公开(公告)号：CN100499051C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。

公开(公告)号：CN102187464A

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN102097462A

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN201010532941.1

申请日：2010-10-21

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  堀内明彦 ,  根来佑树 ,  露口士夫 ,  浅田毅 ,  清水正章

IPC: H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/7322 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66272

Abstract: 本发明提供一种可以通过简单的流程进行生产、成品率高、具有较高电流放大率的双极型半导体装置。双极晶体管10具有：在半导体结晶基板9的一面形成的由n型低阻抗层构成的集电区11、设置在集电区上的n型的第1高阻抗区12、设置在第1高阻抗区上的p型基区13、在半导体结晶板的另一面形成的n型低阻抗的发射区14、在发射区与基区之间设置为与发射区相接触的n型第2高阻抗区15、设置在第2高阻抗区周围并与其接触的n型复合抑制区17、以及与复合抑制区接邻设置并与基区接合的p型低阻抗基极接触区16，第2高阻抗区15及复合抑制区17的杂质浓度分别在1×1017cm-3以下。

公开(公告)号：CN1909191A

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200610108343.5

申请日：2006-08-02

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩黑弘明 ,  西川恒一 ,  清水正章 ,  福田裕介

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/8083 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。

公开(公告)号：CN101136350A

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：CN200710147771.3

申请日：2007-08-28

Applicant: 新电元工业株式会社 ,  本田技研工业株式会社

Inventor： 西川恒一 ,  清水正章 ,  野中贤一 ,  横山诚一 ,  桥本英喜

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/67103 ,  H01L21/68721 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49124

Abstract: 本发明提供了制造半导体器件的方法、工具和装置。这种制造半导体器件的方法包括：通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座和放置在该基座上的半导体基板之间的接合度，或通过使用传热增加机构，增加传递至放置在作为加热件的基座上的半导体基板的热量；以及通过加热所述基座将所述半导体基板加热到具有预定温度。所述接合度增加机构可以包括所述基座和以下其一：放置在所述半导体基板上的重石、放置在所述半导体基板上且与所述基座啮合的盖子，以及设置在所述基座与所述半导体基板之间的粘合层。所述传热增加机构可以包括所述基座和放置在所述半导体基板上且具备辐射光吸收能力的小片。所述基座能够支承呈堆叠形式的多个半导体基板。

公开(公告)号：CN102132388A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200980133246.3

申请日：2009-08-25

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 根来佑树 ,  堀内明彦 ,  岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  前山雄介 ,  佐藤雅 ,  清水正章

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/73 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/732 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66295 ,  H01L29/66416 ,  H01L29/7722 ,  H01L29/8613 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种降低双极型晶体管的表面态(即表面能级)密度、提高其电流增幅率，从而提高晶体管的性能的双极型半导体装置。双极型半导体装置(100)的半导体元件表面具有表面保护膜(30)，该表面保护膜由在半导体元件表面上形成的热氧化膜(31)和在热氧化膜上形成的堆积氧化膜(32)构成。所述堆积氧化膜中包含的氢元素或氮元素中，至少有一种在1018cm-3以上。

公开(公告)号：CN100543938C

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200610108343.5

申请日：2006-08-02

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩黑弘明 ,  西川恒一 ,  清水正章 ,  福田裕介

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/337 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/8083 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/266 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 本发明披露了一种离子注入掩模(10)的制造方法，该方法包括以下步骤：在半导体基材(11)的整个表面上形成作为保护膜的氧化物膜(12)；在所述氧化物膜(12)上形成金属薄膜(13)；在所述金属薄膜(13)上形成由离子阻止性金属构成的离子阻止层(14)。所得的离子注入掩模(10)可以用来形成较深的选择性导电区域。

公开(公告)号：CN1838390A

公开(公告)日：2006-09-27

申请号：CN200610065382.1

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三 ,  岩黑弘明 ,  清水正章 ,  福田祐介 ,  西川恒一 ,  前山雄介

IPC: H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722

Abstract: 结型半导体装置的制造方法。该结型半导体装置的制造方法由以下工序构成：第一高电阻层形成工序；沟道掺杂层形成工序；第二高电阻层形成工序；形成作为源区的第一导电型的低电阻层(34)的工序；进行局部刻蚀直至低电阻层(34)和第二高电阻层(33)的中途深度的工序；在刻蚀工序中刻蚀后的部分的下部形成栅区(G)的工序；以及在栅区(G)和源区之间的区域的表面形成保护膜(38)的工序。在预先刻蚀到了源区下面和沟道掺杂层的上面之间的高度的面上，使用较低能量的离子注入来形成栅区。

公开(公告)号：CN102187464B

公开(公告)日：2014-04-16

申请号：CN200980138316.4

申请日：2009-10-06

Applicant: 本田技研工业株式会社 ,  新电元工业株式会社

Inventor： 岩永健介 ,  横山诚一 ,  桥本英喜 ,  野中贤一 ,  佐藤雅 ,  露口士夫

IPC: H01L29/43 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L21/0485 ,  H01L21/28512 ,  H01L23/485 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种在p型SiC半导体上具有Ni/Ti/Al积层结构的电阻性电极的半导体装置，它是一种可以同时优化所述电阻性电极的接触阻抗与面粗度(表面的粗糙程度)两种特性的半导体装置。该半导体装置具有积层结构的电阻性电极(18)，该积层结构的电阻性电极(18)是由在p型碳化硅半导体区域(13)上以镍(Ni)层(21)、钛(Ti)层(22)、铝(Al)层(23)的顺序积层形成的。该电阻性电极(18)包含14～47原子％的镍元素、5～12原子％的钛元素以及35～74原子％的铝元素，同时，镍元素与钛元素的原子比为1～11。

公开(公告)号：CN100508216C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200610065381.7

申请日：2006-03-23

Applicant: 本田技研工业株式会社

Inventor： 野中贤一 ,  桥本英喜 ,  横山诚一 ,  岩永健介 ,  齐藤吉三

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/337

CPC classification number: H01L29/7722 ,  Y10S438/931

Abstract: 结型半导体装置及其制造方法。本发明的结型半导体装置具有：由形成于半导体晶体的一个面上的第一导电型的低电阻层构成的漏区(11)；由形成于半导体晶体的另一面上的第一导电型的低电阻层构成的源区(12)；形成于源区(12)周围的第二导电型的栅区(13)；以及源区(12)和漏区(11)之间的第一导电型的高电阻层(14)。在栅区(13)和源区(12)之间的半导体晶体的表面附近设有第二导电型的复合抑制半导体层(16)。