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公开(公告)号：CN116598881B
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202310531779.9
申请日：2023-05-11
Applicant: 无锡学院
IPC: H01S5/02 , H01S5/024 , B23K26/53 , C23C28/04 , C23C14/48 , C23C14/06 , C23C14/58 , C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/50
Abstract: 本发明属于半导体激光芯片散热技术领域，具体涉及一种芯片散热结构及提升芯片光电转换效率的方法。本发明所述芯片散热结构通过将离子注入在外延片器件层前体注入损伤带，结合表面活化键合技术将器件层转移至高导热衬底材料上，再通过热退火和飞秒激光辐照相结合对键合界面的晶格缺陷进行修复制得。本发明制备得到的芯片散热结构具有散热效率高的优点，且制备工艺简单，适用于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN118884764A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410625570.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明提供了一种纳米金粒子掩埋的混合集成M‑Z型模式全光开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设有MZI型波导，所述MZI型波导外部生长有将其包覆且折射率低于所述MZI型波导的上包层；所述MZI型波导为双通道输入MZI型光波导结构，所述双通道输入MZI型光波导结构中部设有用于相位调制的纳米金粒子掩埋层，所述纳米金粒子掩埋层为由纳米金粒子分散在聚合物中形成。本发明通过纳米金粒子掩埋层结构及其纳米金粒子的光热效应，降低了光开关器件的功耗，更高的光激发效率，实现光开关的调控；与传统热光开关相比，省略了电极结构，开关响应速度更快，易于与光芯片系统集成。
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公开(公告)号：CN116167956B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202310313924.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称多层分解的ISAR与VIS图像融合方法，载入空间分辨率相同的逆合成孔径雷达图像与可见光图像，比较逆合成孔径雷达图像与可见光图像的加权空间频率方差的大小，将两幅图像分为细节图像Ia和粗糙图像Ib；使用多层高斯边窗滤波器分解框架对Ia和Ib分别进行分解，获得Ia的细节保留层Sda、边缘保留层Sea、基本能量层Sga、Ib的细节保留层Sdb、边缘保留层Seb和基本能量层Sgb；通过获得的Sda对Sdb进行引导融合策略获得Ib最终的非对称细节保留融合层Sfb；使用局部方差与空间频率构造判别标准对Sda和Sfb进行融合，获得最终的细节保留融合层Sfd；利用ω对Sea和Seb进行融合，获得最终的边缘保留融合层Sfe；将Sga与Sgb融合，获得最终的基本能量层Sfg；将Sfd，Sfe和Sfg相加获得最终的融合图像If。
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公开(公告)号：CN116779278A
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN202310677599.1
申请日：2023-06-08
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种二维磁性多层膜、自旋微波振荡器和自旋微波探测器。该自旋微波振荡器和自旋微波探测器均包括上电极、下电极和二维磁性多层膜，所述二维磁性多层膜包括具有面内或面外平衡磁化状态的第一层二维磁性材料层；二维非磁性隔离层；具有面内或面外磁化的第二层二维磁性材料层；所述二维非磁性隔离层位于第一层二维磁性材料层和第二层二维磁性材料层之间。该二维磁性多层膜结构在直流偏置下产生微波振荡信号，或在微波信号作用下产生整流电压信号。本发明自旋微波振荡器能够实现更高的微波输出频率和功率，且频率可实现宽频易调；本发明自旋微波探测器能够实现更高的微波频率探测，且探测频率宽频易调，功耗低。
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公开(公告)号：CN116228524A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310113352.7
申请日：2023-02-14
Applicant: 无锡学院
IPC: G06T3/00
Abstract: 本发明公开了一种基于光谱差异的高光谱图像序列降维方法,载入的高光谱图像序列中的第1、t帧高光谱图像进行灰度归一化，分别获得归一化后的第1、t帧高光谱图像并且确定第1帧高光谱图像中的选定局部区域通过中每个像素的光谱曲线确定最大、最小光谱曲线Cmax、Cmin；确定中第i个像素在16个波段上的灰度平均值通过获得中第i个像素的去均值光谱曲线Ci；确定光谱差异图通过确定第t帧高光谱图像第b个波段第i个像素的量化偏差通过确定第t帧高光谱图像16个波段的总差异图通过确定重构总差异图通过确定的降维结果图K；通过K获得降维结果重复上述步骤，依次处理高光谱图像序列中每一帧高光谱图像获得高光谱图像序列降维结果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118884764B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410625570.3
申请日：2024-05-20
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明提供了一种纳米金粒子掩埋的混合集成M‑Z型模式全光开关芯片，包括衬底层，所述衬底层上设有MZI型波导，所述MZI型波导外部生长有将其包覆且折射率低于所述MZI型波导的上包层；所述MZI型波导为双通道输入MZI型光波导结构，所述双通道输入MZI型光波导结构中部设有用于相位调制的纳米金粒子掩埋层，所述纳米金粒子掩埋层为由纳米金粒子分散在聚合物中形成。本发明通过纳米金粒子掩埋层结构及其纳米金粒子的光热效应，降低了光开关器件的功耗，更高的光激发效率，实现光开关的调控；与传统热光开关相比，省略了电极结构，开关响应速度更快，易于与光芯片系统集成。
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公开(公告)号：CN117594687A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311588308.8
申请日：2023-11-24
Applicant: 无锡学院
IPC: H01L31/101 , H01L25/18 , H01L31/109 , H01L31/105 , H01L31/103 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种双面多波段光电探测器及其制备方法，本双面多波段光电探测器包括硅基衬底层和硅半导体绝缘层，所述硅半导体绝缘层一侧设有相邻设置并用于探测紫外波段的第一探测功能层和用于探测短波红外波段的第二探测功能层；所述所述硅半导体绝缘层的另一侧与第一探测功能层和第二探测功能层相对位置设有用于探测可见光波段的第三探测功能层；所述第三探测功能层包括设置在所述硅半导体绝缘层上的硅基衬底层。本探测器将三个探测功能层集成并设置在同一硅半导体绝缘层的两侧，支持多波段探测，且功耗低、抗干扰能力强、工作效率高；并通过硅基衬底层支撑多个探测功能层，结构简单，体积小；可应用于数据中心、光互连、人工智能等领域。
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公开(公告)号：CN117405389A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311421076.7
申请日：2023-10-27
Applicant: 无锡学院
IPC: G01M13/003
Abstract: 本发明公开了一种EGR阀制造偏差的检测系统和检测方法，属于柴油机阀门的技术领域；其中，EGR阀制造偏差的检测系统包括混合气体管路，混合气体管路的一端连接有空气支路和可燃气体支路，混合气体管路的另一端连接第一支路和第二支路的首端；混合气体管路上安装有扰流混合腔、稳压气罐、稳压阀A、氧传感器A和单向阀；第一支路上安装有EGR阀和截止阀C，第二支路上安装有氧传感器B、截止阀B、增压器、催化氧化器；第一支路和第二支路的末端连接压力调节管路，压力调节管路上安装有稳压腔和稳压阀B。本发明提供一种EGR阀制造偏差的检测系统和检测方法，能够对EGR阀快速、低成本、大批量的检测，防止制造偏差件流入市场。
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公开(公告)号：CN116167956A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310313924.6
申请日：2023-03-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明公开了一种基于非对称多层分解的ISAR与VIS图像融合方法，载入空间分辨率相同的逆合成孔径雷达图像与可见光图像，比较逆合成孔径雷达图像与可见光图像的加权空间频率方差的大小，将两幅图像分为细节图像Ia和粗糙图像Ib；使用多层高斯边窗滤波器分解框架对Ia和Ib分别进行分解，获得Ia的细节保留层Sda、边缘保留层Sea、基本能量层Sga、Ib的细节保留层Sdb、边缘保留层Seb和基本能量层Sgb；通过获得的Sda对Sdb进行引导融合策略获得Ib最终的非对称细节保留融合层Sfb；使用局部方差与空间频率构造判别标准对Sda和Sfb进行融合，获得最终的细节保留融合层Sfd；利用ω对Sea和Seb进行融合，获得最终的边缘保留融合层Sfe；将Sga与Sgb融合，获得最终的基本能量层Sfg；将Sfd，Sfe和Sfg相加获得最终的融合图像If。
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公开(公告)号：CN115588899A
公开(公告)日：2023-01-10
申请号：CN202211336257.5
申请日：2022-10-28
Applicant: 无锡学院
Abstract: 本发明属于光子集成与光波导技术领域，具体涉及一种激光泵浦铌酸锂波导光子集成器件及其制备与应用。本发明制备得到的光子集成器件中的边发射激光器泵浦LNOI光波导激光器中的铌酸锂波导能自发振荡激光输出，在铌酸锂波导两端刻蚀光栅形成谐振腔，能诱导光学波导内的稀土离子实现能级跃迁，输出对应波长的激光，从而达到耦合效率高的优点，且制备工艺简单，适合大规模生产。
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