-
公开(公告)号：CN118136712B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202410130787.7
申请日：2024-01-30
Applicant: 无锡学院
IPC: H10F10/172 , H10F10/142 , H10F71/00
Abstract: 本发明提供了一种双面双结硅基GaAs光电探测器及其制备方法。本光电探测器包括GaAs衬底，所述GaAs衬底一侧依次外延生长AlxGa1‑xAs应力释放层、GaAs吸收层、AlyGa1‑yAs接触层和叉指电极；所述GaAs衬底另一侧依次外延生长绝缘层和Si薄膜层；所述Si薄膜层上设有凸起的Si脊型波导，所述Si脊型波导顶部形成有p+掺杂型Si区，靠近所述Si脊型波导两侧Si薄膜层表面形成有p++掺杂型Si区；所述p+掺杂型Si区上依次外延生长本征i‑Ge吸收层和n++掺杂型Ge层。本光电探测器无干扰地异质集成硅基锗PIN和GaAs光电探测器；本光电探测器波段宽、探测灵敏度高、体积小，适用广泛。
-
公开(公告)号：CN115345909B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211271914.2
申请日：2022-10-18
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种基于深度空间光谱卷积融合特征的高光谱目标跟踪方法，确定归一化后的第t帧高光谱图像的目标区域Tt和搜索区域St；将Tt进行降维得到Xp；提取Xp的深度特征E；确定搜索区域x、y、z方向的边缘特征；确定融合后的三维边缘特征、深度空间光谱卷积融合特征Z、八邻域的干扰因子；获得排序前四个干扰因子和其对应的背景区域；确定对应的抑制权重以及滤波器模板；输入第t+1帧图像，以第t帧目标区域为基础，生成不同尺度的目标区域，并且将其输入，提取特征送入滤波器，得到响应值，将响应值最高的尺度确定为当前帧的目标尺度并跟新滤波器；依次读入高光谱图像序列内每一帧高光谱图像完成目标跟踪。
-
公开(公告)号：CN115965553B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310003338.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T5/00 , G06T5/20 , G06T5/40 , G06V40/16 , G06V10/26 , G06V10/44 , G06V10/74 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06T7/60
Abstract: 本发明公开了一种基于多特征融合的人脸图像局部增强方法，建立人脸图像训练集；对所述人脸图像训练集中的每张图像进行人脸检测、人脸对齐和人脸分割，获得每张分割后的图像；获得分割后的偏正脸图像集、并且确定分割后的偏正脸图像集中每张图像的面积比例相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的长宽比相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的方脸相近度；将三个特征加权融合，获得多特征融合模板系数；根据其确定平均人脸轮廓模板，并且结合待识别人脸的图像，获得局部图像增强后的人脸图像。本发明能够取代人脸图像增强中的人脸分割步骤，在不改变人脸图像增强准确性的前提下，提高了人脸图像增强的效率和质量，简化冗繁的操作过程。
-
公开(公告)号：CN115965553A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202310003338.1
申请日：2023-01-03
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T5/00 , G06T5/20 , G06T5/40 , G06V40/16 , G06V10/26 , G06V10/44 , G06V10/74 , G06V10/80 , G06V10/764 , G06T7/11 , G06T7/62 , G06T7/60
Abstract: 本发明公开了一种基于多特征融合的人脸图像局部增强方法，建立人脸图像训练集；对所述人脸图像训练集中的每张图像进行人脸检测、人脸对齐和人脸分割，获得每张分割后的图像；获得分割后的偏正脸图像集、并且确定分割后的偏正脸图像集中每张图像的面积比例相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的长宽比相近度、分割后的偏正脸图像集中每张图像的方脸相近度；将三个特征加权融合，获得多特征融合模板系数；根据其确定平均人脸轮廓模板，并且结合待识别人脸的图像，获得局部图像增强后的人脸图像。本发明能够取代人脸图像增强中的人脸分割步骤，在不改变人脸图像增强准确性的前提下，提高了人脸图像增强的效率和质量，简化冗繁的操作过程。
-
公开(公告)号：CN114463411A
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN202210060605.4
申请日：2022-01-19
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T7/62 , G06T7/66 , G06T7/11 , G06T7/13 , G06T7/136 , G06T7/187 , G06T7/50 , G01B11/00 , G01B11/02 , G01B11/06 , G01N9/02
Abstract: 本发明公开了基于三维相机的目标体积、质量与密度测量方法，利用三维相机、电子秤与亚克力板搭建质量体积测量系统；将目标置于体积测量展台上，利用电子秤测量得出目标质量M；利用质量体积测量系统对展台上目标进行成像，得到目标的点云图像与灰度图像；对点云图像进行滤波处理并对灰度图像进行图像自适应阈值二值化操作与边缘检测处理，得到目标的深度信息以及像素区域信息，进而推导出目标体积测量公式；根据目标体积测量公式计算得到目标体积；通过计算得出目标平均密度。本发明所提方法可利用灰度图像计算选定圆柱类目标底面半径，利用深度信息计算选定圆柱类目标体积与密度，对选定圆柱类目标的体积、质量与密度可进行较为准确的估计。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114256419A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111524546.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版；在第二温度下，母版再结晶，即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜，并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数，进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法，它的制备成本更低，要求的操作水平更低，更重要的是，制备的晶态薄膜面积大，该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。
-
公开(公告)号：CN116779278A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310677599.1
申请日：2023-06-08
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种二维磁性多层膜、自旋微波振荡器和自旋微波探测器。该自旋微波振荡器和自旋微波探测器均包括上电极、下电极和二维磁性多层膜，所述二维磁性多层膜包括具有面内或面外平衡磁化状态的第一层二维磁性材料层；二维非磁性隔离层；具有面内或面外磁化的第二层二维磁性材料层；所述二维非磁性隔离层位于第一层二维磁性材料层和第二层二维磁性材料层之间。该二维磁性多层膜结构在直流偏置下产生微波振荡信号，或在微波信号作用下产生整流电压信号。本发明自旋微波振荡器能够实现更高的微波输出频率和功率，且频率可实现宽频易调；本发明自旋微波探测器能够实现更高的微波频率探测，且探测频率宽频易调，功耗低。
-
公开(公告)号：CN115308243A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210976955.5
申请日：2022-08-15
Applicant: 无锡学院
IPC: G01N23/2202 , G01N23/2251
Abstract: 本发明公开了一种润滑脂皂纤维的制样方法。所述提取方法中选用正己烷、石油醚、乙醇和水复配作为提取剂，各组分的体积比满足正己烷：石油醚：乙醇：水＝1～1.1：2.8～3：1～1.1：0.5～0.6并结合超声分散，再选用丙酮、石油醚、乙醇和水复配作为稀释剂，各组分的体积比满足丙酮：石油醚：乙醇：水＝1：1.1～1.2：0.7～0.8：0.2～0.3并结合超声分散对润滑脂皂纤维进行提取。所述方法提取的皂纤维表面基础油完全溶解，提取的皂纤维洁净度较高，杂质少且形貌清晰完整，有利于对润滑脂的表征、研发、改良和分析。
-
公开(公告)号：CN114589777A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210252026.X
申请日：2022-03-15
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种阿基米德螺旋线齿形结构的热磨机磨片，磨片齿刃轮廓为阿基米德螺旋线，还公开了阿基米德螺旋线齿形结构的热磨机磨片的结构设计方法，通过计算齿刃轮廓的几何参数，确定曲线方程和在磨片上的位置从而确定磨片的结构。本发明的热磨机磨片由内圆至外圆，滑切角随剪切半径的增大而增大，从而与逐渐增大的剪切速率和逐渐减少的剪切力需求匹配，提高纤维分离质量，在规定的半径内齿刃较直线齿的磨片更长，因此同等解离时间下解离更为充分，降低能耗，提高生产效率。
-
公开(公告)号：CN114256419B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202111524546.3
申请日：2021-12-14
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种两步法制备大面积二维有机半导体晶态薄膜的方法，包括均匀涂抹有机半导体材料于下基板上；在下基板上构建用于有机半导体材料结晶的矩形生长空腔；在第一温度下，矩形生长空腔内的有机半导体材料预结晶生成母版；在第二温度下，母版再结晶，即得。本发明通过升华法预生长有机晶态薄膜，并且可以通过温度和时间来精确控制晶态薄膜的层数，进一步加热再生长可以获得大面积的单层二维有机半导体晶态薄膜。相较于其他的二维有机半导体晶态薄膜生长方法，它的制备成本更低，要求的操作水平更低，更重要的是，制备的晶态薄膜面积大，该方法可能满足于不同功能应用中可调形态有机半导体生长。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.02 seconds)
