社
IPC: H03H9/19
Abstract: 本实用新型涉及复合基板（10），其具备压电基板（12）和支撑基板（14）。压电基板（12）和支撑基板（14）的相互的定位平面（12a）、（14a）所呈的角度θ为2°～60°。另外，在沿着相互的连接面的方向中，将沿压电基板（12）的定位平面（12a）的方向设为第1方向，将与第1方向垂直的方向设为第2方向时，相互的中心（12b）、（14b）在第1方向上的距离即第1距离D1、在第2方向上的距离即第2距离D2的其中一个为超过压电基板（12）的直径的0%且在1%以下，另一个为压电基板（12）的直径的0%以上1%以下。压电基板（12）和支撑基板（14）通过含有Ar的非晶体层而连接。支撑基板（14）是硅制的，并且在方位（111）面上与压电基板（12）连接。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.021 seconds)
